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BCP56-16,115
- 商品编码： BM0000281738复制
- 品牌： Nexperia(安世)复制
- 封装： SOT-223复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.204g复制
- 描述： 三极管(BJT) 960mW 80V 1A NPN复制
BCP56-16,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W |
| 直流电流增益(hFE) | 63 |
| 特征频率(fT) | 180MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个NPN |
BCP56-16,115手册
BCP56-16,115概述
BCP56-16,115 是一款高性能的 NPN 型晶体管，由知名供应商 Nexperia（安世）生产。该晶体管主要用于信号放大和开关应用，凭借其卓越的电气性能，适用于各种电子设备和电路设计。
产品参数概述
额定功率: BCP56-16,115 的额定功率为 960mW。这意味着它能够在相对高负载下稳定工作，适合需要较高功率处理的应用场景。
集电极电流(IC): 此晶体管的最大集电极电流为 1A，提供强大的电流承载能力，能够满足多种电路要求，尤其是在驱动负载时。
集射极击穿电压(Vce): BCP56-16,115 的最大集射极击穿电压为 80V，这一特性使得其在高压环境下稳定工作，适合电压变化较大的应用。
饱和压降: 在不同的集电极电流和基极电流条件下，晶体管的 Vce 饱和压降（最大值）为 500mV（在 50mA 和 500mA 的集电极电流时测得）。这一特性在开关应用中至关重要，因为较低的饱和压降可以提高整体系统效率。
集电极截止电流: BCP56-16,115的最大集电极截止电流为 100nA（ICBO），代表其优秀的截止特性，有助于提高电路的稳定性和降低功耗。
直流电流增益(hFE): 在 150mA 和 2V 的条件下，此器件具有至少 100 的 DC 电流增益，这使得它在放大信号时效率极高，能够有效提高流过负载的电流。
频率特性: 该晶体管的频率跃迁可达 180MHz，适合在高频率应用中使用，如RF和高频开关电路。
工作温度: BCP56-16,115 的工作温度范围可达 150°C，适应严苛的工作环境，这使得它在汽车电子和工业控制等领域有良好的应用。
封装和安装类型: 本产品采用表面贴装型封装（SOT-223），适合现代电子设备的小型化设计，便于自动化生产与安装。
应用场景
BCP56-16,115 是一款多用途的晶体管，广泛应用于以下场景：
- 信号放大: 利用其高增益特性，在音频、视频以及其他小信号应用中非常适合。
- 开关电路: 在电源管理、马达控制、继电器驱动及其他需要控制大电流的场合表现优异。
- 射频电路: 由于其高频特性，它能够被用于射频发射和接收设备，满足多种无线通信应用的需求。
总结
BCP56-16,115 是一款性价比极高的 NPN 晶体管，其高额定功率、高集电极电流、宽工作温度范围及优良的频率性能使其成为多种电子项目的理想选择。其多功能性和可靠性使其在现代电子设计中具有重要地位，是集成电路设计师和电子工程师不可或缺的组件之一。