
WILLSEMI(韦尔)
品牌产品
类目:
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 运算放大器
- 肖特基二极管
- 功率电子开关
- 模拟开关/多路复用器
- DC-DC电源芯片
- 射频开关
- 音频功率放大器
- 模拟开关-特殊用途
- 专业电源管理(PMIC)
- 射频低噪声放大器
- MEMS麦克风
- 电荷泵
- 三极管(BJT)
- 霍尔开关
- 电流感应放大器
- 半导体放电管(TSS)
- LED驱动
- 功率继电器
- 电池管理
- USB转换芯片
- 稳压二极管
封装:
- SOT-23
- DFN1006-2L
- SOT-23-5L
- DFN1006-3L
- SOD-323
- SOT-23-6L
- SOD-523
- DFN2X2-3L
- SOT23-5
- MSOP-8
- SOT-723
- DFN0603-2L
- DFN1610-2L
- DFN1X1-4L
- FBP-02C
- DFN2X2-6L
- SMA(DO-214AC)
- SOD-323F
- DFN-4-EP(1X1)
- DFN-8-EP(2X2)
- DFN2510-10L
- SOT-323
- DFN1006-2
- SOT-523
- DWN0603-2L
- SOP-8
- SOT-363
- SOT-553
- WBFBP-02C-C
- CSP-4L
- PDFN5X6-8L
- QFN-10(1.8X1.4)
- SOD-523(SC-79)
- SOT-23-3L
- SOT23-5L
- CSP-6L
- DFN-3(2X2)
- DFN-6L(2X2)
- DFN1010-4L
- FBP1608-2L
- PDFN3333-8L
- QFN-10
- QFN-14-EP(2X2)
- SMB
- SOT-89
- TSOT-23-3L
- CSP-10L
- CSP-12L
- CSP-20L
- CSP-36L
- DFN 6
- DFN-10-EP(2X2)
- DFN-3L(1X0.6)
- DFN-4L(1X1)
- DFN-6(1X1.5)
- DFN1006
- DFN1107-6L
- DFN2020-3(2X2)
- DFN2X2-10
- DSN1006-2
- EMSOP-10L
- SMC
- SMD-3P,2.8X1.9MM
- SOD-123
- SOP-14
- SOP-8L
- SOT-23-3
- SOT-23-5
- SOT-563
- SOT-89-3L
- SOT23-3
- TSOT-23-6L
- TSSOP-14
- TSSOP-8
- UDFN-4-EP(1X1)
- WLCSP-6L(0.7X1.1)
- WLCSP-9L
- X2-DFN1010-4-EP
- XDFN-4-EP(1X1)
- DFN-6-EP(1X1)
- DFN-8L(3X3)
- DFN0603-2
- DFN1006-3
- DFN1109-6L
- DFN1612-8
- DFN1X1-4
- DFN2020-10L
- DFN2020-3L
- DFN22-6L
- DFN2X3-8L
- LGA-4(3X3.8)
- OT23-5
- PDFN3333-8
- PDFN3X3-8L
- QFN-9(1.1X1.1)
- QFN1418-10L
- QFN1616-12L(1.6X1.6)
- QFN1826-16L(1.8X2.6)
- QFN2534-24L
- QFN3X3-16
- SMA
- SMD-4P,2.8X1.9MM
- SOD-123FL
- SOD-923
- SOT-353
- SOT-353-5(SC-70-5)
- SOT-363-6
- SOT23-6L
- TSOT-25
- WDFN-8(2X2)
- WDFN-8-EP(2X2)
- WLCSP-6L
- WQFN-10(1.4X1.8)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制库存:1311843复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0573
10000+¥0.047
合计¥0.06
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.6A复制
导通电阻(RDS(on)):56mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.6A 1个P沟道复制库存:575248复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.26
3000+¥0.231
合计¥0.26
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):10A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:551547复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0598
10000+¥0.049
合计¥0.06
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):570mV@1A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 570mV@1A 40V 1A复制库存:423522复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.136
3000+¥0.12
合计¥0.14
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极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:15V复制
峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:415447复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.109
10000+¥0.089
合计¥0.11
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:10V复制
峰值脉冲电流(Ipp):8A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:413591复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0671
10000+¥0.055
合计¥0.07
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:11V复制
峰值脉冲电流(Ipp):3A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:321716复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.102
10000+¥0.084
合计¥0.1
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):300mA复制
导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道复制库存:299393复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.124
3000+¥0.099
合计¥0.12
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:21V复制
峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:260470复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.11
10000+¥0.0905
合计¥0.11
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):890mA复制
导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道复制库存:249005复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.22
3000+¥0.195
合计¥0.22
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:12V复制
峰值脉冲电流(Ipp):6A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:221935复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0841
10000+¥0.0689
合计¥0.08
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):3.2A复制
导通电阻(RDS(on)):66mΩ@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制库存:188439复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.189
3000+¥0.167
合计¥0.19
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):50V复制
连续漏极电流(Id):250mA复制
导通电阻(RDS(on)):15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制库存:172549复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.127
8000+¥0.115
合计¥0.13
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):50V复制
连续漏极电流(Id):250mA复制
导通电阻(RDS(on)):15Ω@1.8V复制
描述:场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制库存:16复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:五年外
9.5折
1+¥0.12065
合计¥0.12
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):4.4A复制
导通电阻(RDS(on)):66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制库存:166303复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.329
3000+¥0.29
合计¥0.33
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:6V复制
峰值脉冲电流(Ipp):5.5A@8/20us复制
描述:ESD二极管复制库存:158403复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.313
3000+¥0.277
合计¥0.31
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