品牌产品
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
封装：
- DFN2710-8
- SOT-23
- SOT-23-6
- SOT-723
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：4.1A复制
导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V复制
描述：这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。复制库存：4复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：22+
7.0折
1+￥0.3913
3000+￥0.364
量大可议价
合计￥0.39
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数量：1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：2.8A复制
导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V复制
描述：应用：DC-DC转换器。负载开关。电源管理复制库存：3复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：22+
1+￥0.955
3000+￥0.905
量大可议价
合计￥0.96
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：850mA复制
导通电阻(RDS(on))：730mΩ@2.5V复制
描述：特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关复制库存：1复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：22+
1+￥0.259
8000+￥0.235
量大可议价
合计￥0.26
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