
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
MMDT3904-7-F

- 商品编码: BM0258618785复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-363复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.027g复制
- 描述: 三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN复制
MMDT3904-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 2个NPN |
MMDT3904-7-F手册
MMDT3904-7-F概述
MMDT3904-7-F 产品概述
一、基本信息
MMDT3904-7-F 是一款 NPN 型双极性晶体管 (BJT),其主要用于一般的放大和切换应用。这款晶体管的额定功率为 200mW,支持最高的集电极电流 (Ic) 达到 200mA,具有较高的集射极击穿电压 (Vce) 为 40V,适用于多种电子电路的设计需求。
二、关键特性
额定功率与电流特性
- MMDT3904-7-F 的额定功率为 200mW,能够承受 200mA 的集电极电流,这使其在小型和中等功率电路中表现非常优异。
- 集电极截止电流 (ICBO) 最大值为 50nA,确保在静态状态下的低功耗和高稳定性。
电压特性
- 该晶体管的 Vce 最大值为 40V,适合在多种工作条件下使用,特别是在要求较高额定电压的环境中。
- 在饱和区工作时,针对不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic),Vce 饱和压降的最大值为 300mV @ 5mA 和 50mA。这一特性使其在开关应用中能够提供较低的功耗,提升电路效率。
电流增益
- DC 电流增益 (hFE) 最小值为 100 @ 10mA 和 1V,该高增益特性使得 MMDT3904-7-F 能够实现良好的信号放大,适合驱动较大负载。
频率响应
- MMDT3904-7-F 的跃迁频率为 300MHz,表明其在高频应用中也能维持良好的性能,适合用于现代高速电路,尤其是射频和数据传输应用。
三、工作条件
- 工作温度范围宽广,达到了 -55°C 到 150°C 的极端条件,这使得该器件在严酷环境下运行时具备良好的可靠性和稳定性,适用于汽车、航空航天及工业控制等领域。
四、封装与安装
- MMDT3904-7-F 采用 SOT-363 封装,适合表面贴装。6-TSSOP 封装设计有助于节省PCB空间,适合密集型设计。
- 这种封装形式使得元器件在自动装配时简单高效,适合大批量生产的电子产品。
五、应用领域
MMDT3904-7-F 广泛应用于以下领域:
- 消费电子产品:如音频放大器、开关电源和 RF 信号处理器。
- 工业自动化:用于传感器信号放大和驱动电路。
- 汽车电子:在车辆控制中广泛采用,适应各种工作的温度和电压条件,确保稳定性。
- 通信设备:由于其高频特性,也适用于现代通信设备中的信号放大。
六、总结
MMDT3904-7-F 是一款高性能的 NPN 双极型晶体管,其优秀的电气特性和坚固的工作条件适应性,使其成为电子设计师在各种电路设计中不可或缺的组件。无论是线性放大器、开关电路,还是在高温或高频环境下的应用,它都能出色地完成任务。值得注意的是,设计师在选择该器件应用时,仍需结合具体电路需求,合理配置,以确保其最佳性能和可靠性。
最新价格
梯度
单价(含税)
1+
¥0.33222
优惠活动
特价
库存/批次
库存
批次
5复制
两年外复制
购买数量起订量:1,增量:1
单价¥0.33222
合计:¥0





