MT25QL01GBBB8E12-0SIT 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

商品编码: BM0258704727复制
品牌 : 
micron(镁光)复制
封装 : 
24-T-PBGA(6x8)复制
包装 : 
托盘复制
重量 : 
复制
描述 : 
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 1G-bit 1G/512M/256M x 1/2-bit/4-bit 6ns 24-Pin TBGA复制
库存 :
5000(起订量2500,增量2500)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
49.28
按整 :
托盘(1托盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
2500+
¥49.28
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产品参数
产品手册
产品概述

MT25QL01GBBB8E12-0SIT参数

接口类型SPI存储容量1Gbit
时钟频率(fc)133MHz工作电压2.7V~3.6V
擦写寿命100000次页写入时间(Tpp)120us
数据保留 - TDR(年)20年工作温度-40℃~+85℃

MT25QL01GBBB8E12-0SIT手册

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MT25QL01GBBB8E12-0SIT概述

MT25QL01GBBB8E12-0SIT 产品概述

一、产品简介

MT25QL01GBBB8E12-0SIT 是 Micron(镁光)系列的 SPI NOR Flash 器件,容量 1Gbit,支持标准 SPI、Dual SPI 及 Quad SPI 模式。器件工作电压范围为 2.7V ~ 3.6V(3.0V/3.3V 典型应用),最高时钟频率可达 133MHz,适用于对代码存储、引导、固件升级和数据记录有高可靠性与高性能要求的嵌入式系统。

二、主要性能参数

  • 存储容量:1 Gbit(另有 512M/256M 等密度选项)
  • 接口类型:SPI / Dual SPI / Quad SPI(x1/x2/x4-bit I/O)
  • 最大时钟频率:133 MHz
  • 工作电压:2.7 V ~ 3.6 V
  • 页编程时间(Tpp):约 120 μs(典型)
  • 擦写寿命:100,000 次(擦写/块)
  • 数据保持(TDR):20 年
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 访问时间 / 速率指标:6 ns(规格表项,取决于读取模式与时钟)
  • 封装:24-T-PBGA(6x8)

三、功能与特性

  • 支持标准 SPI 指令集并向下兼容常见控制器,便于系统移植和软件开发。
  • Dual/Quad I/O 模式显著提高顺序读性能,降低读取延迟与总线占用。
  • 灵活的容量与 I/O 组织(1G/512M/256M,x1/x2/x4)满足不同吞吐与成本需求。
  • 快速页写入与高耐久性设计,适合频繁固件更新与日志记录场景。
  • 工业级温度范围与长期数据保持,适用于车载、工业控制与通信设备。

四、封装与布局

器件采用 24 引脚 T-PBGA(6×8 mm)封装,适合表面贴装工艺。尺寸紧凑,便于在空间受限的 PCB 上放置。封装引脚排列与热散设计可满足常见布局和信号完整性要求。

五、可靠性与寿命

器件提供高达 100,000 次的单块擦写寿命,典型数据保持能力为 20 年,适合长期部署的嵌入式系统。Micron 的制造与测试流程保证硅片一致性与耐用性,满足工业级可靠性需求。

六、典型应用场景

  • MCU/MPU 引导闪存与固件存储(Boot ROM)
  • 网络与通信设备的固件与配置存储
  • 工业控制与物联网终端的程序与日志保存
  • 汽车电子(经温度筛选后)及车载信息娱乐系统的非易失性存储

七、设计与使用建议

  • 在启用 Quad/高速模式时,注意 PCB 布线、接地与去耦,保证信号完整性。
  • 根据应用评估写入/擦写次数与 wear-leveling 策略,必要时实现坏块管理或分区保护。
  • 依据电源上电/下电顺序与复位要求,参考 Micron 数据手册设定片选与复位时序。
  • 开发阶段建议使用支持 SPI NOR 的烧录器/调试器进行功能验证与可靠性测试。

如需完整电气特性、命令集、时序图和参考电路,请参阅 Micron 官方数据手册或联系供应商获取原厂文档与支持。