FMG3AT148参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 2个NPN-预偏置(发射极耦合) |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 晶体管类型 | NPN |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 输入电阻 | 4.7kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
FMG3AT148手册
FMG3AT148概述
FMG3AT148 产品概述
FMG3AT148 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的双 NPN 预偏置晶体管。该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,符合现代电子设备对空间和布局的需求。它的主要应用领域包括数字电路、开关电源、放大器以及各种消费电子设备,特别适合需要小型化、高效能的电路设计。
主要特性
双 NPN 设计: FMG3AT148 包含两个独立的 NPN 晶体管,可以在一个封装内提供多种功能,极大地提高了设计的灵活性和电路集成度。
电流与电压规格:
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA,适合需要适中电流驱动的应用。
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V,保障了在大多数电子应用中的安全运行。
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大可达 500nA,表现出优异的电流泄漏特性,适用于电池供电的低功耗设计。
增益与饱和压降:
- 直流电流增益 (hFE): 在1mA和5V条件下,最小值为 100,确保在工作过程中能够获得良好的放大性能。
- Vce 饱和压降: 在250µA和5mA的工作状态下,饱和压降最大仅为150mV,减少了功耗,提高了效率。
频率特性: 具备250MHz的跃迁频率,表明该晶体管能够支持高频信号的处理,非常适合用于射频(RF)和高速数字电路中。
功率处理能力: 最大功率为300mW,适应了多种工作环境下的需求,保证了设备的稳定性和可靠性。
封装与安装: FMG3AT148 采用 SC-74A (SOT-753) 封装,具有小体积、轻量化等优点,非常适合现代紧凑型电子产品。它的表面贴装技术(SMT5)使得其在自动化生产中的应用更加简便。
应用领域
FMG3AT148 适合多种应用场合:
- 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑和便携式设备等,用于信号放大和切换。
- 电源管理: 可以用作开关电源中的控制元件,帮助提高电源效率。
- 通信设备: 在无线通信和数字信号处理等场合中,作为电子开关和信号放大器。
- 专业音频设备: 在音频处理电路中提供高增益和低失真特性,以确保音质。
结论
FMG3AT148 是一款高效能、紧凑而可靠的双 NPN 预偏置晶体管,广泛应用于现代电子设备中。其优越的规格使其在高频应用中表现出色,同时在功耗控制和集成度方面也展现出强大的优势。ROHM 在此款产品上结合了先进的半导体技术与精湛的制造工艺,旨在为电子设计师提供可靠且高效的解决方案。选择 FMG3AT148,意味着选择了一款能够满足严苛性能要求的一流电子元器件。
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