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商品分类

首页>商品目录>存储器>DDR SDRAM

DDR SDRAM

展示方式：

品牌

FORESEE(江波龙)

Gigadevice(北京兆易创新)

ISSI(美国芯成)

NANYA(南亚)

SAMSUNG(三星)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

FBGA-200

FBGA-96

FBGA-96(3.1x16)

FBGA-96(7.5x13.3)

FBGA-96(9x14)

存储器构架(格式)

DDR3 SDRAM

DDR3L SDRAM

DDR4 SDRAM

LPDDR4X SDRAM

存储容量

1Gbit

2Gbit

32Gbit

4Gbit

8Gbit

时钟频率(fc)

1.066GHz

1.333GHz

1.6GHz

2.133GHz

800MHz

工作电压

1.14V~1.26V

1.283V~1.45V

1.2V

1.35V

1.35V~1.5V

工作电流

130mA

46mA

55mA

56mA

57mA

刷新电流

12mA

14mA

2mA

30mA

8.6mA

工作温度

-25℃~+85℃

-40℃~+95℃

0℃~+95℃

功能特性

CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

编带

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

W634GU6RB-11复制

品牌：WINBOND(华邦)复制

封装：VFBGA-96(13x7.5)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：动态随机存取存储器 4Gb DDR3L 1.35V S动态随机存取存储器, x16,复制

库存：234复制

最小包 : 1584复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥95.04

1584+￥95

量大可议价

合计￥95.04

K4UBE3D4AB-MGCL复制

品牌：SAMSUNG(三星半导体)复制

封装：FBGA-200复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：LPDDR4X SDRAM复制

时钟频率(fc)：2.133GHz复制

存储容量：32Gbit复制

工作电压：570mV~650mV复制

描述：-

库存：108复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥529.36

2000+￥520

量大可议价

合计￥529.36

F60C1A0002-M69W复制

品牌：FORESEE(江波龙)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：2Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业DDR3、工业宽温DDR3、工规DDR3、工规宽温DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON、工业级复制

库存：94复制

最小包 : 209复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥82

209+￥80

量大可议价

合计￥82

K4A8G165WC-BCTD复制

品牌：SAMSUNG(三星半导体)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR4 SDRAM复制

时钟频率(fc)：1.333GHz复制

存储容量：8Gbit复制

工作电压：1.14V~1.26V复制

描述：-

库存：39复制

最小包 : 1120复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：23+

1+￥241.57

1120+￥237.3

量大可议价

合计￥241.57

MT41K128M16JT-125 IT:K复制

品牌：micron(镁光)复制

封装：TFBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：800MHz复制

存储容量：2Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA复制

库存：20复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：23+

1+￥81.6

2000+￥80

量大可议价

合计￥81.6

MT41K256M16HA-125:E复制

品牌：micron(镁光)复制

封装：FBGA-96(9x14)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：800MHz复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：SDRAM DDR3L 存储器 IC 4Gb 并联 800 MHz 13.75 ns复制

库存：1复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：18+

1+￥112.14

2000+￥110.16

量大可议价

合计￥112.14

K4B2G1646F-BYMA复制

品牌：SAMSUNG(三星)复制

封装：FBGA-96(7.5x13.3)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：2Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：动态随机存取存储器(DRAM) K4B2G1646F-BYMA复制

库存：1复制

最小包 : 112复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：23+

1+￥65.18

112+￥63.6

量大可议价

合计￥65.18

K4B4G1646E-BCMA复制

品牌：SAMSUNG(三星)复制

封装：FBGA-96(3.1x16)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3 SDRAM复制

时钟频率(fc)：1.066GHz复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.425V~1.575V复制

描述：DDRSDRAM K4B4G1646E-BCMA复制

库存：1复制

最小包 : 112复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：18+

1+￥18.54

112+￥18

量大可议价

合计￥18.54

GDP2BFLM-CB复制

品牌：Gigadevice(北京兆易创新)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.35V~1.5V复制

工作温度：0℃~+95℃复制

描述：-

库存：1复制

最小包 : 1980复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：24+

1+￥56.67

1620+￥55.55

量大可议价

合计￥56.67

MT41K64M16TW-107 IT:J复制

品牌：micron(镁光)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：1Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin FBGA复制

库存：1复制

最小包 : 1368复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：23+

1+￥32.8

1368+￥32

量大可议价

合计￥32.8

SCB13H4G160AF-11M复制

品牌：UNILC(紫光国芯)复制

封装：PG-TFBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

复制

描述：-

库存：1复制

最小包 : 1080复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：23+

1+￥37.53

1080+￥36.61

量大可议价

合计￥37.53

MT40A512M16LY-062E IT:E复制

品牌：micron(镁光)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR4 SDRAM复制

时钟频率(fc)：1.6GHz复制

存储容量：8Gbit复制

工作电压：1.14V~1.26V复制

描述：DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin FBGA复制

库存：0复制

最小包 : 1080复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

1+￥17.53

1080+￥17.1

量大可议价

合计￥17.53

IS43TR16256BL-107MBLI复制

品牌：ISSI(美国芯成)复制

封装：TWBGA-96(9x13)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.283V~1.45V复制

描述：4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96复制

库存：0复制

最小包 : 190复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

1+￥103.94

190+￥101.7

量大可议价

合计￥103.94

IS43TR16640CL-125JBLI复制

品牌：ISSI(美国芯成)复制

封装：TWBGA-96(9x13)复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3 SDRAM复制

时钟频率(fc)：800MHz复制

存储容量：1Gbit复制

工作电压：1.5V复制

描述：SDRAM-DDR3L-存储器-IC-1Gb-（64M-x-16）-并联-800MHz-20ns-96-TWBGA（9x13）复制

库存：0复制

最小包 : 190复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

1+￥51.25

190+￥50

量大可议价

合计￥51.25

NT5AD256M16E4-JRI复制

品牌：NANYA(南亚)复制

封装：TFBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR4 SDRAM复制

时钟频率(fc)：1.6GHz复制

存储容量：4Gbit复制

工作电压：1.2V复制

描述：特性：数据完整性。由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。按存储体组分离的IO门控结构。自刷新中止。精细粒度刷新-信号同步复制

库存：0复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

1+￥161.09

2000+￥158.25

量大可议价

合计￥161.09

MT41K512M16VRP-107 IT:P复制

品牌：micron(镁光)复制

封装：FBGA-96复制

类目：DDR SDRAM

￥12领取

数据手册复制

存储器构架(格式)：DDR3L SDRAM复制

时钟频率(fc)：933MHz复制

存储容量：8Gbit复制

工作电压：1.35V复制

描述：DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA Tray复制

库存：0复制

最小包 : 2000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

1+￥171.03

2000+￥168

量大可议价

合计￥171.03