类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 340mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,300mA |
功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.7nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5.5pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
2N7002DW是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其设计和制造旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求。具体参数方面,该器件具有300mW的功率输出能力,能够承受60V的高电压,并提供340mA的电流。使用SOT-363封装,使得2N7002DW在各种应用中更加灵活和高效,适合空间有限的电路设计。
2N7002DW广泛应用于多种电子设备中,以下是该器件的一些典型应用领域:
在进行电路设计时,使用2N7002DW时需要注意以下因素:
总体来说,2N7002DW是一款具有广泛适用性和出色性能的N沟道MOSFET,非常适合需求高效率和小型化设计的电子设备。无论是在开关电源、电机控制还是信号放大等领域,它都能以其卓越的特性为设计提供支持。选择2N7002DW,您不仅可以劲省空间,还能提升电路的工作性能和可靠性,帮助您实现更高效的产品设计。