KEC
KEC
类目:
- 三极管(BJT)
- 线性稳压器(LDO)
- 数字晶体管
- 开关二极管
- IGBT管/模块
- 稳压二极管
- 监控和复位芯片
- 电压基准芯片
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 运算放大器
- 达林顿管
- 达林顿晶体管阵列
封装:
- SOT-23
- TO-220IS-4
- TO-220IS
- DPAK
- TO-247
- TO-92-3
- SOT-89-3
- USM
- TO-252-2(DPAK)
- USC
- ESC
- TO-92
- TO-126
- SOT-89(SOT-89-3)
- TO-220F
- TO-247-3
- TO-92L
- USC(SOD-323)
- ESM
- SOT-23(SOT-23-3)
- TO-92-2.54MM
- SOT-23-3
- SOT-89
- TO-220F(TO-220IS)
- TO-3P
- US-6
- SOD-323
- TO-220-4
- TO220F
- TSM
- DIP-8
- SOT-323-3
- TO-220
- TO-220AB
- TO-220F-3
- TO-220IS(1)
- TO-252
- USC (SOD-323) [2.50 X 1.25 X 1.00 MM]
- USV
- USV(SC-70-5)
- DPAK(3)
- FLP-16
- FLP-18
- SMF
- SOP-8T
- SOT-23-3L
- TO-22F
- TO-252-2
- TO-3P(N)
- TO-3P(N)-E
- TO-92-3 (FORMED LEADS)
- TO-92L-3 (FORMED LEADS)
- TSM(SOT-23)
- TSV(TSOP-5)
- USF
- USM (SOT-323)
- USM(SC-70-3)
- VSM [1.20 X 1.20 X 0.55 MM]
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 40V 200mA NPN复制库存:97614复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0391
3000+¥0.031
合计¥0.04
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¥15领取
晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA NPN复制库存:80656复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0479
3000+¥0.038
合计¥0.05
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¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):200mA复制
集射极击穿电压(Vceo):40V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:普通双极型晶体管(BJT)复制库存:75050复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.0315
3000+¥0.0251
合计¥0.03
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):160V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 80@10mA,5V 350mW 160V 600mA复制库存:41614复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.059
3000+¥0.0468
合计¥0.06
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制库存:37313复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0538
3000+¥0.0427
合计¥0.05
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制库存:177复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.052724
合计¥0.05
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA PNP复制库存:186复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5折
1+¥0.05111
合计¥0.05
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数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):800mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字三极管复制库存:22902复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.149
3000+¥0.132
合计¥0.15
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二极管配置:1对共阴极复制
耗散功率(Pd):150mW复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
描述:开关二极管 1对共阴极 900mV@100mA 80V 100mA复制库存:19570复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.085
3000+¥0.0675
合计¥0.09
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二极管配置:1对共阴极复制
耗散功率(Pd):150mW复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
描述:开关二极管 1对共阴极 900mV@100mA 80V 100mA复制库存:969复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.0833
合计¥0.08
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) KTC9015S-C-RTK/P复制库存:14958复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0516
3000+¥0.041
合计¥0.05
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):2A复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):1W复制
描述:三极管(BJT) 1W 50V 2A NPN TO-92-3复制库存:13888复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.399
3000+¥0.373
合计¥0.4
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):600mA复制
集射极击穿电压(Vceo):150V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 150V 600mA PNP复制库存:13519复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0679
3000+¥0.0539
合计¥0.07
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数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存:10972复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+¥0.0785
3000+¥0.0623
合计¥0.08
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 800mA NPN复制库存:10734复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0573
3000+¥0.0455
合计¥0.06
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 50V 150mA NPN复制库存:10716复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0453
3000+¥0.036
合计¥0.05
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数量:1个NPN-预偏置复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
晶体管类型:NPN复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 100mA NPN复制库存:9822复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.104
3000+¥0.0825
合计¥0.1
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¥15领取
晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制库存:8944复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0509
3000+¥0.0403
合计¥0.05
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制库存:43复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.049882
合计¥0.05
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):500mA复制
集射极击穿电压(Vceo):30V复制
耗散功率(Pd):350mW复制
描述:三极管(BJT) 350mW 30V 500mA PNP复制库存:6复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5折
1+¥0.048355
合计¥0.05
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