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AS4C256M16D3LC-12BCN 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AS4C256M16D3LC-12BCN

RoHS
商品编码:
BM0266723445复制
品牌:
Alliance Memory复制
封装:
FBGA-96(7.5x13.5)复制
包装:
托盘复制
重量:
0.001g复制
描述:
SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-(256M-x-16)-并联-800MHz-20ns-96-FBGA(7.5x13.5)复制
数据手册

AS4C256M16D3LC-12BCN参数

属性
参数值
存储器构架(格式)DDR3L SDRAM
时钟频率(fc)933MHz
存储容量4Gbit
属性
参数值
工作电压1.283V~1.45V
工作温度0℃~+95℃
功能特性写入均衡功能;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能

AS4C256M16D3LC-12BCN手册

AS4C256M16D3LC-12BCN概述

AS4C256M16D3LC-12BCN SDRAM DDR3L产品概述

一、产品核心定位与架构

AS4C256M16D3LC-12BCN是Alliance Memory推出的低功耗DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),专为高带宽性能与低功耗需求的平衡设计,属于4Gbit容量级产品。其核心架构采用256M×16bit的存储组织方式,支持多颗并联扩展容量,可灵活适配从嵌入式设备到中高端通信系统的不同存储需求,同时兼顾空间紧凑性与数据传输效率。

二、关键参数详解

1. 容量与组织方式

单颗存储容量为4Gbit(等效512MB),通过256M×16bit内部组织实现——即256兆个16位数据单元,既满足单颗独立使用的容量需求,也支持多颗并联(如×2、×4)扩展至更高容量(如1GB、2GB),适配多样化系统设计。

2. 时钟与数据速率

基础参数时钟频率达933MHz,DDR3L采用双倍数据速率(DDR) 传输技术(时钟上升沿+下降沿均可传输数据),对应最高数据速率可达1866Mbps;同时产品支持并联配置下的800MHz时钟(数据速率1600Mbps),可根据系统设计灵活选择,兼顾性能与兼容性。

3. 电压与功耗特性

工作电压范围为1.283V~1.45V,符合DDR3L低电压标准(区别于DDR3的1.5V),相比传统DDR3可降低约15%的功耗,有效减少系统散热负担,延长便携设备电池续航,也适合对功耗敏感的工业/通信设备。

4. 访问时间

典型随机访问时间为20ns,确保数据读写响应迅速,可满足工业控制、实时通信等对低延迟有要求的应用场景,避免数据处理滞后。

三、封装与物理特性

产品采用96引脚FBGA封装,封装尺寸为7.5mm×13.5mm,属于小尺寸高密度封装,具有以下优势:

  • 引脚间距紧凑,减少PCB占用面积,适配小型化设备(如物联网模块、车载电子);
  • 热性能良好,配合宽温特性可稳定运行于 harsh环境;
  • 引脚布局优化,便于系统布线与信号完整性设计。

四、环境适应性

工作温度范围覆盖0℃~+95℃,属于工业级宽温范围,可适应以下场景:

  • 工厂自动化设备(车间温度波动);
  • 户外通信基站(昼夜温差、季节变化);
  • 车载电子(车内温度变化);
  • 工业级嵌入式系统( harsh环境下的稳定运行)。

该宽温特性可有效避免温度变化导致的存储性能波动或故障,提升系统可靠性。

五、典型应用场景

1. 工业控制与自动化

如PLC(可编程逻辑控制器)、机器人控制器、工业传感器网关等,需宽温运行、低延迟与高带宽,该产品的20ns访问时间与宽温特性可满足实时数据采集与处理需求。

2. 通信设备

如5G基站基带单元、路由器、交换机、光纤收发器等,需高容量存储与低功耗,小封装适配设备小型化趋势,并联扩展能力支持更高容量需求。

3. 嵌入式系统

如智能家居网关、车载信息娱乐系统、物联网边缘节点等,低功耗特性延长设备待机时间,小封装便于集成到紧凑硬件设计中。

4. 消费电子

如轻薄笔记本电脑、平板设备(部分低功耗型号),DDR3L的低电压特性降低整机功耗,提升续航能力,同时满足日常办公与娱乐的存储需求。

六、品牌与可靠性保障

Alliance Memory是全球知名存储器件供应商,在SDRAM、DDR系列产品上拥有超过20年设计与制造经验。AS4C256M16D3LC-12BCN经过严格可靠性测试(温度循环、湿度老化、振动测试等),符合JEDEC DDR3L标准与工业级要求,可确保长期稳定运行,降低系统维护成本。

该产品通过平衡性能、功耗、空间与可靠性,成为多领域系统设计的理想存储选择。

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