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STD40NF10 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STD40NF10

RoHS
商品编码:
BM0265523986复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
DPAK复制
包装:
编带复制
重量:
0.414g复制
描述:
场效应管(MOSFET) 125W 100V 50A 1个N沟道 DPAK复制
数据手册

STD40NF10参数

属性
参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)46.5nC
属性
参数值
输入电容(Ciss)2.18nF
反向传输电容(Crss)83.7pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)298pF
栅极电压(Vgs)±20V

STD40NF10手册

STD40NF10概述

STD40NF10 N沟道MOSFET产品概述

一、核心身份与厂商背景

STD40NF10是意法半导体(ST) 推出的单N沟道功率MOSFET,属于中高压大电流功率器件范畴,采用DPAK(TO-252)表面贴装封装,广泛应用于工业、汽车及消费电子领域的开关与驱动场景。作为ST功率器件产品线的经典型号,其以高可靠性、低损耗特性适配各类严苛应用环境。

二、关键电气参数解析

STD40NF10的核心参数直接决定应用边界,以下是关键参数的实际意义:

  1. 漏源电压(Vdss):最大额定值100V,为漏极-源极间允许的最高直流电压,适配48V、60V等中高压系统;
  2. 连续漏极电流(Id):25℃环境下连续工作电流达50A,是长期稳定输出的电流上限,满足大电流负载控制需求;
  3. 导通电阻(RDS(on)):栅极电压(Vgs)=10V、漏极电流(Id)=25A时,导通电阻仅28mΩ——低导通电阻是核心优势,可显著降低导通损耗(P=I²R),减少发热并提升系统效率;
  4. 耗散功率(Pd):封装允许的最大耗散功率125W,需配合散热设计(如PCB散热焊盘、小型散热片)确保长期稳定;
  5. 电容特性:输入电容(Ciss)=2.18nF(Vgs=25V时),反向传输电容(Crss)=83.7pF——Ciss低保证开关响应快,Crss适中减少米勒效应带来的开关振荡;
  6. 工作温度范围:-55℃至+175℃宽温,适配汽车发动机舱、工业低温车间等极端环境,满足严苛可靠性要求。

三、封装形式与物理特性

STD40NF10采用DPAK(TO-252) 表面贴装封装,具备以下特点:

  • 引脚设计:3脚(漏极D、源极S、栅极G),源极带额外散热焊盘,可通过PCB铜箔增强散热;
  • 贴装兼容性:表面贴装适配自动化SMT生产,无需额外插件工序;
  • 空间优势:体积紧凑,节省PCB面积,适合高密度电路设计。

四、典型应用场景

结合参数特性,STD40NF10的典型应用包括:

  1. 工业电源:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器(如24V→12V大电流模块)、UPS逆变/整流单元;
  2. 汽车电子:车载充电器(OBC)、小功率直流电机驱动(车窗、座椅电机)、LED大灯驱动、BMS开关元件;
  3. 消费电子:65W及以上大功率快充、移动电源升压电路、大功率LED照明驱动;
  4. 电动工具:电钻、电锤等工具的电机控制,适配工具宽温与振动环境。

五、产品优势总结

STD40NF10的核心优势可归纳为三点:

  • 低损耗高效率:28mΩ导通电阻大幅降低导通损耗,125W耗散功率减少散热需求;
  • 宽温高可靠:-55℃~+175℃工作范围及ST成熟工艺,确保极端环境下长期稳定;
  • 开关性能平衡:电容参数兼顾开关速度与抗干扰能力,适配高频/低速开关场景。

六、选型与应用注意事项

  1. 栅极驱动:建议Vgs控制在8V~20V之间,8V以上保证充分导通,20V以下避免栅极击穿;
  2. 散热设计:大电流(近50A)时,PCB源极散热焊盘需预留≥10cm²铜箔,或加装小型散热片;
  3. 保护措施:需配合过流保护(保险丝、电流传感器),避免峰值电流过高损坏器件;
  4. 去耦电容:开关应用中需在输入/输出端并联电容,减少开关噪声干扰。

STD40NF10凭借平衡的电气性能与可靠的封装设计,成为中高压大电流应用的高性价比选择,适配多领域功率控制需求。

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