IRFB4020PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFB4020PBF

商品编码: BM0000285930
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 100W 200V 18A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
3057(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.94
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.94
--
1000+
¥2.8
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB4020PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,11A
功率(Pd)100W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)20pF工作温度-55℃~+175℃

IRFB4020PBF手册

IRFB4020PBF概述

IRFB4020PBF 产品概述

IRFB4020PBF 是由知名半导体公司英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该产品主要设计用于需要高效率和较高电压的功率转换应用,特别适合用于开关电源、逆变器、电机驱动及其他要求严格的电源管理系统。其卓越的电气特性和可靠的工作性能,使其成为众多行业中广泛使用的选择之一。

主要特性

  1. 电气性能

    • 漏源电压 (Vds): IRFB4020PBF 的最大漏源电压为200V,足以满足大多数高电压应用的需求。
    • 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下,IRFB4020PBF 可提供高达18A的连续漏极电流。在适当的散热条件下,能够承受更高的电流值,最大功率耗散达到100W。
    • 导通电阻 (Rds On): 在Vgs = 10V的条件下,导通电阻可低至100毫欧,确保高效的电能传输并降低功耗。
  2. 阈值电压 (Vgs(th))

    • IRFB4020PBF 的阈值电压(Vgs(th))最大为4.9V @ 100µA,这使得其在较低电压下也能实现导通,非常适合低电压区域的应用。
  3. 栅极电荷 (Qg)

    • 最大的栅极电荷为29nC @ 10V,具备良好的开关特性,可确保快速开启和关闭,提高系统的整体效率。
  4. 工作温度范围

    • IRFB4020PBF 能够在极端的环境条件下工作,工作温度范围从 -55°C 到 175°C,非常适合于汽车及工业应用。
  5. 输入电容 (Ciss)

    • 最大输入电容为1200pF @ 50V,能够有效降低开关损耗,尤其是在高频率工作条件下。
  6. 封装特点

    • 采用TO-220AB封装,便于散热和安装。其通孔安装设计提高了散热效率,为高功率应用提供了良好的解决方案。

应用领域

IRFB4020PBF 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 适用于高效率的AC/DC和DC/DC转换器,帮助实现高能效。
  • 电机驱动: 在电机控制和驱动电路中,提供强大的性能支持。
  • 逆变器: 适用于太阳能逆变器和UPS系统中,支持高压和高电流的转换要求。
  • 电源管理系统: 在各种电子产品和系统中,实现高效的电能管理和调度。

竞争优势

在同类产品中,IRFB4020PBF 的高效率和良好的热管理能力使其具有明显的竞争优势。较低的导通电阻和快速的开关特性可显著提高系统的整体性能,同时减少能耗。此外,广泛的工作温度范围和超高的可靠性使其在严苛环境下依然具备良好的稳定性,从而为各类应用提供了强有力的支持。

总结

IRFB4020PBF代表了现代MOSFET技术的高标准,凭借其卓越的性能和灵活的应用范围,成为了各类功率电子应用的理想选择。无论是在电源转换、工业设备还是汽车电子等领域,其都能提供出色的电气特性和可靠性,是追求效率及高性能设计的重要组成部分。