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NX7002AKW,115

- 商品编码: BM0000283036复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SC-70复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.022g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 220mW;1.06W 60V 170mA 1个N沟道复制
NX7002AKW,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 220mW;1.06W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 栅极电荷量(Qg) | 430pC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 17pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NX7002AKW,115手册
NX7002AKW,115概述
产品概述:NX7002AKW,115
一、产品简介
NX7002AKW,115 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商 Nexperia(安世)生产。该器件设计为表面贴装型,适用于各种电子应用中,特别是需要高效能和高可靠性的场合。其封装采用 SOT-323 尺寸,便于在空间受限的电路板上实现紧凑布局。
二、关键特性
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的 Vgs 条件下,最大导通电阻为 4.5 欧姆(在 100mA 的漏电流下测试),确保在工作时能有效降低功耗。
- 工作电压和电流: 最大漏源电压(Vdss)为 60V,最大连续漏极电流(Id)为 170mA,支持多种常见应用电源的需求。
- 驱动电压: 适合 5V 和 10V 的驱动条件,为设计者提供了灵活的选择,尤其是在逻辑电平信号驱动的情况下表现出色。
- 高工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其适用于极端环境条件下的应用,如汽车和工业设备。
- 低输入电容: 最大输入电容(Ciss)为 17pF @ 10V,提供更快的开关速度,有助于提高电路的响应速度和效率。
- 栅极电荷(Qg): 在 4.5V 的 Vgs 条件下,栅极电荷最大值为 0.43nC,适合高频率应用,有助于减少驱动功耗。
三、技术参数
- 安装类型: 表面贴装型
- 功率耗散: 220mW(环境温度下),1.06W(结温),为设备稳定运行提供保障。
- Vgs(最大值): ±20V,确保器件在高电压干扰环境下依旧能够安全工作。
- 门极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 2.1V @ 250µA,确保器件在低电压条件下也能可靠开启。
四、应用领域
NX7002AKW,115 适用于以下应用场合:
- 便携式电子设备: 由于其小巧的封装和低功耗特点,适合用于手机、平板电脑等设备。
- 工业控制系统: 具有良好的温度稳定性和耐受性的特点,使它适合在工业控制和自动化设备中使用。
- 电源管理: 能够高效地转换和调节电源,在电源管理电路中表现突出。
- 汽车电子: 在苛刻环境下的可靠性使其成为汽车电子设备的理想选择,如电子控制单元(ECU)。
五、总结
NX7002AKW,115 是一款高效能和高可靠性的 N 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子设备和工业应用。它以其出众的电气性能、耐高温特性以及灵活的工作条件,成为设计者的理想选择。无论是在高频率开关应用,还是在要求低功耗的场景中,这款 MOSFET 都能提供理想的性能表现。选择 NX7002AKW,115,意味着选择了一种具备创新技术与坚固可靠性的解决方案。
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