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KEC

KEC

KEC半导体有限公司成立于1969年,最初名为韩国电子控股公司,专注于非存储器功率半导体的研发与制造。公司总部位于韩国首尔,经过多年的发展,KEC已经成为全球领先的半导体制造商之一。KEC的产品广泛应用于汽车、家电和通信等多个领域,致力于通过持续的技术创新和研发提升产品质量。作为韩国唯一拥有自主生产设施的中型企业,KEC在技术和制造能力上具有显著竞争优势。公司目前在中国、日本和美国等地积极扩展出口业务,并通过与全球主要分销商的合作不断扩大国际市场份额。

类目:
  • 三极管(BJT)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 数字晶体管
  • 开关二极管
  • IGBT管/模块
  • 稳压二极管
  • 监控和复位芯片
  • 电压基准芯片
  • 场效应管(MOSFET)
  • 肖特基二极管
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 运算放大器
  • 达林顿管
  • 达林顿晶体管阵列
封装:
  • SOT-23
  • TO-220IS-4
  • TO-220IS
  • DPAK
  • TO-247
  • TO-92-3
  • SOT-89-3
  • USM
  • TO-252-2(DPAK)
  • USC
  • ESC
  • TO-92
  • TO-126
  • SOT-89(SOT-89-3)
  • TO-220F
  • TO-247-3
  • TO-92L
  • USC(SOD-323)
  • ESM
  • SOT-23(SOT-23-3)
  • TO-92-2.54MM
  • SOT-23-3
  • SOT-89
  • TO-220F(TO-220IS)
  • TO-3P
  • US-6
  • SOD-323
  • TO-220-4
  • TO220F
  • TSM
  • DIP-8
  • SOT-323-3
  • TO-220
  • TO-220AB
  • TO-220F-3
  • TO-220IS(1)
  • TO-252
  • USC (SOD-323) [2.50 X 1.25 X 1.00 MM]
  • USV
  • USV(SC-70-5)
  • DPAK(3)
  • FLP-16
  • FLP-18
  • SMF
  • SOP-8T
  • SOT-23-3L
  • TO-22F
  • TO-252-2
  • TO-3P(N)
  • TO-3P(N)-E
  • TO-92-3 (FORMED LEADS)
  • TO-92L-3 (FORMED LEADS)
  • TSM(SOT-23)
  • TSV(TSOP-5)
  • USF
  • USM (SOT-323)
  • USM(SC-70-3)
  • VSM [1.20 X 1.20 X 0.55 MM]
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
2N3904S-RTK/PS 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN复制
库存:97614复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0391
3000+¥0.031
量大可议价
合计¥0.04
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KTC9013S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA NPN复制
库存:80656复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0479
3000+¥0.038
量大可议价
合计¥0.05
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2N3906S-RTK/PS 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:普通双极型晶体管(BJT)复制
库存:75050复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.0315
3000+¥0.0251
量大可议价
合计¥0.03
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2N5551S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):160V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 80@10mA,5V 350mW 160V 600mA复制
库存:41614复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.059
3000+¥0.0468
量大可议价
合计¥0.06
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KTC8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制
库存:37313复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0538
3000+¥0.0427
量大可议价
合计¥0.05
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KTC8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制
库存:177复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.052724
量大可议价
合计¥0.05
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KTC8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制
库存:186复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5折
1+¥0.05111
量大可议价
合计¥0.05
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KRC246S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
类目:数字晶体管复制
¥15领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):800mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字三极管复制
库存:22902复制
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RoHS
批次:26+
1+¥0.149
3000+¥0.132
量大可议价
合计¥0.15
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KDS184-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:开关二极管复制
¥15领取
二极管配置:1对共阴极复制
耗散功率(Pd):150mW复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
描述:开关二极管 1对共阴极 900mV@100mA 80V 100mA复制
库存:19570复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次:两年内
1+¥0.085
3000+¥0.0675
量大可议价
合计¥0.09
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KDS184-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:开关二极管复制
¥15领取
二极管配置:1对共阴极复制
耗散功率(Pd):150mW复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
描述:开关二极管 1对共阴极 900mV@100mA 80V 100mA复制
库存:969复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.0833
量大可议价
合计¥0.08
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KTC9015S-C-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) KTC9015S-C-RTK/P复制
库存:14958复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0516
3000+¥0.041
量大可议价
合计¥0.05
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KTC3209-Y-AT/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:TO-92L复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):2A复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):1W复制
描述:三极管(BJT) 1W 50V 2A NPN TO-92-3复制
库存:13888复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.399
3000+¥0.373
量大可议价
合计¥0.4
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2N5401S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):150V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 150V 600mA PNP复制
库存:13519复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0679
3000+¥0.0539
量大可议价
合计¥0.07
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KRC119S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:数字晶体管复制
¥15领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:10972复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.0785
3000+¥0.0623
量大可议价
合计¥0.08
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KTC8050S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA NPN复制
库存:10734复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0573
3000+¥0.0455
量大可议价
合计¥0.06
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KTC9014S-C-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 50V 150mA NPN复制
库存:10716复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0453
3000+¥0.036
量大可议价
合计¥0.05
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KRC105S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
类目:数字晶体管复制
¥15领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
晶体管类型:NPN复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 100mA NPN复制
库存:9822复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.104
3000+¥0.0825
量大可议价
合计¥0.1
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:8944复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0509
3000+¥0.0403
量大可议价
合计¥0.05
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:43复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.049882
量大可议价
合计¥0.05
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
类目:三极管(BJT)复制
¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:6复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5折
1+¥0.048355
量大可议价
合计¥0.05
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