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KEC

KEC

KEC半导体有限公司成立于1969年,最初名为韩国电子控股公司,专注于非存储器功率半导体的研发与制造。公司总部位于韩国首尔,经过多年的发展,KEC已经成为全球领先的半导体制造商之一。KEC的产品广泛应用于汽车、家电和通信等多个领域,致力于通过持续的技术创新和研发提升产品质量。作为韩国唯一拥有自主生产设施的中型企业,KEC在技术和制造能力上具有显著竞争优势。公司目前在中国、日本和美国等地积极扩展出口业务,并通过与全球主要分销商的合作不断扩大国际市场份额。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
2N3906S-RTK/PS 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:普通双极型晶体管(BJT)复制
库存:142550复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+0.0341
3000+0.027
量大可议价
合计0.03
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MPS8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)1.5A复制
集射极击穿电压(Vceo)25V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 25V 1.5A PNP复制
库存:129898复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.0532
3000+0.0423
量大可议价
合计0.05
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KIA78L05F-RTF/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-89(SOT-89-3)复制
输出极性正极复制
工作电压35V复制
输出电压5V复制
输出电流150mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 35V 100mA 5V复制
库存:84647复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.392
1000+0.355
量大可议价
合计0.39
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KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:82271复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0573
3000+0.0454
量大可议价
合计0.06
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KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:2复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.056154
量大可议价
合计0.06
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KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5
1+0.054435
量大可议价
合计0.05
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KTC8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)800mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制
库存:37323复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0555
3000+0.044
量大可议价
合计0.06
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KTC8550S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)800mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制
库存:854复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.05439
量大可议价
合计0.05
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KTC9014S-C-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 50V 150mA NPN复制
库存:31746复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0479
3000+0.038
量大可议价
合计0.05
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:18390复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0525
3000+0.0417
量大可议价
合计0.05
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:43复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.05145
量大可议价
合计0.05
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KTC9012S-H-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制
库存:6复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5
1+0.049875
量大可议价
合计0.05
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KRC105S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
数量1个NPN-预偏置复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
晶体管类型NPN复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 100mA NPN复制
库存:17707复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.107
3000+0.085
量大可议价
合计0.11
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KRC102S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:17236复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0647
3000+0.0514
量大可议价
合计0.06
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KRC246S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23(SOT-23-3)复制
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)800mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字三极管复制
库存:16627复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.16
3000+0.142
量大可议价
合计0.16
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KTA1504S-Y-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:三极管(BJT) 70@2mA,6V 150mW 50V 150mA复制
库存:13022复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0712
3000+0.0565
量大可议价
合计0.07
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KDS226-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
二极管配置1对串联式复制
耗散功率(Pd)150mW复制
整流电流100mA复制
直流反向耐压(Vr)80V复制
描述:开关二极管 1对串联式 900mV@100mA 80V 100mA复制
库存:12002复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0829
3000+0.0658
量大可议价
合计0.08
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KDS226-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
二极管配置1对串联式复制
耗散功率(Pd)150mW复制
整流电流100mA复制
直流反向耐压(Vr)80V复制
描述:开关二极管 1对串联式 900mV@100mA 80V 100mA复制
库存:111复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.081242
量大可议价
合计0.08
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KTD1304-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)300mA复制
集射极击穿电压(Vceo)20V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 20V 300mA NPN复制
库存:9756复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.249
3000+0.22
量大可议价
合计0.25
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KTC8050S-D-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)800mA复制
集射极击穿电压(Vceo)30V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA NPN复制
库存:8903复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0573
3000+0.0455
量大可议价
合计0.06
现在下单最快1小时发货
2N5401S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)150V复制
耗散功率(Pd)350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 150V 600mA PNP复制
库存:8315复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0699
3000+0.0555
量大可议价
合计0.07
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