三星10a DRAM工艺首颗工作芯片问世，4F²单元架构锁定2028年量产
DRAM制程微缩进入亚10纳米世代后，存储单元的结构与材料正面临根本性变革。据韩媒The Elec消息，三星电子在今年3月利用其内部定义的"10a"DRAM工艺生产了12英寸晶圆，并在随后的器件特性测试中成功确认了工作芯片。这颗芯片被视为三星通向下一代超高密度DRAM的关键技术验证载体，标志着后1b纳米时代的竞争进一步白热化。
与当前主流的1b（约12纳米级）制程相比，10a属于首次明确指向亚10纳米级的DRAM技术平台。消息指出，三星在该平台上大胆引入了4F²方形单元布局，取代沿用多年的6F²设计，同时配合垂直电容晶体管结构，以期在更小的平面面积内维持充足的存储电容。这两项技术的组合若成功量产，有望在不依赖EUV光刻机极致分辨率的前提下，实现单位晶圆比特密度30%以上的提升。
三星的10a DRAM进程并非孤立事件。该公司近年持续加码VCT、无电容的单晶体管DRAM以及3D堆叠DRAM等探索性路线，而此次10a工作芯片的产出，说明4F²+VCT方案已从纸面仿真走向硅验证。消息人士分析，三星目前内部将10a制程的量产里程碑初步锁定在2028年，这也意味着从工作芯片到工程样品、再到风险量产仍需攻克蚀刻均匀性、漏电控制以及新材料的界面工程等多重挑战。
业界观察认为，若三星率先跨越亚10纳米DRAM的"死亡之谷"，不仅将重新拉开与竞争者的技术差距，更可能改变HBM4之后高带宽内存的物理架构。不过，考虑到存储市场对成本的高度敏感，4F²单元能否在量产良率上匹配现有成熟工艺，仍将是决定10a世代按时落地的核心变量。
