
| 极性 | 双向 | 反向截止电压(Vrwm) | 7V |
| 钳位电压 | 9.6V | 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A@8/20us |
| 击穿电压 | 7.5V | 反向电流(Ir) | 100nA |
| 通道数 | 单路 | 防护等级 | IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 |
| 类型 | TVS | Cj-结电容 | 15pF |
PESD7V0L1BSLAZ 产品概述
1. 概述 PESD7V0L1BSLAZ 是由安世半导体(Nexperia)公司推出的一款高性能静电放电(ESD)保护二极管,采用DFN1006-2封装。该器件专为保护敏感电子组件免受静电放电和其他瞬态电压事件的损害而设计,具有9.6V的耐压和7V的钳位电压,适用于各种消费类电子产品以及通信设备等领域。
2. 产品特点
3. 应用领域 PESD7V0L1BSLAZ 适用于广泛的应用领域,尤其是在以下几个方面表现突出:
4. 性能参数
5. 设计考虑 在使用 PESD7V0L1BSLAZ 时,设计工程师需考虑到以下几个方面:
6. 总结 PESD7V0L1BSLAZ静电保护装置凭借其卓越的抑制性能和小巧的封装设计,成为多种电子设备中不可或缺的保护元件。其高耐压、低钳位电压的特点使其在现代电子设计中具备显著优势,为设备提供了强有力的保障,从而提升用户体验和系统的稳定性。无论是消费类电子产品、通信设备,还是工业和汽车电子领域,PESD7V0L1BSLAZ都有广泛的应用前景。