
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
BUK7K6R8-40E,115

- 商品编码: BM0265711935复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: LFPAK56D复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.119g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 64W 40V 40A 2个N沟道复制
BUK7K6R8-40E,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@20V |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 324pF |
BUK7K6R8-40E,115手册
BUK7K6R8-40E,115概述
BUK7K6R8-40E,115 产品概述
一、产品简介
BUK7K6R8-40E,115 是由 Nexperia(安世)生产的一款高性能 N-通道场效应管(MOSFET),能够在多种应用场景下提供优越的电气性能。该器件采用表面贴装型封装(LFPAK56D),在小型化和高效能方面表现出色,尤其适合用于电源管理、马达驱动、DC-DC 转换以及其他需要高电流和低导通电阻的应用。
二、主要规格
- 装置类型:双 N-通道MOSFET
- 封装形式:LFPAK56D(SOT-1205)
- 最大漏源电压(Vdss):40V
- 连续漏极电流(Id):40A
- 导通电阻(Rds(on)):最大6.8毫欧 @ 20A,10V
- 最大功率处理能力:64W
- 输入电容(Ciss):最大1947pF @ 25V
- 栅极电荷(Qg):最大28.9nC @ 10V
- 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 1mA
- 工作温度范围:-55°C ~ 175°C
三、特点与优势
低导通电阻:BUK7K6R8-40E,115 的最大导通电阻为6.8毫欧,使其在高电流负载下发热降低,提升了整体效率。此特性对于电源电路和马达驱动来说尤为重要,能够显著降低能量损耗。
高温稳定性:该MOSFET支持宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C的性能保证,使其能够在苛刻的环境条件下运行,适合于汽车、工业和航空航天领域的应用。
节省空间:其表面贴装型的设计,配合小型化封装,使其在需要高密度排列的电路板上显得尤为重要。可以有效降低PCB面积,提高设备的集成度。
快速开关特性:BUK7K6R8-40E,115 的栅极电荷/Qg值较低,所需的驱动电流较小,能够实现快速的开关频率。这一特性对于开关电源、RF放大器和其他高频应用来说极其重要。
四、应用场景
BUK7K6R8-40E,115 广泛应用于:
- 电源管理:用于开关电源、DC-DC转换器等模块,以精准控制能量转换与分配。
- 马达驱动:适用于各类直流电机或步进电机驱动电路,有效提升扭矩和能效。
- LED驱动:可用于高效LED驱动电路,尤其是在车载照明和室内照明方面。
- 功率放大器:在高功率射频(RF)放大器中,优化信号放大效率,增加整体系统性能。
- 逆变器:在太阳能逆变器等应用中,允许更高的电流传输,从而有效提高能效比。
五、总结
BUK7K6R8-40E,115 是一款高效、高可靠的N-通道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和优化的开关特性,使之成为电源管理、电机控制以及各种高性能应用的理想选择。凭借 Nexperia 的品牌保障和精湛的工艺,该器件能够满足现代电子设备对高性能、可靠性和小型化的需求,适合广泛的市场应用。
最新价格
梯度
单价(含税)
1500+
¥0.9655
库存/批次
库存
批次
22042500复制
下单后确认复制
5-10 工作日内发货
购买数量起订量:1500,增量:1
单价¥0.9655
合计:¥0



