LMR51420YFDDCR 产品实物图片
LMR51420YFDDCR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

LMR51420YFDDCR

商品编码: BM0227582813复制
品牌 : 
TI(德州仪器)复制
封装 : 
SOT-23-6复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
DC-DC电源芯片 可调 4.5V~36V 600mV~34.2V 降压型复制
库存 :
3874(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
3.56
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.56
--
3000+
¥3.42
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

LMR51420YFDDCR参数

功能类型降压型工作电压4.5V~36V
输出电压600mV~34.2V输出电流2A
开关频率1.1MHz工作温度-40℃~+150℃@(TJ)
同步整流输出通道数1
拓扑结构降压式静态电流(Iq)40uA
开关管(内置/外置)内置输出类型可调

LMR51420YFDDCR手册

LMR51420YFDDCR概述

LMR51420YFDDCR 产品概述

LMR51420YFDDCR 是德州仪器(TI)推出的一款高集成度降压型(Buck)DC‑DC转换器,面向广泛的工业与汽车电子应用场景。器件采用 SOT‑23‑6 小封装,内置开关管并支持同步整流,工作电压范围宽(4.5V 至 36V),输出可调(600mV 至 34.2V),并能提供最高 2A 的输出电流,适合空间受限且需高效率电源解决方案的场合。

一、主要参数与特性

  • 输入电压范围:4.5V ~ 36V
  • 输出电压范围(可调):0.600V ~ 34.2V
  • 输出电流:最高 2A
  • 拓扑结构:降压(同步整流)
  • 开关频率:约 1.1MHz(高频利于减小外部电感电容尺寸)
  • 静态电流(Iq):典型 40µA(待机功耗低,适合电池或低功耗系统)
  • 工作结温度:-40℃ ~ +150℃(TJ)
  • 封装:SOT‑23‑6
  • 开关管:内置(无须外置功率 MOSFET)

二、功能与优势

  • 高集成度:内置功率开关和同步整流,外部器件简单,缩短设计周期并节省 PCB 空间。
  • 宽输入电压:兼容多种电源等级,包括汽车点火/起动瞬变环境(需按数据手册验证瞬态耐受能力并加保护)。
  • 低静态电流:待机和轻载效率优异,适用于需要低闲置功耗的系统。
  • 高频工作:1.1MHz 开关频率有助于使用小体积电感与陶瓷电容,适合体积受限应用。

三、典型应用

  • 工业控制与仪表电源
  • 通信设备辅助电源
  • 车载电子(需按汽车级规范与系统抗干扰设计)
  • 便携式设备与电池管理前端
  • 点位电源、现场总线供电模块

四、设计与布局建议

  • 外围元件选择:优先选用低 ESR 陶瓷电容保证输出稳定与低纹波;电感需满足滤波电流与饱和电流要求,优选低 DCR 以降低损耗。
  • PCB 布局:开关节点(SW)走线尽量短且远离敏感模拟线路;输入电容靠近 VIN 和 GND 引脚放置以抑制环路寄生;反馈网络应远离噪声源并布置在地平面上。
  • 稳定性与补偿:按器件数据手册给出的推荐外部元件值进行设计,必要时通过调整输出电容或加阻尼网络优化响应与稳定性。
  • 启动与使能:合理使用 EN/使能功能控制上电顺序与欠压锁定,避免在不稳定输入下启动导致输出高振荡。

五、热管理与可靠性

  • 在高输入电压大电流工况下,内部开关与封装温升明显,需评估功耗并保证结温不超过 150℃。
  • 提升散热:增大铜箔面积、在热源处设计散热铜岛并保证良好接口到地平面;必要时采用多层板并优化过孔以改善散热。
  • 在高温或长期满载应用中,应进行温升测试并考虑降额使用以延长可靠性。

六、封装与选型建议

  • SOT‑23‑6 封装适合空间受限场合,但功率能力受限,若工作点接近器件极限,建议选用更大功率封装或增加散热措施。
  • 在选型时,仔细参考 TI 官方数据手册,确认最大输入瞬变、开启/关闭门限、软启动、保护功能(短路、过流、过热保护)等,以确保满足系统需求。

总结:LMR51420YFDDCR 以其宽输入、可调输出、高集成度与低静态电流的特点,适合需要小尺寸、低功耗且能承受较宽电压范围的降压电源设计。实际应用中应严格遵循 TI 数据手册的外围器件推荐与布局指南,以获得最佳性能与可靠性。