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WILLSEMI(韦尔) 品牌logo图

WILLSEMI(韦尔)

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

分类 :
全部静电和浪涌保护(TVS/ESD)场效应管(MOSFET)线性稳压器(LDO)运算放大器肖特基二极管功率电子开关模拟开关/多路复用器DC-DC电源芯片射频开关三极管(BJT)音频功率放大器专业电源管理(PMIC)MEMS麦克风电荷泵电流感应放大器模拟开关-特殊用途射频低噪声放大器霍尔开关半导体放电管(TSS)LED驱动功率继电器电池管理USB转换芯片稳压二极管
品牌 :
全部WILLSEMI(韦尔)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5311N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压21V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:524405复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.112
10000+0.101
量大可议价
合计0.11
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ESD5341N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
12领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:447003复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.114
10000+0.104
量大可议价
合计0.11
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ESD5431N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:371346复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0539
10000+0.0442
量大可议价
合计0.05
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WNM2021-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)890mA复制
导通电阻(RDS(on))320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
库存:316621复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.22
3000+0.195
量大可议价
合计0.22
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ESD5304D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
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极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:304966复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.215
3000+0.19
量大可议价
合计0.22
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WNM2016-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)3.2A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制
库存:254433复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.212
3000+0.188
量大可议价
合计0.21
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ESD5471X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:253127复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.105
10000+0.0858
量大可议价
合计0.11
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WPM3407-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制
库存:234641复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.339
3000+0.299
量大可议价
合计0.34
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ESD73034D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压6V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:227627复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.339
3000+0.299
量大可议价
合计0.34
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WNM2016A-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4.7A复制
导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5V复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:204424复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.192
3000+0.17
量大可议价
合计0.19
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ESD5451X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:198500复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0707
10000+0.058
量大可议价
合计0.07
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ESD9N5V-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:190000复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.107
10000+0.088
量大可议价
合计0.11
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ESD9N5V-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
12领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:7605复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.10486
量大可议价
合计0.1
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ESD5451N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
12领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:187260复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0549
10000+0.045
量大可议价
合计0.05
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WNM6002-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存:178665复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.115
3000+0.102
量大可议价
合计0.12
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ESD73011N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
12领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:165205复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.22
10000+0.202
量大可议价
合计0.22
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ESD73011N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:8复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.2156
量大可议价
合计0.22
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