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WILLSEMI(韦尔) 品牌logo图

WILLSEMI(韦尔)

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)静电放电(ESD)保护器件线性稳压器(LDO)肖特基二极管瞬态抑制二极管(TVS)功率电子开关模拟开关/多路复用器三极管(BJT)监控和复位芯片运算放大器射频芯片/天线模拟开关-特殊用途DC-DC电源芯片板级电路保护通信接口芯片半导体放电管(TSS)静电和浪涌保护(TVS/ESD)静电和浪涌保护(TVS/ESD)贴片电阻MEMS麦克风静电保护/无尘室产品插件电感
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5451N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:3265333复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0485
10000+0.0397
量大可议价
合计0.05
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ESD5451X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:1294385复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.0549
10000+0.045
量大可议价
合计0.05
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ESD5311N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压21V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:826228复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.0806
10000+0.066
量大可议价
合计0.08
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WPM3401-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23-3L复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.6A复制
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.6A 1个P沟道复制
库存:680789复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.224
3000+0.198
量大可议价
合计0.22
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ESD5431N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:657409复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0488
10000+0.04
量大可议价
合计0.05
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WNM6002-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V,0.2A复制
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道复制
库存:338078复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.101
3000+0.0801
量大可议价
合计0.1
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WNM2021-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)890mA复制
导通电阻(RDS(on))320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制
库存:320904复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.171
3000+0.15
量大可议价
合计0.17
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WPM3407-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.4A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制
库存:304407复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.252
3000+0.223
量大可议价
合计0.25
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WNM2016-3/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)3.2A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@1.8V,1.0A复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制
库存:294731复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.146
3000+0.129
量大可议价
合计0.15
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WAS3157B-6/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-363复制
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开关电路2:1复制
通道数1复制
导通电阻(Ron)5.5Ω复制
工作电压2.3V~5.5V复制
描述:模拟开关复制
库存:287387复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.177
3000+0.157
量大可议价
合计0.18
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ESD5471X-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:270161复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0695
10000+0.057
量大可议价
合计0.07
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ESD5341N-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
复制
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:235585复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0964
10000+0.079
量大可议价
合计0.1
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WSB5503W-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOD-323复制
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正向压降(Vf)570mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流1A复制
反向电流(Ir)50uA@VR复制
描述:肖特基二极管 570mV@1A 40V 1A复制
库存:227353复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.124
3000+0.099
量大可议价
合计0.12
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ESD9B5VL-2/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
复制
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压11V复制
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:219095复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.097
10000+0.0794
量大可议价
合计0.1
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ESD5304D-10/TR 产品实物图片
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN2510-10L复制
复制
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制
库存:207091复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.191
3000+0.17
量大可议价
合计0.19
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