
WILLSEMI(韦尔)
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型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:21V复制
峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:524405复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.112
10000+¥0.101
合计¥0.11
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¥12领取
极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:15V复制
峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:447003复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.114
10000+¥0.104
合计¥0.11
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):10A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:371346复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0539
10000+¥0.0442
合计¥0.05
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):890mA复制
导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
库存:316621复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.22
3000+¥0.195
合计¥0.22
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¥12领取
极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:12V复制
峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:304966复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+¥0.215
3000+¥0.19
合计¥0.22
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3.2A复制
导通电阻(RDS(on)):66mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制
库存:254433复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.212
3000+¥0.188
合计¥0.21
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:12V复制
峰值脉冲电流(Ipp):6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:253127复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.105
10000+¥0.0858
合计¥0.11
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¥12领取
数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.4A复制
导通电阻(RDS(on)):66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制
库存:234641复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.339
3000+¥0.299
合计¥0.34
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:6V复制
峰值脉冲电流(Ipp):5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:227627复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.339
3000+¥0.299
合计¥0.34
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):4.7A复制
导通电阻(RDS(on)):33mΩ@4.5V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:204424复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.192
3000+¥0.17
合计¥0.19
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:198500复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0707
10000+¥0.058
合计¥0.07
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极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:15V复制
峰值脉冲电流(Ipp):10A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:190000复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.107
10000+¥0.088
合计¥0.11
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极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:15V复制
峰值脉冲电流(Ipp):10A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:7605复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.10486
合计¥0.1
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:187260复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0549
10000+¥0.045
合计¥0.05
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):300mA复制
导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存:178665复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.115
3000+¥0.102
合计¥0.12
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp):5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:165205复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.22
10000+¥0.202
合计¥0.22
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¥12领取
极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp):5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:8复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.2156
合计¥0.22
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