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BLM15BB100SN1D 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BLM15BB100SN1DRoHS
商品编码:
BM0259372094复制
品牌:
muRata(村田)复制
封装:
0402复制
包装:
编带复制
重量:
0.012g复制
描述:
磁珠 10Ω@100MHz 100mΩ ±25% 300mA 0402复制
产品参数
产品手册
产品概述
BLM15BB100SN1D参数
属性
参数值
阻抗@频率10Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)100mΩ
属性
参数值
额定电流300mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃
BLM15BB100SN1D手册
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无数据
BLM15BB100SN1D概述

BLM15BB100SN1D 产品概述

BLM15BB100SN1D是村田(muRata)推出的0402封装高频抑制磁珠,专为电子电路的EMI/RFI(电磁干扰/射频干扰)滤波设计,兼具小体积、低直流损耗与宽温适应性,适配消费电子、可穿戴设备及工业控制等高密度电路场景。

一、产品定位与核心属性

该磁珠属于村田BLM15系列(0402封装),核心定位为中高频(100MHz频段)噪声抑制元件,通过精准阻抗特性针对特定干扰频段滤波,同时兼顾直流损耗控制与电流承载能力,适配对空间、功耗敏感的小型化电路设计。

二、关键电气参数解析

1. 阻抗特性(核心滤波指标)

磁珠阻抗是抑制交流噪声的核心参数,BLM15BB100SN1D的阻抗为10Ω±25%@100MHz

  • 100MHz是电子设备常见干扰频段(如射频电路时钟谐波、数字电路噪声),该阻抗可有效衰减此频段内的干扰;
  • ±25%误差符合工业级元件精度要求,选型需结合电路干扰裕量调整。

2. 直流电阻(DCR)

直流电阻为100mΩ,属于低DCR设计:

  • 低DCR可显著降低磁珠在直流信号/电源路径中的损耗,避免影响电路直流偏置或电源效率;
  • 适配低功耗设备(如可穿戴设备、小型传感器),减少不必要能量消耗。

3. 额定电流

额定电流为300mA,即磁珠允许通过的最大直流电流:

  • 超过该电流会导致磁饱和,阻抗急剧下降,失去滤波能力甚至过热损坏;
  • 选型建议实际工作电流预留20%~30%裕量(如≤240mA),确保长期可靠性。

三、封装与物理特性

BLM15BB100SN1D采用0402封装(英制:0.04×0.02英寸,公制1005):

  • 体积小巧,适配高密度PCB设计(如智能手机主板、智能手环模块),节省电路空间;
  • 村田封装工艺优化焊接兼容性,支持回流焊、波峰焊等常规SMT工艺,焊接可靠性高;
  • 封装材质符合RoHS、无卤素环保标准,满足绿色产品设计要求。

四、典型应用场景

结合参数特性,该磁珠适用于:

  1. 消费电子:智能手机、平板电脑的蓝牙/WiFi模块、音频电路EMI滤波,抑制100MHz频段噪声;
  2. 可穿戴设备:智能手环、手表的低功耗传感器电路、电源路径滤波,小封装匹配设备空间;
  3. 工业控制:小型PLC模块、传感器节点的辅助电路EMI抑制,宽温范围适应工业极端温度;
  4. 物联网终端:低功耗通信电路的干扰滤波,提升信号稳定性。

五、环境适应性说明

BLM15BB100SN1D的工作温度范围为-55℃~+125℃,具备宽温适应性:

  • 覆盖低温(户外设备冬季环境)与高温(工业机箱内部)场景,无需额外降额;
  • 村田宽温磁珠可靠性经过验证,满足长期恶劣环境下的稳定工作需求。

六、选型与使用注意事项

  1. 干扰频段匹配:需确认电路主要干扰频段是否集中在100MHz左右,偏离较大时需换选对应阻抗点磁珠;
  2. 电流裕量设计:实际工作电流需低于300mA,留足裕量避免磁饱和;
  3. 焊接工艺:0402封装需注意SMT参数(如回流焊温度曲线),避免焊接缺陷;
  4. 串联/并联应用:如需更高阻抗可串联2只,更大电流可并联2只,但需注意空间占用;
  5. 存储要求:建议存储在干燥、常温环境,避免长期暴露于高湿度或高温下。

BLM15BB100SN1D凭借精准阻抗、小体积封装与宽温适应性,成为高密度电路中抑制100MHz频段EMI的理想选择,可有效提升设备电磁兼容性(EMC)。

最新价格

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