类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@10V,4A |
功率(Pd) | 1.65W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 435pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:Nexperia PMPB55ENEAX MOSFET
1. 概述
Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效率电子应用而设计。其出色的电流承载能力和低导通电阻使其非常适合于诸如电源管理、功率转换和马达驱动等各种应用。
2. 关键参数
3. 电气特性
PMBP55ENEAX 提供了出色的电气性能,尤其是在导通期间,其导通电阻低,能够显著减少功率损失。其栅极电荷(Qg)为 12nC @ 10V,意味着在开关频率较高的应用中,器件具有优秀的快速响应特性,这对电源转换器的效率提升具有重要作用。
输入电容(Ciss)为 435pF @ 30V,在高速开关过程中,为驱动电路提供了适当的负载,从而能够确保更稳定的操作。
4. 应用场景
由于其低导通电阻和高速开关性能,PMPB55ENEAX 特别适合以下应用:
5. 结论
Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、低导通电阻和良好的开关特性,适用于多种高效电子应用。它的设计与性能能够支持现代电子设备对功率、效率与稳定性的严苛要求,成为电源管理和控制领域中的最佳解决方案之一。随着电子技术的不断进步,PMPB55ENEAX 将在新的应用场景中展现其巨大的潜力和价值。