
注:图像仅供参考,请参阅产品规格


属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.4nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 2.895nF |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.439nF |
| 栅极电压(Vgs) | 20V |
AON7528是一款高性能的N-MOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产。其设计旨在提供优异的电气特性,广泛应用于各种电源管理和开关应用。该产品的封装形式为DFN(双面无引脚)3.3x3.3mm,器件的高度和性能使其在现代电子设计中相当受欢迎。
AON7528具有以下主要特性:
由于其优良的电气性能,AON7528广泛应用于以下领域:
相比于传统的双极型晶体管和其他类型的晶体管,AON7528具有一些显著的优势:
AON7528作为一款高性能的N-MOSFET,凭借其卓越的电气特性和多样的应用场合,成为现代电子产品设计中的重要元器件之一。无论是在电源管理、动力驱动或是消费电子领域,AON7528都表现出了强大的适应能力和效率,帮助设计工程师实现创新与节能设计的目标。对于寻求高性能和高可靠性的应用,选择AON7528无疑是一个理想的解决方案。