ROHM(罗姆)
主营产品
集成电路（IC）分立元件LED驱动器电源管理IC电机驱动器传感器IC激光二极管光学传感器钽电容器模块等
应用领域
电动汽车工业自动化消费电子医疗设备智能家居LED照明可再生能源
类目：
- 贴片电阻
- 稳压二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 数字晶体管
- 线性稳压器(LDO)
- 三极管(BJT)
- 发光二极管/LED
- 监控和复位芯片
- EEPROM
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- DC-DC电源芯片
- 运算放大器
- 开关二极管
- 快恢复/高效率二极管
- 功率电子开关
- 电流采样电阻/分流器
- IGBT管/模块
- 通用二极管
- LED驱动
- 比较器
- AC-DC控制器和稳压器
- 有刷直流电机驱动芯片
- 步进电机驱动芯片
- 栅极驱动芯片
- 碳化硅二极管
- 激光二极管
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 环境光传感器
- 霍尔开关
- 专业电源管理(PMIC)
- 槽型光电开关(光电晶体管输出)
- 模拟开关/多路复用器
- LCD驱动
- RGB LED
- 达林顿管
- 音频接口芯片
- 红外发射管
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 音频功率放大器
- 数模转换芯片DAC
- 电池管理
- 姿态传感器/陀螺仪
- 开发板
- 其他模块
- LED数码管
- 缓冲器/驱动器/收发器
- LIN收发器
- 逻辑门
- 排阻
- 钽电容
- 视频接口芯片
- 其他接口
- 音视频模块
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 光电晶体管
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- CAN收发器
- 电流感应放大器
- ADC/DAC-专用型
- 温控开关
- 射频开关
- 线性霍尔传感器
- 磁性角度传感器
- 移位寄存器
- 实时时钟(RTC)
- 触摸屏控制器
- USB转换模块
- 射频模块
- 视频放大器
- 非易失性存储器(ROM)
- 模数转换芯片ADC
- 压力传感器
- 专用传感器
- 反射式光电开关
- LVDS芯片
- 无线充放电芯片
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 电机驱动芯片
- 数码管驱动
- 以太网收发器
- 结型场效应管(JFET)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 智能功率模块(IPM)
- 特殊功能放大器
- 温度传感器
- 传感器模块
- RF混频器
- 槽型光电开关(逻辑输出)
- 心率传感器
- 3D磁传感器
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 电机驱动芯片
- 仿真器/烧录器
封装：
- 0603
- 1206
- 0805
- 1210
- SOT-23
- 0402
- TO-252
- SOD-128
- TO-236-3(SOT-23-3)
- SSOP-5
- 805
- SOT-323
- SOD-323FL
- HTSOP-J8
- SOP-8
- 0612
- SMD
- SOT-723
- SOD-123FL
- SOD-123F
- 1225
- SSOP-5-1.6MM
- SOIC-8
- SOD-523
- SOD-923
- 402
- TUMD2M
- SC-70(SOT-323)
- SOT-416
- SOD-323HE
- SOT-89
- SC-75(SOT-416)
- TO-247N
- HTSOP-8-J
- SC-90(SOD-323F)
- SOT-363
- TSMT3
- SC-79(SOD-523)
- 插件
- 2512
- MSOP-8
- HSOP-8
- 2010
- TO-220FM
- 8-SOP
- DO-214AC(SMA)
- SOIC-8-175MIL
- TO-277A
- SMA(DO-214AC)
- VSOF-5
- SOD-323
- SSD3 (SOT-23-3)
- TO-247-4L
- TSMT6(SC-95)
- TO-252GE
- TSMT-3
- VSON008X2030
- SST3(SOT-23-3)
- SC-96
- SOT-563(SOT-666)
- TO-252-5
- SOT-346
- TO-243AA
- TO-247G
- SSOP-3
- 603
- EMT6
- SOT-457
- SOD-323FL(SC-90A)
- TQFP
- UMT3F
- 0508
- 0805(2012 公制)
- TO-220FP
- UMD2 (SOD-323FL) (SC-90A)
- PMDTM (SOD-128) [2.50 X 4.70 X 1.05 MM]
- 0603(1608 公制)
- TO-220AB
- UMT3
- 8-TSSOP-B
- LPTS
- SOT-416FL
- UMT-3
- 8-MSOP
- SSOP-6
- PMDU (SOD-123FL) (SC-109B)
- SOD-123
- SOP-8-J
- SSOP5 [2.90 X 2.80 X 1.25 MM]
- TSMT8
- 1608(0603)
- HVSOF-5
- MSOP-8-2.8MM
- SOT-323-3
- 8-SOP-J
- SC-89
- SC-90
- SOT-563
- TO-247
- SC-59
- SMD-2P
- SOP-4
- 1206(3216 公制)
- SOD-106
- SOD-323F
- SSOP-3-1.6MM
- UDFN-4-EP
- 0402(1005 公制)
- SC-70
- SC-95
- SOT-23-6
- 0612(1632 公制)
- 1210(3225 公制)
- SC-89(SOT-490)
- SOP8 [5.00 X 6.20 X 1.71 MM]
- 径向
- 1208
- DIPK-7
- PMDU
- TO-220CP-3
- TSMT-8
- UMT6
- HSMT-8(3X3.2)
- SMT3
- SOT-23-3
- 1020
- 8-SSOP-B
- SC-85
- TO-220ACFP
- TO-252 (TL)
- TO-252-3
- HRP-5
- HTSOP-8-EP
- PMDE
- SC-74A(SOT-753)
- SOD-962
- SSOP-B14
- TO-263-8
- TO-277GE
- 0201
- DFN2020-8D
- DIP-4
- HVSOF-6
- SOT-353
- SOT-353-5
- TO-220FN
- TO-247GE
- TO-263
- TO-263-3
- TSSOP-8
- TUMD2SM
- 5-SSOP
- PMDTM
- SMT3 (SOT-346) (SC-59)
- TSMT5
- TUMT6
- UMT3 (SOT-323) (SC-70)
- 1305
- 2012(0805)
- EMD2 (SOD-523) (SC-79)
- SC-79
- SOT-416F
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- UMD3F
- 2-PLCC
- HSMT-8(3.2X3)
- HTSSOP-20-EP
- SMBP
- SOP-14
- SOP-8-4.4MM
- SOT-323(SC-70)
- T0-263S
- TO-252-2(DPAK)
- TO-263-7
- TO-263-7L
- UMD2
- DIP-7
- HTSOP-J8-EP
- HTSSOP-24-EP-5.6MM
- MPT3(SOT-89)
- TO-263S
- VMT3(SOT-723)
- WQFN
- 8-TSSOP-BJ
- DO-214AA(SMB)
- DO-214AC
- HSMT-8
- SOP-4-1.3MM
- SSOP-8-B
- TSMT3 (SOT-346T) (SC-96)
- HTSOP-J8 [4.90 X 6.00 X 1.00 MM]
- MPT3 (SOT-89-3) (SC-62)
- SMD,1.6X1.2MM
- SOP-8-EP
- SOT-223-4
- SOT-323FL
- SSOP-14-4.4MM
- SSOP-14-B
- SST3 (SOT-23-3)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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二极管配置：独立式复制
整流电流：100mA复制
直流反向耐压(Vr)：80V复制
正向压降(Vf)：1.2V@100mA复制
描述：开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制库存：1736254复制
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RoHS
批次：26+
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存：671370复制
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RoHS
批次：26+
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漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：200mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@1.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制库存：655469复制
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RoHS
批次：两年内
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：200mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@1.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制库存：92复制
最小包 : 8000复制
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RoHS
批次：两年外
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数量：1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制库存：628274复制
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制库存：588789复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.111875
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：100mA复制
导通电阻(RDS(on))：3.8Ω@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 150mW 20V 100mA 1个P沟道复制库存：554572复制
最小包 : 8000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.122
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN复制库存：475730复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：两年内
1+￥0.0866
3000+￥0.0687
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN复制库存：21复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：两年外
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：250mA复制
导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道复制库存：349941复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.10395
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存：321340复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.0983
3000+￥0.078
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二极管配置：1个独立式复制
稳压值(标称值)：3.3V复制
反向电流(Ir)：80uA@1V复制
稳压值(范围)：3.3V~3.7V复制
描述：稳压二极管 独立式 3.3V 3.3V~3.7V 80uA@1V复制库存：293955复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.279
3000+￥0.247
合计￥0.28
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二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：540mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr)：40V复制
整流电流：200mA复制
描述：肖特基二极管 540mV@200mA 40V 90uA@40V 200mA复制库存：280554复制
最小包 : 8000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.0806
8000+￥0.066
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制库存：279589复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.0668
3000+￥0.053
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制库存：279216复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.0907
3000+￥0.072
合计￥0.09
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数量：1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制库存：2复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.088886
合计￥0.09
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制库存：275920复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.0996
3000+￥0.079
合计￥0.1
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制库存：1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.097608
合计￥0.1
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