鑫飞宏
鑫飞宏
品牌产品
类目:
- 场效应管(MOSFET)
- 电池管理
- 线性稳压器(LDO)
- 快充协议芯片
- USB转换芯片
封装:
- SOT-23-6
- SOT-23
- PDFN5X6-8L
- TO-252
- PDFN3.3X3.3-8L
- SO-8
- TOLL-4L
- SOT-23-3L
- PDFN-8L(3.3X3.3)
- TO-263
- PDFN-8L(5X6)
- SOT-23-5
- TSSOP-8
- DFN-8(3X3)
- DFN-8-EP(3.3X3.3)
- PDFN-8(5X6)
- TO-220
- DFN-6L(2X3)
- DFN2X3-6L
- DFN3X3-8
- DFN3X3-8L
- PDFN-8(3.3X3.3)
- SOP-8
- TOLL-8L
- CPC-5
- CPC-8
- DFN-4L(1X1)
- ESOP-8
- TDFN-6-EP(2X2)
- TDFN-8-EP(3X3)
- TO-252-4L
- TSSOP-16
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):6.8A复制
导通电阻(RDS(on)):39mΩ@1.8V复制
描述:Type/N,VDS
(MIN)V/20,ID
25℃(A)/6.8,Vgs (±V)/12,ESD
Diode//,4.5V(Typ)/13.5,2.5V(Typ)/17复制库存:20复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.218
3000+¥0.193
合计¥0.22
现在下单最快1小时发货
¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.7A复制
导通电阻(RDS(on)):52mΩ@2.5V复制
描述:使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计,实现超低导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。复制库存:4复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥0.0945
3000+¥0.075
合计¥0.09
现在下单最快1小时发货
¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):75A复制
导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 4.3mΩ 30V 1个N沟道 PDFN-8(5x6)复制库存:4复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:23+
1+¥0.365
5000+¥0.345
合计¥0.37
现在下单最快1小时发货
芯片类型:保护芯片复制
工作电压:1.5V~8V复制
充电饱和电压:4.28V复制
放电截止电压:2.8V复制
描述:电池管理 锂离子/聚合物 SOT-23-6复制库存:18112复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+¥0.195888
100+¥0.170448
300+¥0.157728
3000+¥0.148188
6000+¥0.140556
9000+¥0.13674
合计¥1.96
2-5 工作日内发货芯片类型:保护芯片复制
工作电压:1.5V~8V复制
充电饱和电压:4.35V复制
放电截止电压:2.8V复制
描述:4.35V±25mV,2.3V±50mV,25V耐压复制库存:17168复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+¥0.2438
100+¥0.21412
300+¥0.19928
3000+¥0.184016
合计¥2.44
2-5 工作日内发货芯片类型:保护芯片复制
工作电压:1V~7V复制
放电截止电压:3V复制
电池类型:锂电池复制
描述:电池管理 锂离子/聚合物 SOT-23-6复制库存:15928复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+¥0.191224
100+¥0.167904
300+¥0.156244
3000+¥0.147552
6000+¥0.140556
9000+¥0.137058
合计¥1.91
2-5 工作日内发货芯片类型:保护芯片复制
工作电压:1.5V~8V复制
充电饱和电压:4.425V复制
放电截止电压:3V复制
描述:4.425V±25mV,3.0V±50mV,25V耐压复制库存:15120复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+¥0.26871
100+¥0.23691
300+¥0.22101
3000+¥0.201188
6000+¥0.191648
9000+¥0.186878
合计¥2.69
2-5 工作日内发货数量:1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):7A复制
导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 18mΩ;40mΩ 30V 1个N沟道+1个P沟道 SO-8复制库存:12364复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
无法确认批次
5+¥0.420714
50+¥0.37418
150+¥0.350966
500+¥0.333582
2500+¥0.280052
4000+¥0.273162
合计¥2.1
2-5 工作日内发货数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):45V复制
连续漏极电流(Id):35A复制
导通电阻(RDS(on)):13mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45V PDFN-8L(3.3x3.3)复制库存:9485复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+¥0.608228
10+¥0.534028
30+¥0.496928
100+¥0.469156
500+¥0.446896
1000+¥0.435766
合计¥0.61
2-5 工作日内发货芯片类型:保护芯片复制
工作电压:-300mV~9V复制
充电饱和电压:4.28V复制
放电截止电压:2.8V复制
描述:过充电保护电压3.500V~4.400V,过充电解除电压3.200V~4.300V,过放电保护电压2.000V~2.900V,过放电解除电压2.500V~3.000V复制库存:8680复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+¥0.453044
50+¥0.393684
150+¥0.364004
500+¥0.341744
3000+¥0.323936
6000+¥0.315032
合计¥2.27
2-5 工作日内发货还有212条型号未显示
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