晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 125@2mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 75mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BC857A,215 产品概述
概述 BC857A,215是一款高性能的PNP型晶体管,专为低功耗和高效能应用而设计。该三极管具有250mW的额定功率,能够承受最高45V的集射极击穿电压(Vce),同时允许最大集电极电流(Ic)达到100mA。这款产品主要应用于信号放大和开关控制电路,广泛应用于消费电子、工业控制及电子设备的各个方面。
关键特性
额定功率与击穿电压:BC857A具有250mW的额定功率和45V的集射极击穿电压,确保其在多种电压范围内稳定工作。这一特性使其适用于各种电子设备的信号处理和功率放大。
电流特性:在最大集电极电流(Ic)100mA下,该晶体管保持良好的性能。此外,Vce饱和压降最大值为650mV(在5mA和100mA下),意味着当晶体管处于导通状态时,能有效减少功率损耗,为电路的高效能运行提供保障。
低截止电流:BC857A的集电极截止电流(ICBO)最大值为15nA,这一低值意味着该晶体管在非工作状态下的功耗极低,从而有利于提高电路的整体能效。
高增益特性:在不同的Ic和Vce条件下,BC857A的直流电流增益(hFE)最低可达到125(在2mA和5V下),这使它能够在信号放大时提供出色的增益,满足高增益应用的需求。
高频特性:该产品的频率跃迁特性可达100MHz,使BC857A能够支持高速信号处理,适用于高频应用的需求。
耐高温:BC857A具有150°C的工作温度(TJ),增强了其在高温环境下的可靠性,适合用在严酷的工作条件中的电子设备。
适宜的封装:采用TO-236AB(SOT-23)封装,旨在提供紧凑型解决方案,适合现代小型化电子产品的设计要求。其表面贴装型安装方式方便了自动化生产和更高效的制造过程。
应用场景 BC857A晶体管特别适合于各种需要高效率与紧凑设计的电子应用,例如:
总结 BC857A,215凭借其优秀的技术参数、广泛的应用范围以及高效的工作性能,成为现代电子设计中不可或缺的选择。无论是用于基本的信号放大,还是在复杂的工业控制系统中,该PNP晶体管都能展现出卓越的能力,满足各种客户需求。安世半导体(Nexperia)的这一产品,以其可靠性和优越性能,助力设计师和工程师打造高效、稳定的电子产品。