
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥;低边;高边 |
| 隔离电压(Vrms) | 5700 |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET |
| 通道数 | 2 |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
| 上升时间(tr) | 16ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns |
| 传播延迟 tpLH | 40ns |
| 传播延迟 tpHL | 40ns |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2V |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.25V |
| 静态电流(Iq) | 2mA |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us |
| 驱动侧工作电压 | 6V~18V |

UCC21540ADWKR是德州仪器(TI)针对中高压功率器件推出的高性能隔离式栅极驱动器,采用半桥驱动架构集成高边与低边通道,专为IGBT和MOSFET功率开关设计,具备宽电压范围、强驱动能力与工业级可靠性,可满足多种功率管理场景的需求。
作为一款2通道隔离栅极驱动器,UCC21540ADWKR的核心定位是为中高压功率拓扑提供安全、高效的栅极控制。其基础特性包括:
UCC21540ADWKR的性能参数针对功率应用的核心痛点优化,关键指标如下:
输入高电平(VIH)1.6V2V、低电平(VIL)0.8V1.25V,兼容3.3V/5V逻辑电平,可直接与主流单片机、FPGA等控制芯片对接,无需额外电平转换。
UCC21540ADWKR采用14-SOIC小型封装,体积紧凑,适合高密度PCB布局,可降低系统尺寸与成本。其可靠性设计针对工业场景优化:
UCC21540ADWKR的性能特性使其适用于多种中高压功率应用:
UCC21540ADWKR作为TI推出的高性能隔离栅极驱动器,凭借高隔离电压、强驱动能力、宽工作范围与工业级可靠性,成为中高压功率管理场景的理想选择。其简化的半桥驱动架构、兼容主流控制逻辑与紧凑封装,可帮助工程师快速实现高效、安全的功率系统设计,适用于电机驱动、光伏、电源等多个领域。