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DMP3098L-7

- 商品编码: BM0093065080复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000028复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 1.08W 30V 3.8A 1个P沟道复制
DMP3098L-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 336pF |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
DMP3098L-7手册
DMP3098L-7概述
DMP3098L-7 产品概述
DMP3098L-7 是一款由 DIODES(美台)公司制造的 P 沟道 MOSFET 元件,封装类型为 SOT-23-3。这款 MOSFET 主要用于低压和中等功率的电子应用,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适合于电源管理、开关电源、马达驱动以及其他需要高效率、高可靠性的电路。以下是该产品的详细参数和应用说明。
关键技术参数
漏源电压 (Vdss): 30V
- 表示此 MOSFET 能够承受的最大漏极与源极之间的电压。这使得 DMP3098L-7 适用于 30V 或以下的电源电压应用。
连续漏极电流 (Id): 3.8A (25°C)
- 在 25°C 环境温度下,此器件能够持久承载的电流为 3.8A,非常适合用于电流要求中等的电路设计。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.1V @ 250µA
- 栅源阈值电压指的是使 MOSFET 导通所需的最小栅源电压。2.1V 的阈值电压使得 DMP3098L-7 在较低电压下即可开启,利于低功耗电路设计。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 70mΩ @ 3.8A, 10V
- 在驱动电压为 10V 时,导通电阻达到 70 毫欧。这一低导通电阻意味着在工作时元件的功耗更小,效率更高。
最大功率耗散: 1.08W (Ta=25°C)
- 在环境温度为25°C时,此 MOSFET 的最大功率耗散为 1.08W。此特性使得DMP3098L-7 在设计中可以处理相对较高的功率,同时避免过热。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使得该器件适用于恶劣环境,确保在多种工业应用中具备良好的稳定性。
应用场景
DMP3098L-7 适合于许多不同的应用场景,包括:
电源转换器: 由于其适合高频开关的能力,可以广泛用于开关电源(SMPS),包括 AC/DC 适配器和 DC/DC 转换器。
马达驱动: 可用于电机控制系统,尤其是在低电压和高电流应用中,例如电动工具和家电产品。
功率管理: 适合用于电池管理系统(BMS)及其他需要智能功率开关的应用,以提高能效,延长电池寿命。
LED 驱动: 关于照明产品,能够以高效率驱动 LED 照明系统,减小热量产生。
封装与安装
DMP3098L-7 的 SOT-23 封装使得该元件可以在较小的电路板空间中实现高效能的应用。表面贴装的设计简化了安装过程,适用于自动化生产线。
结论
DMP3098L-7 是一款经济型、高性能的 P 沟道 MOSFET,适合多种工业和商业应用。其低导通电阻、较高的连续电流承载能力以及宽工作温度范围使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。通过良好的热管理设计,可以进一步发挥其性能,确保电路的稳定性和安全性。
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