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UCC21550CDWKR 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UCC21550CDWKR

RoHS
商品编码:
BM0265125529复制
品牌:
TI(德州仪器)复制
封装:
SOIC-16复制
包装:
编带复制
重量:
0.304g复制
描述:
4A/6A, 5-kVRMS dual-channel isolated gate driver with DIS and DT pins for IGBT复制
数据手册

UCC21550CDWKR参数

属性
参数值
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型MOSFET、IGBT、SiC、GaN
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃
属性
参数值
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
静态电流(Iq)2mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压13.5V~25V
功能特性死区时间控制

UCC21550CDWKR手册

UCC21550CDWKR概述

UCC21550CDWKR 产品概述

一、产品简介

UCC21550CDWKR 是 TI(德州仪器)推出的一款双通道隔离栅极驱动器,专为半桥拓扑设计,提供 5 kVRMS 绝缘等级。器件支持宽输入逻辑电平(3V5.5V)和可调驱动侧电源(13.5V25V),通过 DIS 与 DT 引脚实现快速失能与死区时间控制,适用于 IGBT、MOSFET 以及碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等功率器件驱动。

二、主要参数

  • 通道数:2(半桥配置)
  • 隔离电压:5 kVRMS
  • 输入侧工作电压:3V ~ 5.5V
  • 驱动侧工作电压:13.5V ~ 25V
  • 输出能力:上拉 IOH = 4A, 下拉 IOL = 6A
  • 上升/下降时间:tr = 8ns,tf = 8ns
  • 传播延迟:tpLH = 33ns,tpHL = 33ns
  • 静态电流:Iq = 2mA
  • CMTI(共模瞬态抗扰度):125 kV/µs
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOIC-16(封装代码 CDWKR)
  • 功能:DIS(失能)与 DT(死区时间)引脚支持

三、关键功能与优势

  • 高隔离强度:5 kVRMS 满足高压侧与控制侧的安全隔离要求,适合中高压电源和逆变器系统。
  • 大电流驱动能力:4A/6A 的上/下拉能力能够快速充放电栅容,降低开关过渡时间和开关损耗,对 SiC/GaN 器件尤为重要。
  • 快速响应与确定性延迟:8ns 上/下降时间和 33ns 的传播延迟有利于精准同步与时序控制,提高系统开关性能。
  • 高共模抗扰度:125 kV/µs 的 CMTI 提高在高 dv/dt 条件下的鲁棒性,减少误触发风险。
  • 可控死区与失能:DT 引脚可实现外部死区调节以避免直通,DIS 引脚用于快速关闭驱动以增加保护灵活性,适配 IGBT 等器件的保护需求。

四、典型应用场景

  • 电机驱动逆变器(中高压)
  • 太阳能逆变器与储能功率变换器
  • 服务器与通信电源隔离驱动
  • 高性能 SiC/GaN 开关电源与开关转换器
  • 工业变频与软启动模块

五、使用建议与注意事项

  • 电源旁路:驱动侧 VCC 与逻辑侧 VCC 需在封装引脚附近并靠近驱动芯片放置低 ESR 陶瓷电容进行旁路,抑制瞬态电流。
  • 布局与回路:尽量缩短栅极驱动回路(驱动器→栅阻→功率栅→开关回流路径),减小寄生电感以降低过冲与振铃。
  • 死区与保护:合理设置 DT 引脚死区以避免上下管同时导通;结合 DIS 引脚实现故障情况下的快速失能。
  • 器件匹配:根据功率器件的栅电容与开关速度选取合适的外部栅电阻,平衡开关损耗与 EMI。
  • 热管理:虽然器件工作温度可达 +150 ℃,但在高频高电流条件下仍需关注封装散热与 PCB 导热设计。

总体而言,UCC21550CDWKR 以其高隔离等级、强劲瞬态驱动能力和死区/失能控制特性,适合要求高可靠性和高速开关的现代功率转换系统。

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