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WILLSEMI(韦尔) 品牌logo图

WILLSEMI(韦尔)

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

品牌产品
类目
  • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 场效应管(MOSFET)
  • 线性稳压器(LDO)
  • 运算放大器
  • 肖特基二极管
  • 功率电子开关
  • 模拟开关/多路复用器
  • DC-DC电源芯片
  • 射频开关
  • 音频功率放大器
  • 模拟开关-特殊用途
  • 专业电源管理(PMIC)
  • 射频低噪声放大器
  • MEMS麦克风
  • 电荷泵
  • 三极管(BJT)
  • 霍尔开关
  • 电流感应放大器
  • 半导体放电管(TSS)
  • LED驱动
  • 功率继电器
  • 电池管理
  • USB转换芯片
  • 稳压二极管
封装
  • SOT-23
  • DFN1006-2L
  • SOT-23-5L
  • DFN1006-3L
  • SOD-323
  • SOT-23-6L
  • SOD-523
  • DFN2X2-3L
  • SOT23-5
  • MSOP-8
  • SOT-723
  • DFN0603-2L
  • DFN1610-2L
  • DFN1X1-4L
  • FBP-02C
  • DFN2X2-6L
  • SMA(DO-214AC)
  • SOD-323F
  • DFN-4-EP(1X1)
  • DFN-8-EP(2X2)
  • DFN2510-10L
  • SOT-323
  • DFN1006-2
  • SOT-523
  • DWN0603-2L
  • SOP-8
  • SOT-363
  • SOT-553
  • WBFBP-02C-C
  • CSP-4L
  • PDFN5X6-8L
  • QFN-10(1.8X1.4)
  • SOD-523(SC-79)
  • SOT-23-3L
  • SOT23-5L
  • CSP-6L
  • DFN-3(2X2)
  • DFN-6L(2X2)
  • DFN1010-4L
  • FBP1608-2L
  • PDFN3333-8L
  • QFN-10
  • QFN-14-EP(2X2)
  • SMB
  • SOT-89
  • TSOT-23-3L
  • CSP-10L
  • CSP-12L
  • CSP-20L
  • CSP-36L
  • DFN 6
  • DFN-10-EP(2X2)
  • DFN-3L(1X0.6)
  • DFN-4L(1X1)
  • DFN-6(1X1.5)
  • DFN1006
  • DFN1107-6L
  • DFN2020-3(2X2)
  • DFN2X2-10
  • DSN1006-2
  • EMSOP-10L
  • SMC
  • SMD-3P,2.8X1.9MM
  • SOD-123
  • SOP-14
  • SOP-8L
  • SOT-23-3
  • SOT-23-5
  • SOT-563
  • SOT-89-3L
  • SOT23-3
  • TSOT-23-6L
  • TSSOP-14
  • TSSOP-8
  • UDFN-4-EP(1X1)
  • WLCSP-6L(0.7X1.1)
  • WLCSP-9L
  • X2-DFN1010-4-EP
  • XDFN-4-EP(1X1)
  • DFN-6-EP(1X1)
  • DFN-8L(3X3)
  • DFN0603-2
  • DFN1006-3
  • DFN1109-6L
  • DFN1612-8
  • DFN1X1-4
  • DFN2020-10L
  • DFN2020-3L
  • DFN22-6L
  • DFN2X3-8L
  • LGA-4(3X3.8)
  • OT23-5
  • PDFN3333-8
  • PDFN3X3-8L
  • QFN-9(1.1X1.1)
  • QFN1418-10L
  • QFN1616-12L(1.6X1.6)
  • QFN1826-16L(1.8X2.6)
  • QFN2534-24L
  • QFN3X3-16
  • SMA
  • SMD-4P,2.8X1.9MM
  • SOD-123FL
  • SOD-923
  • SOT-353
  • SOT-353-5(SC-70-5)
  • SOT-363-6
  • SOT23-6L
  • TSOT-25
  • WDFN-8(2X2)
  • WDFN-8-EP(2X2)
  • WLCSP-6L
  • WQFN-10(1.4X1.8)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5451N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:1311843复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0573
10000+0.047
量大可议价
合计0.06
现在下单最快1小时发货
WPM3401-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23-3L复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.6A复制
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.6A 1个P沟道复制
库存:575248复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.26
3000+0.231
量大可议价
合计0.26
现在下单最快1小时发货
ESD5431N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:551547复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0598
10000+0.049
量大可议价
合计0.06
现在下单最快1小时发货
WSB5503W-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOD-323复制
类目:肖特基二极管复制
15领取
二极管配置1个独立式复制
正向压降(Vf)570mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流1A复制
描述:肖特基二极管 570mV@1A 40V 1A复制
库存:423522复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.136
3000+0.12
量大可议价
合计0.14
现在下单最快1小时发货
ESD5341N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:415447复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.109
10000+0.089
量大可议价
合计0.11
现在下单最快1小时发货
ESD5451X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:413591复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0671
10000+0.055
量大可议价
合计0.07
现在下单最快1小时发货
ESD9B5VL-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压11V复制
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:321716复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.102
10000+0.084
量大可议价
合计0.1
现在下单最快1小时发货
WNM6002-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存:299393复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.124
3000+0.099
量大可议价
合计0.12
现在下单最快1小时发货
ESD5311N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压21V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:260470复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.11
10000+0.0905
量大可议价
合计0.11
现在下单最快1小时发货
WNM2021-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)890mA复制
导通电阻(RDS(on))320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
库存:249005复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.22
3000+0.195
量大可议价
合计0.22
现在下单最快1小时发货
ESD5471X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:221935复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0841
10000+0.0689
量大可议价
合计0.08
现在下单最快1小时发货
WNM2016-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)3.2A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制
库存:188439复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.189
3000+0.167
量大可议价
合计0.19
现在下单最快1小时发货
WNM3013-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-723复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)250mA复制
导通电阻(RDS(on))15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制
库存:172549复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.127
8000+0.115
量大可议价
合计0.13
现在下单最快1小时发货
WNM3013-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-723复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)250mA复制
导通电阻(RDS(on))15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制
库存:16复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:五年外
9.5
1+0.12065
量大可议价
合计0.12
现在下单最快1小时发货
WPM3407-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
类目:场效应管(MOSFET)复制
15领取
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制
库存:166303复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.329
3000+0.29
量大可议价
合计0.33
现在下单最快1小时发货
ESD73034D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压6V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:158403复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.313
3000+0.277
量大可议价
合计0.31
现在下单最快1小时发货
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