DMN3071LFR4-7R

产品概述：DMN3071LFR4-7R

DMN3071LFR4-7R 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），由 DIODES（美台）公司制造，具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。该器件采用先进的表面贴装技术，封装类型为 X2-DFN1010-3，能够适应现代电子设备对小型化与高效能的需求。

主要参数

1. 漏源电压（Vdss）: DMN3071LFR4-7R 的漏源电压额定值为 30V，这使得该 MOSFET 可以在许多常见的电源管理和开关电路中使用，适用于电池供电的系统或直流电源模块。

2. 连续漏极电流（Id）: 器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流可达 3.4A，显示出其在高负载条件下的良好性能，能够处理流经电路的较大电流。

3. 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为 65 毫欧（@ 3.2A），这意味着在开启状态下，MOSFET 能够有效地减少功率损耗，从而提高整体系统效率。

4. 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 器件的最大 Vgs(th) 为 2.5V（@ 250 µA），这表明该 MOSFET 在较低的栅极电压下也能迅速导通，增加了设计的灵活性。

5. 栅极电荷（Qg）: 该器件的最大栅极电荷为 4.5nC（@ 10V），提供了对快速开关特性的支持，适合高频率应用，如 DC-DC 转换器和开关电源。

6. 输入电容（Ciss）: 器件在 15V 下的输入电容最大为 190pF，良好的电容特性使其在快速开关操作时保持低延迟，从而提高信号完整性。

7. 功率耗散: DMN3071LFR4-7R 的最大功率耗散为 500mW，保证了其在实际应用中的稳定性，尤其是在高温环境下运行时。

8. 工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，表明其能够在极端条件下稳定工作，适用于严苛的工业或军事环境。

应用场景

DMN3071LFR4-7R 的特性使其非常适合广泛的应用，包括但不限于：

• 开关电源: 在 DC-DC 转换器中，MOSFET 可用作开关元件，实现高效的电源管理。
• 电池管理系统: 器件能够在电池供电的设备中执行开关操作，优化能量使用效率。
• 负载开关: 可用于控制负载开关，提高功率转换元件的响应速度与效率。
• 高频应用: 得益于其低栅极电荷及快速开关能力，适合于 RF 放大器和其他高速信号处理设备。

设计优势

为了支持现代电子设备的需求，DMN3071LFR4-7R 的设计考虑了小型封装、低功损和高效率等因素，非常适合需要高能效及小型化的应用。其表面贴装形式，能够便于自动化生产，提高集成度和可靠性。

结论

综上所述，DMN3071LFR4-7R 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备多种优秀电气特性，适合于多种应用场景。无论是用于电源管理、负载开关还是在高频应用中，该器件都能提供理想的性能表现，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。