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IRFP4110PBF
- 商品编码： BM0000281015复制
- 品牌： Infineon(英飞凌)复制
- 封装： TO-247AC复制
- 包装： 管装复制
- 重量： 8.2g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 370W 100V 120A 1个N沟道复制
IRFP4110PBF参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 180A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 370W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 9.62nF |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 670pF |
IRFP4110PBF手册
IRFP4110PBF概述
IRFP4110PBF 产品概述
一、基本信息
IRFP4110PBF 是一款由德国英飞凌（Infineon Technologies AG）制造的高性能N沟道MOSFET，具有卓越的电气特性和宽广的应用场合。该器件旨在为高效能电源转换和大功率开关应用提供解决方案，其在电源管理、电动机驱动、逆变器等领域表现出色。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的额定漏源电压为100V，适合在中高电压环境下使用。它的高耐压特性使其能够应用于多种需要高电压耐受性的电路中。
最大连续漏极电流（Id）: IRFP4110PBF提供高达120A的连续漏极电流能力（在接合温度Tc=25°C条件下）。这一特性使得该器件适用于大电流应用场合，尤其是在电动机驱动和大功率电源转换中。
导通电阻（Rds(on)）: 在Vgs为10V且Id为75A的情况下，最大导通电阻仅为4.5毫欧。这一低导通电阻显著降低了在大电流流过时的功率损耗，提高了整体能源的利用率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流下，Vgs(th)的最大值为4V。这表明该器件在相对较低的栅电压下即可实现导通，便于实现有效的栅极驱动控制。
栅电荷（Qg）: 在10V的栅源电压下，最大栅电荷为210nC。较低的栅电荷意味着该器件可以更快地开启和关断，适合快速交换应用。
输入电容（Ciss）: 在50V下的输入电容最大值为9620pF，为实现高频开关性能提供了基础。
功率耗散（Pd）: 在Tc为25°C的条件下，IRFP4110PBF的最大功率耗散能力为370W。这为提升系统散热设计提供了空间。
工作温度范围: 该MOSFET能够在-55°C到175°C的宽温范围内稳定工作，适应多种严苛环境下的使用。
三、封装特性
IRFP4110PBF采用TO-247AC封装，具备大表面积散热特性，便于快速散热。因此，适合高功率和高温应用。通孔安装方式使其应用于标准PCB设计中变得简便，广泛适用于各类电子设备。
四、应用领域
由于其特有的高性能参数，IRFP4110PBF被广泛应用于多种电子和电力工程，包括但不限于：
开关电源: 被应用于高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器。
电动机控制: 被用于电动工具、家电和电动车辆的电机驱动系统。
逆变器应用: 用于光伏发电和风能逆变器，提升能源转换效率。
高频开关电路: 由于其快速的开关性能，IRFP4110PBF非常适合于高频开关电路。
五、总结
IRFP4110PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，具有100V/120A/370W的优越性能参数，满足严苛的工业需求及高效能应用。其低导通电阻、宽工作温度范围及高耐压特性，使得该产品在现代电子电力系统中展示了广泛的适用性与可靠性。无论是在电源转换还是电动机驱动方面，IRFP4110PBF均是值得信赖的选择，适合各种先进电力电子应用。