类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 13.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 54mΩ |
功率(Pd) | 8.9W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 945pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 58pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN4040SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动、开关电源和其他高频、高效的电路设计中。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用TO-252(DPAK)封装,使其更容易在表面贴装技术(SMT)中使用。
DMN4040SK3-13采用TO-252(DPAK)封装,具有较好的散热性能和较高的封装密度,适合各种表面贴装应用。该封装类型使得该器件易于在自动化生产过程中进行批量装配,降低了生产成本,并提高了装配效率。
DMN4040SK3-13可广泛应用于:
DMN4040SK3-13是一款功能强大,性能卓越的N沟道MOSFET,具备良好的导电性和热管理能力,适合于多种电子应用。凭借其高耐压、低导通电阻和广泛的工作温度范围,它为设计工程师提供了丰富的应用可能性,能够满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。此器件的高性价比和丰富的特性,使其成为各种电源电路设计中不可或缺的选择。