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2N7002ET1G产品品牌-产品参数-产品价格
2024-09-26 13:55:100

  2N7002ET1G产品品牌

  安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效联接、感知、电源管理、模拟、逻辑、时序、分立及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。

  2N7002ET1G产品参数

产品分类

MOSFETs

 

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5欧姆@240mA,10V

阈值电压

2.5V@250µA

连续漏极电流

260mA

配置

单路

原始制造商

ON Semiconductor

原产国家

America

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

2.90 x 1.30mm

高度

1.11mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

60V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

2.9pF

充电电量

0.81nC

功率耗散

300mW

  2N7002ET1G产品价格

品牌 : DIODES(美台)
封装 : SOT23
包装 : 编带
重量 : 0.028g
描述 : 场效应管(MOSFET) 370mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-23
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.522
--
200+
¥0.174
--
1500+
¥0.109
--

  产品价格仅参考价,具体价格请咨询客服

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