
UMW(友台半导体)
类目:
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 线性稳压器(LDO)
- 运算放大器
- DC-DC电源芯片
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 逻辑门
- 晶体管输出光耦
- 三极管(BJT)
- 肖特基二极管
- 栅极驱动芯片
- 可控硅输出光耦
- RS232芯片
- 快恢复/高效率二极管
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 温度传感器
- 比较器
- RS-485/RS-422芯片
- 反相器
- 栅极驱动光耦
- 精密运放
- I/O扩展器
- 模拟开关/多路复用器
- 电压基准芯片
- 逻辑输出光耦
- 监控和复位芯片
- 整流桥
- FET输入运放
- 达林顿晶体管阵列
- 开关二极管
- 电池管理
- 实时时钟(RTC)
- 通用二极管
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 555定时器/计时器
- 温控开关
- 人体感应传感器
- 继电器/线圈驱动芯片
- AC-DC控制器和稳压器
- LED驱动
- 步进电机驱动芯片
- 数码管驱动
封装:
- SOT-23
- SOP-8
- TO-252
- SOD-323
- SOT-23-5
- SOT-23-6
- SC-70-5
- SOD-523
- TO-263-5
- SOP-14
- SOT-223
- TO-220
- SOT-89-3
- SOP-16
- SMB(DO-214AA)
- TSSOP-14
- SOT-89
- SMA(DO-214AC)
- TO-263
- DIP-6
- TO-220A
- SOP-4
- SC-70-6
- SMB
- SOT23-5
- DIP-4
- DIP-8
- DO-214AC(SMA)
- SMC
- DFN-6(1X1.5)
- SOD-882
- SOT-363
- TSSOP-8
- TO-252-2
- TSSOP-16
- TO-220B
- TSSOP-24
- SOP-4-2.54MM
- SOT-23-3
- DFN-4(1X1)
- MSOP-8
- DFN1006-2
- SOIC-8
- SOP-6-6.5MM
- SMA
- TO-92
- SC70-6
- SOT-563
- SOT-323
- TO-220AC-2
- TO-252(DPAK)
- ESOP-8
- SOD-123FL
- SOT-143
- TO263-5
- MB-1
- SC70-5
- SMAF
- SOP-6
- SOT-23(TO-236)
- DFN2510-10
- MBS-1
- SO-8
- SOP-16-300MIL
- SOP-6-2.54MM
- SOT23-6
- LSOP-4
- TO-220F
- TO-263-3
- X1-SON-2(0.6X1)
- DFN-6(1X1)
- DFN3X3-8L
- DO-214AB(SMC)
- MBF
- SLP1006-2
- SLP1610-4
- SMBF
- SOIC-16-300MIL
- SOT-23-5L
- SOT223
- TSSOP-20
- VQFN-24-EP(4X4)
- DFN1610-6L
- DFN6-(1X1.5)
- DSBGA-4(0.9X0.9)
- PDFN-8(5.8X4.9)
- SMD
- SMD-4P
- SOD-523(SC-79)
- SOP-8-EP
- SOT-223-3
- SOT-223-4
- SOT-23-3L
- SOT-23-6L
- SOT-26
- SOT-353
- TO-220-3
- TO-220-5
- TO-220FP-AB
- TO-263(D²PAK)
- TO-263-5L
- TO-92-3
- WQFN-16-EP(3X3)
- X1-DFN1006-2
- DFN0603-2
- DFN6(1X1.5)
- DO-247-2
- OC-4P_4.58X6.4MM_TM
- SMC(DO-214AB)
- SOD-323F
- SOIC16_300MIL
- SOP-18-300MIL
- SOT-23-3(TO-236)
- SOT-883
- SOT-89-5
- SOT363
- TO-220F-2
- X1SON-2
- 反相器
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.2A复制
导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.2A 1个P沟道复制库存:906153复制
最小包 : 3000复制
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增量 : 1复制
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3000+¥0.110956
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):5.8A复制
导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制库存:890401复制
最小包 : 3000复制
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增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
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3000+¥0.111955
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输出极性:正极复制
工作电压:12V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:1A复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 12V 1A 3.3V复制库存:530614复制
最小包 : 2500复制
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增量 : 1复制
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批次:26+
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1+¥0.171461
2500+¥0.149234
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输出极性:正极复制
工作电压:8V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:250mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 8V 250mA 3.3V复制库存:304517复制
最小包 : 3000复制
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增量 : 1复制
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输出极性:正极复制
工作电压:18V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:1A复制
描述:线性稳压器复制库存:252247复制
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批次:26+
1+¥0.16848
1000+¥0.1512
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反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:16V复制
峰值脉冲电流(Ipp):20A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):350W@8/20us复制
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) PESD3V3S2UT复制库存:226463复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次:两年内
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:24V复制
峰值脉冲电流(Ipp):20A@8/20us复制
描述:24V 夹子 20A(8/20µs) Ipp TVS 二极管 表面贴装型复制库存:200867复制
最小包 : 3000复制
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:800mA复制
描述:通用二极管 1.1V@1A 1kV 5uA@1kV 800mA复制库存:153830复制
最小包 : 2000复制
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增量 : 1复制
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2000+¥0.036255
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输出极性:正极复制
工作电压:30V复制
输出电压:3.3V复制
输出电流:100mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 30V 100mA 3.3V复制库存:148647复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
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1000+¥0.1512
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芯片类型:充电芯片复制
工作电压:4V~6.5V复制
最大充电电流:500mA复制
充电饱和电压:4.24V复制
描述:电池管理 500mA 6.5V 锂离子/聚合物复制库存:144002复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次:两年内
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1+¥0.142296
3000+¥0.127204
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反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):3.5A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):40W@8/20us复制
描述:ESD复制库存:112005复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次:26+
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1+¥0.146608
3000+¥0.12936
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反向截止电压(Vrwm):12V;7V复制
钳位电压:15V;25V复制
峰值脉冲功率(Ppp):150W@8/20us复制
击穿电压(VBR):7.5V;13.3V复制
描述:25V,15V 夹子 7A(8/20µs) Ipp TVS 二极管 表面贴装型复制库存:97502复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
9.8折
1+¥0.128066
3000+¥0.113249
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反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:9.8V;18.3V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp):150W@8/20us复制
描述:瞬态抑制二极管 静电放电(ESD)复制库存:88261复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.1476
3000+¥0.11712
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:通用二极管 1.1V@1A 1kV 5uA@1kV 1A复制库存:83306复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
9.8折
1+¥0.042988
3000+¥0.034026
合计¥0.04
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4A复制
导通电阻(RDS(on)):52mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 350mW 30V 4A 1个N沟道复制库存:80212复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
9.8折
1+¥0.13524
3000+¥0.119952
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