
ROHM(罗姆)
品牌产品
类目:
- 贴片电阻
- 稳压二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 数字晶体管
- 三极管(BJT)
- 发光二极管/LED
- 线性稳压器(LDO)
- 监控和复位芯片
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- EEPROM
- 开关二极管
- DC-DC电源芯片
- 电流采样电阻/分流器
- 快恢复/高效率二极管
- 运算放大器
- 功率电子开关
- IGBT管/模块
- 通用二极管
- 预售晶体管
- AC-DC控制器和稳压器
- 有刷直流电机驱动芯片
- LED驱动
- 比较器
- 碳化硅二极管
- 槽型光电开关(光电晶体管输出)
- 步进电机驱动芯片
- 激光二极管
- 栅极驱动芯片
- 钽电容
- LCD驱动
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 环境光传感器
- 霍尔开关
- 排阻
- 音频功率放大器
- RGB LED
- 音频接口芯片
- 专业电源管理(PMIC)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 达林顿管
- 模拟开关/多路复用器
- LED数码管
- 其他模块
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 开发板
- 红外发射管
- 姿态传感器/陀螺仪
- 电池管理
- 逻辑门
- LIN收发器
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 数模转换芯片DAC
- 温控开关
- 其他接口
- CAN收发器
- 触摸屏控制器
- LVDS芯片
- 线性霍尔传感器
- 磁性角度传感器
- 光电晶体管
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- 电流感应放大器
- 反射式光电开关
- 音视频模块
- 反相器
- 移位寄存器
- ADC/DAC-专用型
- 专用时钟/计时
- 温度传感器
- 专用传感器
- 射频开关
- 电机驱动芯片
- 实时时钟(RTC)
- 数码管驱动
- 射频模块
- 视频放大器
- 特殊功能放大器
- 非易失性存储器(ROM)
- 铁电存储器(FRAM)
- 半导体放电管(TSS)
- 视频接口芯片
- 传感器模块
- RF混频器
- RF检波器
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 位置传感器
- 继电器/线圈驱动芯片
- 功率因数校正(PFC)控制器
- 固态电容
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 以太网收发器
- 仿真器/烧录器
- 结型场效应管(JFET)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 达林顿晶体管阵列
封装:
- 0603
- SMD
- 1206
- 0805
- 1210
- SOT-23
- 0402
- SOD-128
- TO-252
- SOT-323
- 805
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 0612
- SOD-123FL
- SOD-323FL
- SOP-8
- HTSOP-J8
- SOD-123F
- SOT-723
- SOD-523
- SSOP-5-1.6MM
- 1225
- SSOP-5
- SC-75(SOT-416)
- SOIC-8
- SOT-416
- SOD-923
- SOT-89
- 2512
- 0603(1608 公制)
- SC-70(SOT-323)
- TO-247N
- DO-214AC(SMA)
- SOT-363
- 插件
- SC-79(SOD-523)
- 0805(2012 公制)
- 402
- SMA(DO-214AC)
- TSMT3
- PMDTM
- TO-277A
- PMDU
- SOD-323HE
- 2010
- SOD-323
- SSD3 (SOT-23-3)
- UMD2
- SOIC-8-175MIL
- TUMD2M
- TO-247-4L
- HSOP-8
- UMD2 (SOD-323FL) (SC-90A)
- TO-252GE
- MSOP-8
- SC-90(SOD-323F)
- TO-243AA
- TSMT6(SC-95)
- UMT3
- TQFP
- 1206(3216 公制)
- TO-252-5
- 0508
- TO-220AB
- TO-247G
- SOD-123
- SOT-346
- PMDTM (SOD-128) [2.50 X 4.70 X 1.05 MM]
- SOT-563
- SC-96
- SOT-457
- TSMT-3
- HTSOP-8-J
- PMDU (SOD-123FL) (SC-109B)
- 603
- SMT3
- LPTS
- SSD3
- TO-220FM
- EMD2
- SC-59
- SOT-563(SOT-666)
- SSOP5 [2.90 X 2.80 X 1.25 MM]
- TSMT8
- 1210(3225 公制)
- SOT-323-3
- SSOP5
- SST3(SOT-23-3)
- UMT3F
- 1608(0603)
- SC-70
- SOP8
- EMD2 (SOD-523) (SC-79)
- SOD-323FL(SC-90A)
- SSOP-3
- TO-252-3
- UMT-3
- HSMT-8(3X3.2)
- SOD-323F
- SOT-416FL
- TUMD2SM
- DIP-4
- EMT6
- SC-95
- DIPK-7
- SOD-962
- SOT-23-3
- 1020
- MSOP-8-2.8MM
- PMDE
- SC-89
- SOP8 [5.00 X 6.20 X 1.71 MM]
- UMT3 (SOT-323) (SC-70)
- SSOP-6
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- VSON008X2030
- 1305
- 8-SOP
- HTSSOP-24-EP-5.6MM
- SC-90
- SMT3 (SOT-346) (SC-59)
- SOD-106
- SOP-8-J
- SOT-353
- SOT-353-5
- TO-252-2(DPAK)
- 0402(1005 公制)
- 0612(1632 公制)
- 1208
- DFN2020-8D
- MPT3(SOT-89)
- SC-79
- SMD-2P
- SSOP-B14
- TSMT-8
- HRP5
- SOP-J8
- SST3
- TO-220FP
- TO-277GE
- 01005
- 8-SOP-J
- DIP-7
- DO-214AC
- SC-89(SOT-490)
- TO-263-7L
- UMT6
- WQFN
- WSOF-5
- 径向
- DO-214AA(SMB)
- EMT3
- HRP-5
- HVSOF-5
- SOP-8-EP
- SST3 (SOT-23-3)
- TO-220ACFP
- TO-252 (TL)
- TO-263-7
- TUMT6
- VMN2M
- VMN2M (SOD-923) [1.00 X 0.60 X 0.40 MM]
- 2-PLCC
- CASE-A-3216-18(MM)
- CPT3
- EMT3F
- HTSOP-8-EP
- HTSSOP-20-EP
- HVSOF5
- SOP-8-4.4MM
- SSOP-3-1.6MM
- TO-247
- TO-247GE
- TO-263-3
- TSMT6
- UMT3F (SOT-323FL) (SC-85)
- VMT3
- XFBGA-4
- 2012(0805)
- 5MM (T-1 3/4)
- MPT3 (SOT-89-3) (SC-62)
- SC-105AA
- SMBP
- SOT-23-6
- TO-252-3 (DPAK) (SC-63)
- TO-263
- TO-3PFM
- TSMT3 (SOT-346T) (SC-96)
- VMT3 (SOT-723) (SC-105AA)
- WSOF-6
- 0201
- 0603X4
- 8-TSSOP-B
- DIP-10
- DIP-7K
- HTSOP-J8 [4.90 X 6.00 X 1.00 MM]
- SMA
- SOP-14
- SOP-8-175MIL
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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二极管配置:独立式复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
正向压降(Vf):1.2V@100mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制库存:2090637复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0555
3000+¥0.044
合计¥0.06
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二极管配置:独立式复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
正向压降(Vf):1.2V@100mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.05439
合计¥0.05
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):250mA复制
导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道复制库存:956838复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.09427
3000+¥0.0748
合计¥0.09
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN复制库存:831438复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0907
3000+¥0.072
合计¥0.09
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN复制库存:21复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.088886
合计¥0.09
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数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):50mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制库存:823127复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.111875
3000+¥0.08875
合计¥0.11
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二极管配置:独立式复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
正向压降(Vf):1.2V@100mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制库存:602825复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0634
8000+¥0.052
合计¥0.06
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二极管配置:独立式复制
整流电流:100mA复制
直流反向耐压(Vr):80V复制
正向压降(Vf):1.2V@100mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制库存:933复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.062132
合计¥0.06
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数量:1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制库存:367400复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.12875
3000+¥0.1025
合计¥0.13
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晶体管类型:PNP复制
集电极电流(Ic):800mA复制
集射极击穿电压(Vceo):32V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 32V 800mA PNP复制库存:366623复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
9.5折
1+¥0.19
3000+¥0.1672
合计¥0.19
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):350mV@1A复制
直流反向耐压(Vr):20V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 350mV@1A 20V 700uA@20V 1A复制库存:284800复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.4004
3000+¥0.374
合计¥0.4
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制库存:211856复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.101
3000+¥0.08
合计¥0.1
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):150mA复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制库存:3复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.09898
合计¥0.1
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):550mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 550mV@100mA 40V 10uA@40V 200mA复制库存:180840复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0793
8000+¥0.065
合计¥0.08
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):550mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 550mV@100mA 40V 10uA@40V 200mA复制库存:8复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.077714
合计¥0.08
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):580mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 580mV@200mA 30V 1uA@10V 200mA复制库存:166063复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0781
8000+¥0.064
合计¥0.08
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):580mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 580mV@200mA 30V 1uA@10V 200mA复制库存:21复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.076538
合计¥0.08
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):580mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 580mV@200mA 30V 1uA@10V 200mA复制库存:2复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5折
1+¥0.074195
合计¥0.07
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):200mA复制
导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@1.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制库存:158228复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.101
8000+¥0.0831
合计¥0.1
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id):200mA复制
导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@1.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制库存:92复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.09898
合计¥0.1
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二极管配置:1个独立式复制
稳压值(标称值):3.3V复制
反向电流(Ir):80uA@1V复制
稳压值(范围):3.3V~3.7V复制
描述:稳压二极管 独立式 3.3V 3.3V~3.7V 80uA@1V复制库存:132053复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.3157
3000+¥0.2794
合计¥0.32
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):2A复制
导通电阻(RDS(on)):450mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 60V 2A 1个N沟道复制库存:129669复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.7667
1000+¥0.7073
合计¥0.77
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