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PBSS4540Z,115

- 商品编码: BM0001378639复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOT-223复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.138g复制
- 描述: 三极管(BJT) 2W 40V 5A NPN复制
PBSS4540Z,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 特征频率(fT) | 130MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 210mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN |
PBSS4540Z,115手册
PBSS4540Z,115概述
PBSS4540Z,115 产品概述
PBSS4540Z,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高效能 NPN 晶体管,专为多种电子应用设计。该器件采用表面贴装形式(SMD),采用 SOT-223 封装(SC-73-4),易于在现代电子设备中实现高密度布局。
主要特性
电流与电压规格
- 集电极电流(Ic)最大值:5A,适合大功率应用,能够处理较高的电流负载。
- 集射极击穿电压(Vceo):最大 40V,为器件提供可靠的工作电压范围,适合高电压环境。
饱和压降
- Vce 饱和压降: 355mV @ 500mA 和 5A,表明在高工作电流时,该器件的能量损耗较低,提升了整体效率。
直流电流增益(hFE)
- 最小值: 250 @ 2A, 2V,确保在高电流下仍具备良好的放大效能,能够满足大多数信号放大应用的需求。
功率处理能力
- 最大功率: 2W,支持多种功率配置,广泛适用于内置功率放大、开关电源和其他相关应用。
频率响应
- 跃迁频率: 130MHz,显示出该晶体管具备较好的高频特性,适合对信号迅速响应的应用场景,如 RF 电路。
工作温度
- TJ: 150°C,适应恶劣的工作环境,保证在高温条件下依然稳定工作。
应用领域
PBSS4540Z,115 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:
- 开关电源:该晶体管的高集电极电流和较低的饱和压降,使其成为高效开关电源设计的理想选择。
- 无线通讯:得益于较高的频率响应和增益特性,PBSS4540Z,115 可用于 RF 放大器和其他无线通讯设备中。
- 电机驱动:该器件能够满足电机启动和运行中较高的电流需求,适合各类电机控制器中使用。
- 传感器接口:在传感器应用中,良好的电流放大能力使其适合作为信号处理元件,确保有效的数据采集和处理。
封装与安装
PBSS4540Z,115 的 SOT-223 封装(SC-73-4)提供了小型化和轻量化的解决方案,符合现代电子设备的小型化趋势。其表面贴装类型(SMD)便于自动化生产,提高了组装效率,同时降低了生产成本。
总结
PBSS4540Z,115 是一款兼具高性能与高可靠性的 NPN 晶体管,其电流和电压能力使其在各种应用中表现出色。无论是用于电源管理、信号放大,还是在工业控制系统中,该器件均表现出了卓越的性能与灵活性。结合其较高的工作温度范围和优异的频率响应,使得 PBSS4540Z,115 在现代电子设计中成为极具吸引力的选择,为工程师们提供了丰富的设计可能性。
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