
APSEMI(先进光)
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:200mA复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.2V复制
描述:光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能,不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关。复制
库存:2898复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.89
2000+¥1.8
合计¥1.89
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:130mA复制
负载电压:350V复制
正向压降(Vf):1.33V复制
描述:其基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过接收低电平输入电流(<5mA)来操作,该电流为输入红外LED供电,该LED与光电二极管阵列芯片光耦合。该IC进而产生光电压,为两个通常以源极到源极配置连接的MOSFET供电,允许交流和直流输出负载。光继电器基本上通过移动光子来实现其开关功能,它们不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关。复制
库存:2000复制
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起订量 : 1复制
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批次:26+
1+¥2.03
2000+¥1.94
合计¥2.03
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:2.5A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来完成其开关功能,不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关。复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次:26+
1+¥4.1
2000+¥3.93
合计¥4.1
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:800mA复制
负载电压:360V复制
正向压降(Vf):1.32V复制
描述:APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。光电继电器主要通过传输光子来实现开关功能,不会产生机械磨损,能提供始终如一的可靠开关性能复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥7.57
2000+¥7.31
合计¥7.57
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:1.1A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:APSEMl光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。光电继电器主要通过传输光子来实现开关功能,不会产生机械磨损,能提供始终可靠的开关性能复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥2.6
2000+¥2.49
合计¥2.6
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触点形式:一组常闭:1B(单刀单掷-常闭)复制
连续负载电流:500mA复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.2V复制
描述:APSEMI光电继电器是可靠的、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,光电继电器具有显著优势,包括长寿命、无触点抖动开关、更高的开关速度和高频性能、更高的灵敏度、抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)、无电弧、无触点抖动和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作,以及封装尺寸小等特点复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥5.8
2000+¥5.6
合计¥5.8
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:2.2A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.35V复制
描述:APSEMI光继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。它们的基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的,但光继电器相对于机械继电器具有显著优势,包括: - 长寿命(机械和电气寿命无限制) - 无触点弹跳开关 - 更高的速度和高频开关能力 - 更高的灵敏度(更低的功耗) - 抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI) - 无电弧、无触点弹跳和无噪声 - 更耐振动和冲击 - 可进行交流或直流负载切换 - 封装尺寸小 APSEMI光继电器通过接收低电平输入电流(<5mA)来工作,该电流使输入红外LED通电,红外LED与光电二极管阵列芯片进行光耦合复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥3.75
2000+¥3.6
合计¥3.75
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触点形式:两组常开:2A(双刀单掷-常开)复制
连续负载电流:130mA复制
负载电压:400V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:用于从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,具有长寿命、无弹跳开关、高速和高频开关、高灵敏度、低功耗、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和噪音、不受振动和冲击影响、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。复制
库存:2000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥5.86
2000+¥5.66
合计¥5.86
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:200mA复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.2V复制
描述:光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,光继电器具有明显优势。复制
库存:1980复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.93
2000+¥1.84
合计¥1.93
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:120mA复制
负载电压:400V复制
正向压降(Vf):1.2V复制
描述:是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。复制
库存:1978复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥2.15
2000+¥2.06
合计¥2.15
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:1.3A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:光继电器是最可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。复制
库存:1969复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥2.78
2000+¥2.66
合计¥2.78
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:2.5A复制
负载电压:40V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:是逻辑到功率的接口设备,基本功能是从微处理器获取低电流信号以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,具有长寿命(机械和电气寿命无限制)、无弹跳开关、更高速度和高频开关、更高灵敏度(更低功耗)、抗 EMI 或 RF、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。通过接收低电平输入电流(< 5mA)来驱动输入红外 LED,该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合,进而产生光电压为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电,允许交流和直流输出负载。通过移动光子来实现开关功能,无机械磨损,提供一致可靠的开关。复制
库存:1943复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥3.31
2000+¥3.18
合计¥3.31
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连续负载电流:3A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.32V复制
正向电流(If):7mA复制
描述:APSEMI光电继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。复制
库存:1933复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥5.13
2000+¥4.92
合计¥5.13
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触点形式:一组常开:2A(单刀单掷-常开)复制
连续负载电流:1.1A复制
负载电压:60V复制
正向压降(Vf):1.4V复制
描述:APSEMl 光电继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,光电继电器具有显著优势,包括长寿命(机械和电气寿命无限制)、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频性能、更高的灵敏度(更低的功耗)、抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)、无电弧、无触点弹跳和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可切换交流或直流负载以及小封装尺寸复制
库存:1917复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥2.78
2000+¥2.66
合计¥2.78
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连续负载电流:8uA复制
负载电压:12V复制
正向压降(Vf):1.2V复制
正向电流(If):50mA复制
描述:特性:高速开关:释放时间为 0.1 ms,可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。 节省空间:内置控制电路,无需外部电阻,有助于使基板更紧凑。应用:MOSFET 驱动器。 电子电路电源 (Vcc)复制
库存:1658复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥2.24
2000+¥2.14
合计¥2.24
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