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BSC070N10NS5

- 商品编码: BM0167736724复制
- 品牌: Infineon(英飞凌)复制
- 封装: TDSON-8(5x6)复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.25g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 80A 1个N沟道复制
BSC070N10NS5参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSC070N10NS5手册
BSC070N10NS5概述
产品概述:BSC070N10NS5
一、基本信息
BSC070N10NS5是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),具有强大的电流处理能力和出色的电气性能。该器件专为高频开关应用而设计,适用于直流-直流变换器、电源管理和电机控制等多种应用场景。其主要参数包括:额定电压100V、额定电流80A、功率损耗达到2.5W,采用PG-TDSON-8(5x6mm)封装,极大地方便了PCB布局和高密度设计。
二、技术规格
- 最大耗散功率:BSC070N10NS5的额定功率耗散为2.5W,在正确的散热条件下,可以有效地降低热积累,提高器件的可靠性。
- 工作电压范围:该MOSFET的最大漏极-源极电压为100V,适合高压直流系统的应用。
- 额定电流:其连续漏极电流高达80A,满足高负载应用的需求,在电力转换和电机驱动等领域表现出色。
- 开关特性:该器件具有快速的开关特性,能够有效降低开关损耗,提升转换效率,从而实现更低的能量消耗。
- 封装类型:采用PG-TDSON-8封装,尺寸为5x6mm,适合高集成度的电路设计。其平面化的封装设计可以提高散热效率,有助于提升整体性能。
三、性能优势
- 高效率:BSC070N10NS5凭借其低开关损耗和导通电阻,可以在不同负载条件下保持卓越的能效,减少热量产生,从而降低系统冷却的需求。
- 良好的热管理:其优秀的封装设计使得热分布更加均匀,结合适当的散热措施,可以有效提高其热性能和工作寿命。
- 兼容性:该MOSFET能够与多种驱动器和控制器兼容,非常适合与数字信号处理器(DSP)或微控制器(MCU)结合使用,适应于各种现有的电源设计。
四、应用领域
BSC070N10NS5在多种应用环境中表现良好,主要包括但不限于:
- 开关电源:在AC-DC电源转换、电源适配器、直流-DC-DC变换器中,可用于高效开关控制。
- 电机驱动:在电动机控制和驱动电路中,能够提供高效率和大电流支持。
- 储能系统:在电池管理系统(BMS)中,帮助提高能源管理和监测能力。
- 汽车电子:广泛应用于电池电源管理、DC-DC转换器等汽车电子模块,提高车辆的能效和性能。
五、设计考虑
在使用BSC070N10NS5时,从电路设计的角度,用户需要考虑适宜的栅极驱动电压,以确保MOSFET在开关过程中能快速且稳定地完成导通与关断。此外,应注意负载特性以及热管理措施,以确保设备的长期可靠运行。基于其高电流和高电压的特点,适当的PCB布局设计也非常关键,以降低电感和电阻,提高整体系统的性能。
六、结论
综上所述,BSC070N10NS5是一个极具竞争力的N沟道MOSFET,凭借其高效能、高可靠性和多用途的特性,适合各种高电流和高效率的应用场合。无论是在电源转换、电机控制,还是在现代汽车电子和储能系统中,均能发挥其优势,为工程师提供更高效、更稳定的解决方案。
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