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韦尔半导体有限公司

上海韦尔半导体股份有限公司成立于2007年,是一家专注于半导体产品设计与销售的企业,总部位于上海张江高科技园区。公司致力于研发和提供高性能的半导体解决方案,涵盖分立器件、电源管理IC、图像传感器、触控与显示解决方案等多个领域。韦尔半导体通过并购豪威科技等公司,迅速成长为全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商之一。公司产品广泛应用于智能手机、平板电脑、安防监控、汽车电子等多个行业,凭借持续的技术创新和强大的客户支持,韦尔半导体在国内外市场上逐渐建立起良好的声誉。随着市场需求的不断变化,韦尔半导体积极布局新兴领域,如汽车电子和机器视觉,力求在未来的竞争中保持领先地位。

分类 :
全部静电放电(ESD)保护器件(38)场效应管(MOSFET)(37)线性稳压器(LDO)(20)肖特基二极管(10)功率电子开关(6)模拟开关/多路复用器(5)瞬态抑制二极管(TVS)(4)三极管(BJT)(3)DC-DC电源芯片(2)监控和复位芯片(2)通信接口芯片(1)半导体放电管(TSS)(1)静电和浪涌保护(TVS/ESD)(1)静电和浪涌保护(TVS/ESD)(1)贴片电阻(1)LED驱动(1)射频开关(1)MEMS麦克风(1)静电保护/无尘室产品(1)插件电感(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
ESD5451N-2/TR 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:1221156
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0501
10000+0.041
100000+
量大可议价
合计:0.05
WNM2016A-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)33mΩ@4.5V,4.7A
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:307520
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.139
3000+0.123
30000+
量大可议价
合计:0.14
ESD5311N-2/TR 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压21V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
击穿电压7.5V
描述:ESD二极管
库存:240634
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0806
10000+0.066
100000+
量大可议价
合计:0.08
ESD5451X-2/TR 产品实物图片
封装:FBP-02C
手册:-
描述:ESD二极管
库存:190234
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0573
10000+0.047
100000+
量大可议价
合计:0.06
WNM2016-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)47mΩ@4.5V,3.6A
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道 SOT-23
库存:172550
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.17
3000+0.15
30000+
量大可议价
合计:0.17
WNT2F04-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:166406
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.058
3000+0.046
30000+
量大可议价
合计:0.06
WNM2021-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-323
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)890mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)320mΩ@1.8V,0.35A
描述:场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个N沟道 SOT-323
库存:156428
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.192
3000+0.17
30000+
量大可议价
合计:0.19
ESD5341N-2/TR 产品实物图片
封装:DFN1006-2L
手册:-
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
击穿电压7V
描述:ESD二极管
库存:145588
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.101
10000+0.0831
100000+
量大可议价
合计:0.1
WNM6002-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-323
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7Ω@4.5V,0.2A
描述:场效应管(MOSFET) 370mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存:140938
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 10
增量 : 1
1+0.11
3000+0.087
30000+
量大可议价
合计:1.1
WPM2031-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-723
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)650mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)495mΩ@4.5V,0.45A
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 20V 600mA 1个P沟道 SOT-723
库存:126769
批次 : 2年内
最小包 : 8000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.176
8000+0.16
80000+
量大可议价
合计:0.18
WNM3003-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)33mΩ@10V,4A
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 30V 3.7A 1个N沟道 SOT-23
库存:124091
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.237
3000+0.21
30000+
量大可议价
合计:0.24
ESD73034D-10/TR 产品实物图片
封装:DFN2510-10L
手册:-
库存:114724
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.294
3000+0.26
30000+
量大可议价
合计:1.47
ESD56151W04-2/TR 产品实物图片
封装:SOD-323
手册:-
反向截止电压(Vrwm)4.5V
最大钳位电压6.5V
峰值脉冲电流(Ipp)16A
击穿电压4.7V
描述:TVS二极管 6.5V 4.7V 4.5V SOD-323 TVS ROHS
库存:108417
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.212
3000+0.188
30000+
量大可议价
合计:1.06
ESD5311X-2/TR 产品实物图片
封装:WBFBP-02C-C
手册:-
反向截止电压(Vrwm)5V
最大钳位电压18V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
击穿电压7.5V
描述:TVS二极管
库存:100463
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.12
10000+0.098
100000+
量大可议价
合计:0.12
ESD5302N-3/TR 产品实物图片
封装:DFN1006-3L
手册:-
描述:ESD二极管
库存:97179
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0964
10000+0.079
100000+
量大可议价
合计:0.1
WS4603E-5/TR 产品实物图片
封装:SOT-23-5L
手册:-
描述:集成电源管理电路(PMIC)
库存:95351
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.371
3000+0.346
30000+
量大可议价
合计:0.37
ESD9B5VL-2/TR 产品实物图片
封装:FBP-02C
手册:-
描述:ESD二极管
库存:92459
批次 : 2年内
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.112
10000+0.092
100000+
量大可议价
合计:0.11
WPM3407-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@10V,4.4A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道 SOT-23
库存:88272
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.26
3000+0.231
30000+
量大可议价
合计:0.26
WPM3401-3/TR 产品实物图片
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@10V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.6A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:78947
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.243
3000+0.215
30000+
量大可议价
合计:0.24
SPD9108W-2/TR 产品实物图片
封装:SOD-323
手册:-
类型ESD
库存:78800
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 5
增量 : 1
1+0.249
3000+0.22
30000+
量大可议价
合计:1.25
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