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MT41K256M16TW-107:P
- 商品编码： BM0229879766复制
- 品牌： micron(镁光)复制
- 封装： FBGA-96(8x14)复制
- 包装： 托盘复制
- 重量： 0.458g复制
- 描述： SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-（256M-x-16）-并联-933MHz-20ns-96-FBGA（8x14）复制
MT41K256M16TW-107:P参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM |
| 时钟频率(fc) | 933MHz |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 工作电流 | 32mA |
| 刷新电流 | 15mA |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
MT41K256M16TW-107:P手册
MT41K256M16TW-107:P概述
产品概述：MT41K256M16TW-107:P
一、基本信息
MT41K256M16TW-107:P是Micron（镁光）公司推出的一款高性能DDR3L SDRAM存储器，采用96-FBGA（8x14）封装。其主要特点包括容量为4Gb（256M x 16），时钟频率高达933MHz，访问时间为20ns，适用于多种电子设备和应用场景。
二、技术参数
存储器类型: MT41K256M16TW属于DDR3L（Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic Random Access Memory），即第三代双倍数据速率低电压同步动态随机存取存储器。
存储容量: 4Gb的存储容量（256M x 16），这使得该芯片能够满足中高端计算需求，适用于需要快速数据处理和存储的场景。
时钟频率与访问时间: 933MHz的时钟频率和20ns的访问时间提供了卓越的性能，适合要求高带宽和快速响应的应用，如移动设备、笔记本电脑和其他电子产品。
工作电压: 供电电压范围为1.283V ~ 1.45V，使得该芯片具备较低的功耗特性，有助于提升设备的能源效率，尤其在便携式设备方面表现优异。
工作温度: 设备的工作温度范围在0°C ~ 95°C（TC）之间，能够适应不同的环境工作条件。
封装类型: 采用96-FBGA封装，尺寸为8x14mm，适合高密度的PCB设计，能够有效节省电路板空间，简化产品设计。
三、应用场景
MT41K256M16TW-107:P存储芯片广泛应用于移动设备（如智能手机和平板电脑）、笔记本电脑、桌面计算机、网络设备以及嵌入式系统中。由于其低电压和高性能的特性，特别适合电池供电的便携式设备。
四、技术优势
高带宽: DDR3L技术使该模块支持双倍数据传输和优秀的带宽，能够满足现代计算机和数据中心对数据处理速度的高要求。
低功耗: 适合对功耗敏感的应用，降低设备的运营成本，同时延长电池使用寿命，这是移动设备和其他便携设备所追求的目标。
优良的温度特性: 其宽广的工作温度范围使得该产品可以在各种环境条件下稳定运行。
五、总结
MT41K256M16TW-107:P是Micron公司提供的一款优秀的DDR3L SDRAM存储器，凭借其高带宽、低功耗及优良的性能特征，适合广泛的应用场合。何况，随着电子产品对内存容量和速度的不断要求，选择合适的存储器是提高产品性能的关键因素之一。无论是在个人计算机、移动设备、网络设备，还是在各种嵌入式应用中，MT41K256M16TW-107:P都能为设计人员提供出色的解决方案，确保其产品在市场上的竞争力。