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WILLSEMI(韦尔) 品牌logo图

WILLSEMI(韦尔)

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5451N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:1164366复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.0523
10000+0.0429
量大可议价
合计0.05
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ESD5311N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压21V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:688319复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.112
10000+0.101
量大可议价
合计0.11
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ESD5341N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:500368复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.114
10000+0.104
量大可议价
合计0.11
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WPM3407-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制
库存:273695复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.355
3000+0.331
量大可议价
合计0.36
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ESD5304D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
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极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:269067复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.22
3000+0.195
量大可议价
合计0.22
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ESD5451X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:262012复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.0666
10000+0.0546
量大可议价
合计0.07
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ESD73034D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压6V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:243544复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.348
3000+0.325
量大可议价
合计0.35
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WNM2021-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)890mA复制
导通电阻(RDS(on))320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
库存:181822复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.241
3000+0.214
量大可议价
合计0.24
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ESD73011N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:167794复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.224
10000+0.206
量大可议价
合计0.22
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ESD73011N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压8.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:8复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.21952
量大可议价
合计0.22
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ESD5471X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:158655复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.107
10000+0.0873
量大可议价
合计0.11
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WNM2016-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)3.2A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制
库存:157109复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.217
3000+0.192
量大可议价
合计0.22
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ESD5451NL-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压11V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:瞬态抑制二极管 TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=5.2V VC=11V IPP=4A Ppk=44W DFN1006-2L复制
库存:150185复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.0476
10000+0.039
量大可议价
合计0.05
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ESD5451NL-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压11V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:瞬态抑制二极管 TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=5.2V VC=11V IPP=4A Ppk=44W DFN1006-2L复制
库存:211复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.046648
量大可议价
合计0.05
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ESD9X5VU-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
15领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V;15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:148491复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.141
10000+0.129
量大可议价
合计0.14
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ESD9X5VU-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
15领取
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V;15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:115复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.13818
量大可议价
合计0.14
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ESD5311X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:WBFBP-02C-C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:142760复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.137
10000+0.124
量大可议价
合计0.14
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ESD5311X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:WBFBP-02C-C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:4复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.13426
量大可议价
合计0.13
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ESD5311X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:WBFBP-02C-C复制
15领取
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:TVS二极管复制
库存:8复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:五年外
9.5
1+0.13015
量大可议价
合计0.13
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WNM3013-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)250mA复制
导通电阻(RDS(on))15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制
库存:139468复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.129
8000+0.118
量大可议价
合计0.13
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WNM3013-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)50V复制
连续漏极电流(Id)250mA复制
导通电阻(RDS(on))15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制
库存:16复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.12642
量大可议价
合计0.13
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