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BSS308PEH6327

- 商品编码: BM0094303951复制
- 品牌: Infineon(英飞凌)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.033g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道复制
BSS308PEH6327参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 2A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 261pF |
BSS308PEH6327手册
BSS308PEH6327概述
BSS308PEH6327 产品概述
一、产品简介
BSS308PEH6327是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其具有500mW的功率处理能力、30V的耐压和2A的持续电流能力。这款产品由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)出品,采用PG-SOT23-3-5封装,适合在各种电子应用中提供高效的电流控制与开关功能。
二、主要特性
封装及尺寸:BSS308PEH6327采用SOT-23封装,体积小巧,适用于空间有限的电子产品设计。其三引脚的布局设计使得电气连接更加简便,适合在PCB设计中灵活使用。
电气特性:
- 最大耐压:30V,使得该MOSFET能够处理较高电压的信号,适合应用于电源管理和高压开关电路。
- 最大电流:2A,满足日常电子设备对电流的需求,可以广泛应用于低功率驱动中。
- 功率耗散:最大功率耗散为500mW,保证其在正常工作条件下温升合理,有助于提高整个系统的稳定性与可靠性。
低导通阻抗:BSS308PEH6327具有较低的导通阻抗,这意味着在导通状态下可以有效减少能量损耗,从而提升系统的整体能效。
开关速度快:场效应管的开关速度较快,能够实现快速切换,有助于在因应突发负载变化时保持系统的稳定性。
适应性强:BSS308PEH6327的电气特性使其适合多种应用,如开关电源、LED驱动、低功率电机控制以及其他需要高效电流开关的场合。
三、应用场景
BSS308PEH6327在许多电子产品设计中具有广泛的应用前景,具体包括但不限于:
- LED驱动电路:可以用于控制LED灯的开关状态,提升能效并延长LED的使用寿命。
- 电源开关:适用于12V以下的小型电源管理系统,实现对负载的高效切换。
- 小型电机控制:作为开关元素,能够在电机的供电电路中发挥控制作用。
- 便携式设备:由于其小巧的封装设计,非常适合用于空间受限的便携式电子产品,如移动设备或消费电子。
- 信号调节电路:可实现对信号强度的调节,满足符号电压和电流变化的要求。
四、总结
总之,BSS308PEH6327是一款具备高效电流控制能力的P沟道场效应管,其来自英飞凌的优秀工艺保证了其在电气性能与可靠性上的优势。凭借其小巧的SOT-23封装,500mW的功耗、30V的耐压及2A的电流能力,该器件能够满足多个应用场景的需求,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论在日常消费电子还是在工业控制系统中,BSS308PEH6327都能够助力工程师实现更高效的电路设计和性能优化。
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