2SC5658T2LQ参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 特征频率(fT) | 180MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 数量 | 1个NPN |
2SC5658T2LQ手册
2SC5658T2LQ概述
2SC5658T2LQ 产品概述
基本信息
2SC5658T2LQ 是由ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能NPN晶体管,适用于广泛的电子应用。这款晶体管的关键参数包括额定功率 150mW,集电极电流 (Ic) 达到 150mA,以及集射极击穿电压 (Vce) 为 50V。得益于其卓越的电气性能和紧凑的体积,2SC5658T2LQ 在现代电子电路中的应用非常广泛。
主要参数
- 额定功率: 150mW
- 集电极电流 (Ic): 最大 150mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大 100nA
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 400mV 对于 5mA 和 50mA 的 Ic
- DC 电流增益 (hFE): 最小 120(在 1mA 和 6V 条件下)
- 频率 - 跃迁: 180MHz
- 工作温度: 最高可达 150°C (TJ)
封装与安装
2SC5658T2LQ 采用 VMT3(SOT-723)封装,适合表面贴装(PMT)类型的安装。这种小型化设计不仅省空间,同时也可以提高电路的集成度。SOT-723 封装在工业和消费电子领域得到了广泛的应用,能够有效降低电路板的设计复杂性。
应用领域
由于其优秀的电流增益、低饱和压降和高频特性,2SC5658T2LQ 极为适合用于多种场合,例如:
信号放大器: 可用于音频信号的前级放大或射频信号放大,在通信设备,如无线电和对讲机等,确保信号的清晰传输。
开关应用: 在功率开关电路中,利用其 NPN 特性可作为开闭控制元件,尤其在低功率负载下表现尤为出色。
振荡电路: 由于其高频特性,适合用于振荡器电路,支持布置诸如信号产生和调制的应用。
LED 驱动: 可以作为LED灯驱动电路中的开关元素,使得LED能够在被控制的情况下正常工作。
性能优势
- 高效能与低功耗: 在额定功率仅为150mW的情况下,2SC5658T2LQ 能够承受高达150mA的集电极电流,使其适合设计小型但性能强大的电路。
- 高频特性: 180MHz的跃迁频率使其能在高速信号传递中保持稳定工作,这对于需要快速响应的电子产品而言,极具意义。
- 热稳定性: 最高可承受150°C的工作温度,使其在高温环境下依然能够稳定工作,适用于各种严苛环境的电路。
结论
综合考虑,2SC5658T2LQ 是一款在现代电子设计中更为重要的元器件,凭借其高效的电气性能、小巧的封装以及合适的工作温度范围,成为各种电子应用中的理想选择。无论是信号放大、开关控制、振荡器,还是LED驱动,2SC5658T2LQ 都能够提供可靠的性能,助力设计师和工程师实现高效、紧凑的电子产品。这使得 2SC5658T2LQ 不仅在技术上具备优势,同时也是在市场上极具竞争力的产品。
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