
UMW(友台半导体)
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型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.2A复制
导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.2A 1个P沟道复制
库存:955698复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.12765
3000+¥0.11322
合计¥0.13
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):5.8A复制
导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制
库存:901822复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1288
3000+¥0.11424
合计¥0.13
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输出极性:正极复制
工作电压:12V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:1A复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 12V 1A 3.3V复制
库存:599102复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.17496
2500+¥0.15228
合计¥0.17
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:24V复制
峰值脉冲电流(Ipp):20A@8/20us复制
描述:24V 夹子 20A(8/20µs) Ipp TVS 二极管 表面贴装型复制
库存:316500复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1403
3000+¥0.12444
合计¥0.14
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输出极性:正极复制
工作电压:8V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:250mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 8V 250mA 3.3V复制
库存:309962复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.080827
3000+¥0.06419
合计¥0.08
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反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:16V复制
峰值脉冲电流(Ipp):20A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):350W@8/20us复制
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) PESD3V3S2UT复制
库存:230589复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.11796
3000+¥0.0936
合计¥0.12
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输出极性:正极复制
工作电压:18V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:1A复制
描述:线性稳压器复制
库存:194697复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.16848
1000+¥0.1512
合计¥0.17
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:800mA复制
描述:通用二极管 1.1V@1A 1kV 5uA@1kV 800mA复制
库存:161448复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.048924
2000+¥0.036995
合计¥0.05
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输出极性:正极复制
工作电压:30V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:100mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 30V 100mA 3.3V复制
库存:151790复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.16848
1000+¥0.1512
合计¥0.17
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芯片类型:充电芯片复制
工作电压:4V~6.5V复制
最大充电电流:500mA复制
充电饱和电压:4.24V复制
描述:电池管理 500mA 6.5V 锂离子/聚合物复制
库存:144606复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.15972
3000+¥0.14278
合计¥0.16
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反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):3.5A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):40W@8/20us复制
描述:ESD复制
库存:116834复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.16184
3000+¥0.1428
合计¥0.16
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反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:9.8V;18.3V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):150W@8/20us复制
描述:瞬态抑制二极管 静电放电(ESD)复制
库存:109577复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1476
3000+¥0.11712
合计¥0.15
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反向截止电压(Vrwm):12V;7V复制
钳位电压:15V;25V复制
峰值脉冲功率(Ppp):150W@8/20us复制
击穿电压(VBR):7.5V;13.3V复制
描述:25V,15V 夹子 7A(8/20µs) Ipp TVS 二极管 表面贴装型复制
库存:99201复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.13068
3000+¥0.11556
合计¥0.13
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5.8V复制
钳位电压:10.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp):57.1A复制
描述:未分类复制
库存:93927复制
最小包 : 750复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1666
750+¥0.1498
合计¥0.17
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通道数:七路复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
最大输入电压(VI):30V复制
工作温度:-40℃~+85℃复制
描述:达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ 50V 七路 30V复制
库存:89590复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.37536
2500+¥0.34476
合计¥0.38
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