DMN4040SK3-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN4040SK3-13

商品编码: BM0177321817
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.71W 40V 6A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
4525(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.28
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.28
--
100+
¥0.981
--
1250+
¥0.853
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN4040SK3-13参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)13.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)54mΩ
功率(Pd)8.9W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)945pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)58pF@20V工作温度-55℃~+150℃

DMN4040SK3-13手册

DMN4040SK3-13概述

DMN4040SK3-13 产品概述

产品简介

DMN4040SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、开关电源和其他高频、高效的电路设计中。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用TO-252(DPAK)封装,使其更容易在表面贴装技术(SMT)中使用。

主要特性

  • FET类型:N沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 连续漏极电流(Id):6A(在25°C环境下)
  • 导通电阻(Rds(on)):在10V栅压和12A漏电流下,最大的导通电阻为30毫欧,确保了在满载运行时的低功耗与高效率。
  • 栅极驱动电压:适应范围广,可在4.5V到10V之间选择,以获得最佳的性能参数。
  • Vgs(th)(阈值电压):最大值为3V(在250µA漏电流下),确保在较低电压下开启,提升了电路的应用灵活性。

性能参数

  • 输入电容(Ciss):最大值为945pF(在20V条件下),提供良好的开关性能,适合高速应用。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为18.6nC(在10V条件下),此参数对高频开关和快速开关应用尤为重要。
  • 功率耗散:最大功率耗散为1.71W,适合在高功率和高温环境中稳定工作。
  • 工作温度范围:该器件可在-55°C到150°C的温度范围内工作,适应极端环境,确保了设计的可靠性和稳定性。

封装与安装

DMN4040SK3-13采用TO-252(DPAK)封装,具有较好的散热性能和较高的封装密度,适合各种表面贴装应用。该封装类型使得该器件易于在自动化生产过程中进行批量装配,降低了生产成本,并提高了装配效率。

应用领域

DMN4040SK3-13可广泛应用于:

  • 电源管理:在电源转换过程中运作,处理DC-DC转换和高效开关电源。
  • 马达驱动:用于控制各类马达的驱动电流。
  • 电池管理:提高电池充电和放电效率,延长电池使用寿命。
  • LED驱动:在LED光源的驱动电路中提供高效率的开关功能。

结论

DMN4040SK3-13是一款功能强大,性能卓越的N沟道MOSFET,具备良好的导电性和热管理能力,适合于多种电子应用。凭借其高耐压、低导通电阻和广泛的工作温度范围,它为设计工程师提供了丰富的应用可能性,能够满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。此器件的高性价比和丰富的特性,使其成为各种电源电路设计中不可或缺的选择。