类目：
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
封装：
- DFN1006-2
- SOD-123FL
- SOT-23
- DFN0603-2
- SO-8
- SOD-323
- SOD-523
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：15V复制
钳位电压：30V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：8A@8/20us复制
描述：AR1511D3是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR1511D3电容低，典型值为1pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。复制库存：2184复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 60复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+￥0.162307
100+￥0.141828
300+￥0.131588
3000+￥0.117787
6000+￥0.111618
9000+￥0.108565
合计￥9.74
2-5 工作日内发货数据手册复制
反向截止电压(Vrwm)：24V复制
钳位电压：40V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：170A@8/20us复制
击穿电压(VBR)：26.7V复制
描述：AUXXX1D1F-T 是瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受雷击和电压瞬变造成的损坏。复制库存：1844复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 60复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+￥0.156265
100+￥0.136549
300+￥0.126691
3000+￥0.113399
6000+￥0.107484
9000+￥0.104495
合计￥9.38
2-5 工作日内发货数据手册复制
极性：单向复制
反向截止电压(Vrwm)：15V复制
钳位电压：32V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：11A复制
描述：AU1501D5是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1501D5符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电 ±30 kV，接触放电 ±30 kV。该器件采用超小型SOD523无铅封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU1501D5成为保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用的理想选择。复制库存：1581复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 100复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+￥0.091648
200+￥0.0795
600+￥0.072758
3000+￥0.06271
9000+￥0.059212
21000+￥0.057304
合计￥9.16
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.1A复制
导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 30V 4.1A SOT-23复制库存：1530复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+￥0.183868
100+￥0.161608
300+￥0.150478
3000+￥0.128027
6000+￥0.121349
9000+￥0.117978
合计￥9.19
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.8A复制
导通电阻(RDS(on))：51mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 30V 5.8A SOT-23复制库存：1521复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+￥0.168158
100+￥0.147806
300+￥0.13763
3000+￥0.117024
6000+￥0.110918
9000+￥0.107866
合计￥8.41
2-5 工作日内发货数据手册复制
极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：5V复制
钳位电压：12V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us复制
描述：AR0521P0是一款双向TVS二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521P0具有超低电容，典型值为0.3 pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±25 kV，接触放电±22 kV。它采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护特性，使AR0521P0成为保护手机、数字视频接口、HDMI、DVI、USB2.0、USB3.0等高速端口的理想选择。复制库存：1445复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 60复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+￥0.15794
200+￥0.135574
600+￥0.123066
2000+￥0.115646
10000+￥0.10918
20000+￥0.105682
合计￥9.48
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：12.3A复制
导通电阻(RDS(on))：9mΩ复制
描述：SO-8复制库存：833复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 15复制
增量 : 5复制
无法确认批次
5+￥0.639116
50+￥0.557645
150+￥0.522728
500+￥0.479162
2500+￥0.459764
5000+￥0.411238
合计￥9.59
2-5 工作日内发货数据手册复制
极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：24V复制
钳位电压：40V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：170A@8/20us复制
描述：AU2481D1F-T是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用SOD-123FL无铅封装。其尺寸小且具备高ESD/浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想之选。复制库存：459复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 10复制
无法确认批次
10+￥0.178462
100+￥0.155947
300+￥0.14469
3000+￥0.12949
6000+￥0.122748
9000+￥0.119377
合计￥8.92
2-5 工作日内发货数据手册复制
极性：双向复制
反向截止电压(Vrwm)：15V复制
钳位电压：25V复制
击穿电压(VBR)：16.2V复制
描述：AU1521P1是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。AU1521P1符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用超小型无铅DFN1006 - 2封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。复制库存：289复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 80复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+￥0.109456
200+￥0.095273
600+￥0.08745
2000+￥0.08268
10000+￥0.069006
20000+￥0.06678
合计￥8.76
2-5 工作日内发货数据手册复制
极性：单向复制
反向截止电压(Vrwm)：7V复制
钳位电压：16V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：30A@8/20us复制
描述：AU0771P1是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想选择。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。它采用超小型1.0×0.6×0.5 mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力，使AU0771P1成为保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用的理想之选。复制库存：136复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 100复制
增量 : 20复制
无法确认批次
20+￥0.099152
200+￥0.086623
600+￥0.079627
2000+￥0.07543
10000+￥0.061183
20000+￥0.059212
合计￥9.92
2-5 工作日内发货