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韦尔半导体有限公司

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

分类 :
全部静电放电(ESD)保护器件场效应管(MOSFET)线性稳压器(LDO)肖特基二极管模拟开关/多路复用器功率电子开关瞬态抑制二极管(TVS)运算放大器DC-DC电源芯片监控和复位芯片三极管(BJT)板级电路保护通信接口芯片半导体放电管(TSS)静电和浪涌保护(TVS/ESD)静电和浪涌保护(TVS/ESD)射频芯片/天线模拟开关-特殊用途
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5451N-2/TR 产品实物图片
自营ESD5451N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
库存:2381344复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0485
10000+0.0397
100000+
量大可议价
合计:0.05
ESD5311N-2/TR 产品实物图片
自营ESD5311N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
钳位电压21V复制
击穿电压9V复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2复制
库存:668570复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0806
10000+0.066
100000+
量大可议价
合计:0.08
ESD5341N-2/TR 产品实物图片
自营ESD5341N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
库存:619700复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0989
10000+0.081
100000+
量大可议价
合计:0.1
ESD5451X-2/TR 产品实物图片
自营ESD5451X-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us复制
库存:582952复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0562
10000+0.046
100000+
量大可议价
合计:0.06
WNM6002-3/TR 产品实物图片
自营WNM6002-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V,0.2A复制
库存:356912复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.103
3000+0.082
30000+
量大可议价
合计:0.1
ESD5471X-2/TR 产品实物图片
自营ESD5471X-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)6A@8/20us复制
库存:353733复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.072
10000+0.059
100000+
量大可议价
合计:0.07
WPM3401-3/TR 产品实物图片
自营WPM3401-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23-3L复制
手册:-
工作温度-55℃~+150℃复制
数量1个P沟道复制
导通电阻(RDS(on))56mΩ@4.5V,3.5A复制
阈值电压(Vgs(th))1.5V复制
库存:347486复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.228
3000+0.202
30000+
量大可议价
合计:0.23
ESD5431N-2/TR 产品实物图片
自营ESD5431N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
钳位电压10V复制
工作温度-40℃~+85℃复制
击穿电压3.4V复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
库存:315861复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0488
10000+0.04
100000+
量大可议价
合计:0.05
WNM2016A-3/TR 产品实物图片
自营WNM2016A-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4.7A复制
导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5V,4.7A复制
库存:285075复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.232
200+0.149
1500+0.13
3000+0.115
45000+
量大可议价
合计:0.23
WNM2016-3/TR 产品实物图片
自营WNM2016-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
数量1个N沟道复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@1.8V,1.0A复制
输出电容(Coss)62pF复制
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA复制
库存:281508复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.151
3000+0.134
30000+
量大可议价
合计:0.15
ESD73011N-2/TR 产品实物图片
自营ESD73011N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
钳位电压8.5V复制
工作温度-40℃~+85℃复制
击穿电压7V复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
库存:261506复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.157
10000+0.144
60000+
量大可议价
合计:0.16
WNM2021-3/TR 产品实物图片
自营WNM2021-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-323复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)890mA复制
导通电阻(RDS(on))320mΩ@1.8V复制
库存:254943复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.175
3000+0.155
30000+
量大可议价
合计:0.18
ESD9B5VL-2/TR 产品实物图片
自营ESD9B5VL-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:FBP-02C复制
手册:-
钳位电压11V复制
工作温度-40℃~+85℃复制
击穿电压8.3V复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
库存:228176复制
批次 : 25+复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.104
10000+0.085
100000+
量大可议价
合计:0.1
WNT2F04-3/TR 产品实物图片
自营WNT2F04-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:222144复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0516
3000+0.041
30000+
量大可议价
合计:0.05
WNM3013-3/TR 产品实物图片
自营WNM3013-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-723复制
手册:-
工作温度-55℃~+150℃复制
数量1个N沟道复制
导通电阻(RDS(on))15Ω@1.8V复制
输出电容(Coss)22pF复制
库存:219110复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.112
8000+0.092
80000+
量大可议价
合计:0.11
WSB5503W-2/TR 产品实物图片
自营WSB5503W-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOD-323复制
手册:-
正向压降(Vf)570mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
反向电流(Ir)50uA@VR复制
整流电流1A复制
库存:219001复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.124
3000+0.099
30000+
量大可议价
合计:0.12
ESD5651N-2/TR 产品实物图片
自营ESD5651N-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:DFN1006-2L复制
手册:-
钳位电压6.5V复制
反向截止电压(Vrwm)4.5V复制
峰值脉冲功率(Ppp)525W@8/20us复制
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2复制
库存:206300复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0842
10000+0.069
100000+
量大可议价
合计:0.08
WS4603E-5/TR 产品实物图片
自营WS4603E-5/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:TSOT-25复制
手册:-
类型高侧开关复制
通道数1复制
输入控制逻辑高电平有效复制
工作电压2.5V~5.5V复制
库存:190404复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.371
3000+0.346
30000+
量大可议价
合计:0.37
ESD5302F-3/TR 产品实物图片
自营ESD5302F-3/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压20V;15V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
库存:187358复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.174
3000+0.154
45000+
量大可议价
合计:0.17
ESD5311X-2/TR 产品实物图片
自营ESD5311X-2/TR复制
品牌:WILLSEMI(韦尔)复制
封装:WBFBP-02C-C复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压18V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
库存:176913复制
批次 : 两年内复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.104
10000+0.085
100000+
量大可议价
合计:0.1
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