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ROHM(罗姆) 品牌logo图

ROHM(罗姆)

罗姆半导体集团(ROHM Semiconductor)成立于1958年,总部位于日本京都市,是全球知名的半导体制造商。作为一家跨国公司,罗姆始终坚持“品质第一”的企业宗旨,致力于为客户提供高品质的电子元器件。经过多年的发展,罗姆的产品涵盖了集成电路(IC)、分立元件、光学元件、无源元件及模块等多个领域。公司在全球设有多个研发和生产基地,包括中国的天津和大连工厂,确保能够快速响应市场需求并提供技术支持。罗姆在电动汽车、工业自动化、消费电子等领域拥有广泛的应用,凭借其创新的技术和优质的产品,已成为行业内的重要参与者。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
1SS355VMTE-17 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOD-323F复制
15领取
二极管配置独立式复制
整流电流100mA复制
直流反向耐压(Vr)80V复制
正向压降(Vf)1.2V@100mA复制
描述:开关二极管 独立式 1.2V@100mA 80V 100mA复制
库存:1956677复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0529
3000+0.042
量大可议价
合计0.05
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2SB1197KT146R 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SC-59-3复制
15领取
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)800mA复制
集射极击穿电压(Vceo)32V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 32V 800mA PNP复制
库存:471583复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.207
3000+0.183
量大可议价
合计0.21
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RUM002N02T2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)200mA复制
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@1.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制
库存:445965复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.102
8000+0.084
量大可议价
合计0.1
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2SC2412KT146R 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346/SC-59复制
15领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 50V 150mA NPN复制
库存:405442复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.092
3000+0.073
量大可议价
合计0.09
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DTA114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346复制
15领取
数量1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制
库存:399289复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.12625
3000+0.1
量大可议价
合计0.13
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DTC144EMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置复制
库存:304990复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.122
8000+0.1
量大可议价
合计0.12
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EM6M2T2R 产品实物图片
自营EM6M2T2R复制
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-563(SOT-666)复制
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数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)200mA复制
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道+1个P沟道复制
库存:232000复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.3696
8000+0.336
量大可议价
合计0.37
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DTC114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
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数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)50mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制
库存:210771复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.111875
3000+0.08875
量大可议价
合计0.11
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DTC043ZMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:210119复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.102
8000+0.084
量大可议价
合计0.1
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DTC143EMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
15领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:208000复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.12
8000+0.108
量大可议价
合计0.12
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RK7002BMT116 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-23复制
15领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)250mA复制
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道复制
库存:198292复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.1111
3000+0.088
量大可议价
合计0.11
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BU52077GWZ-E2 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:XFBGA-4复制
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类型全极型复制
工作电压1.65V~3.6V复制
工作电流5uA复制
工作点(Gs)±19mT复制
描述:磁学量传感器复制
库存:193986复制
最小包 : 6000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.49234
6000+0.45114
量大可议价
合计0.49
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BA4560F-E2 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOIC-8-175mil复制
15领取
放大器数2复制
最大电源宽度(Vdd-Vss)30V复制
增益带宽积(GBW)10MHz复制
输入失调电压(Vos)500uV复制
描述:通用-放大器-2-电路-8-SOP复制
库存:188028复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.372
2500+0.341
量大可议价
合计0.37
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2SC4617TLR 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SC-75(SOT-523)复制
15领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)150mA复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN复制
库存:173123复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0989
3000+0.0785
量大可议价
合计0.1
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2SD1782KT146R 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
15领取
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)80V复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:三极管(BJT) 200mW 80V 500mA NPN复制
库存:150082复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.273
3000+0.242
量大可议价
合计0.27
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