PMPB55ENEAX 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMPB55ENEAX

商品编码: BM0084330546
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN-2020MD-6
包装 : 
-
重量 : 
0.017g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.65W 60V 4A 1个N沟道 SOT1220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.62
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.62
--
100+
¥1.3
--
750+
¥1.16
--
1500+
¥1.09
--
3000+
¥1.04
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMPB55ENEAX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@10V,4A
功率(Pd)1.65W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)435pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)26pF@30V工作温度-55℃~+150℃

PMPB55ENEAX手册

PMPB55ENEAX概述

产品概述:Nexperia PMPB55ENEAX MOSFET

1. 概述

Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效率电子应用而设计。其出色的电流承载能力和低导通电阻使其非常适合于诸如电源管理、功率转换和马达驱动等各种应用。

2. 关键参数

  • 制造商:Nexperia USA Inc.
  • 产品类型:N 通道 MOSFET
  • 包装形式:卷带(TR),便于自动化生产线使用
  • 封装:DFN2020MD-6(6-UDFN 裸露焊盘),适合表面贴装
  • 额定电流:4A(在 25°C 环境温度下)
  • 漏源电压(Vdss):60V,适合中高压应用
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 10V Vgs 和 10A Id 下最大为 56 毫欧,确保低功耗损耗
  • 门极阈值电压 (Vgs(th)):最大 2.7V,在 250μA 的条件下,保证了合理的开启电压
  • 电源功率耗散:最大 1.65W,确保器件在高负载情况下的稳定性
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,满足严苛环境条件下的使用需求

3. 电气特性

PMBP55ENEAX 提供了出色的电气性能,尤其是在导通期间,其导通电阻低,能够显著减少功率损失。其栅极电荷(Qg)为 12nC @ 10V,意味着在开关频率较高的应用中,器件具有优秀的快速响应特性,这对电源转换器的效率提升具有重要作用。

输入电容(Ciss)为 435pF @ 30V,在高速开关过程中,为驱动电路提供了适当的负载,从而能够确保更稳定的操作。

4. 应用场景

由于其低导通电阻和高速开关性能,PMPB55ENEAX 特别适合以下应用:

  • 开关电源:高效的功率转换,适用于 AC-DC 适配器和 DC-DC 转换器。
  • 电子马达驱动:可用于直流电动机的控制,提供即时的启动和停止响应。
  • 灯光调光器:在照明应用中,通过改变驱动信号来调节亮度,提升用户体验。

5. 结论

Nexperia PMPB55ENEAX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、低导通电阻和良好的开关特性,适用于多种高效电子应用。它的设计与性能能够支持现代电子设备对功率、效率与稳定性的严苛要求,成为电源管理和控制领域中的最佳解决方案之一。随着电子技术的不断进步,PMPB55ENEAX 将在新的应用场景中展现其巨大的潜力和价值。