NLV14043BDR2G 产品实物图片
NLV14043BDR2G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NLV14043BDR2G

商品编码: BM0262178745复制
品牌 : 
ON(安森美)复制
封装 : 
16-SOIC复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
1g复制
描述 : 
锁存器 NLV14043BDR2G SOIC-16复制
库存 :
0(起订量1,增量1)复制
批次 :
-复制
数量 :
X
1.23
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圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
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¥1.23
--
2500+
¥1.16
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

NLV14043BDR2G参数

输出类型三态工作电压3V~18V
通道数4拉电流(IOH)8.8mA
灌电流(IOL)8.8mA传播延迟(tpd)60ns
系列4000B工作温度-55℃~+125℃

NLV14043BDR2G手册

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NLV14043BDR2G概述

NLV14043BDR2G 产品概述

一、器件简介

NLV14043BDR2G 是 ON Semiconductor 提供的一款四通道锁存器(latch),封装为 16-SOIC,隶属 4000B 系列。器件具有三态输出能力,适用于总线接口与数据暂存场合,工作电压范围宽(3V–18V),工作温度范围广(-55℃ 至 +125℃),可满足多种工业与电源受限应用需求。

二、主要参数速览

  • 输出类型:三态(可置为高阻态,便于总线共享)
  • 通道数:4 通道
  • 工作电压:3V ~ 18V(宽电压范围便于与不同电源系统兼容)
  • 拉电流(IOH):8.8 mA
  • 灌电流(IOL):8.8 mA
  • 传播延迟(tpd):约 60 ns(典型级别,适合通用逻辑速率)
  • 系列:4000B CMOS 系列
  • 工作温度:-55℃ ~ +125℃
  • 封装:16-SOIC(工业级封装)

三、关键特性与应用价值

  • 宽电压供电:3V~18V 的工作范围使其在电池供电、单电源或多电压系统中灵活使用。
  • 三态输出:支持输出高、低及高阻三种状态,便于总线仲裁与多主系统设计。
  • 工业温度级:-55℃ 至 +125℃ 的可靠工作范围,适合工业与恶劣环境。
  • 适中驱动能力与延迟:8.8mA 驱动能力和 ~60ns 的传播延迟,适合一般数字接口与缓冲应用。

四、典型应用场景

  • 数据总线缓冲与暂存(多路数据选通、微控制器与外设间的数据锁存)
  • 总线仲裁与多片器件共享总线的场合(利用三态输出)
  • 低速外设接口、控制信号保持与寄存
  • 工业控制、仪表及电池供电系统中的逻辑隔离与暂存

五、设计与使用注意事项

  • 电源去耦:靠近 VCC/GND 放置 0.1μF 陶瓷去耦电容以抑制瞬态噪声。
  • 总线驱动:避免同时让多个输出驱动同一节点,防止短路与热耗散;使用明确的片选/使能逻辑。
  • 驱动能力限制:IOH/IOL 为 8.8mA,若负载较大需外接驱动器或使用驱动级级联。
  • 信号速率与时序:考虑约 60ns 的传播延迟及输出上升/下降时间,确保时序裕量。
  • 保护与可靠性:必要时在输入端加限流/抑制电路以提高抗静电与浪涌能力;高温下应关注功耗与热管理。
  • 封装与走线:SOIC-16 常见于通用 PCB,布线时保证关键信号回流路径铺铜,减小串扰。

六、选型建议与后续

NLV14043BDR2G 适合对工作电压范围和工作温度有较高要求但对输出驱动和速度要求适中的应用。如需更高驱动电流、更低延迟或特殊功能(如上拉/下拉内置、隔离特性),建议参考厂商同类器件或更高规格的缓冲/驱动器产品。最终设计前请查阅 ON Semiconductor 官方数据手册以获取完整的引脚定义、时序图和电气特性,以保证在目标应用中的正确使用与可靠性。