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IRFP4310ZPBF

- 商品编码: BM0058402720复制
- 品牌: Infineon(英飞凌)复制
- 封装: TO-247AC-3复制
- 包装: 管装复制
- 重量: 8.2g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 280W 100V 120A 1个N沟道复制
IRFP4310ZPBF参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 134A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 6.86nF |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
IRFP4310ZPBF手册
IRFP4310ZPBF概述
产品概述:IRFP4310ZPBF
简介
IRFP4310ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET,专为高电压和高电流应用设计,具有卓越的导通性能和热管理能力。该器件由全球知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)提供,适合多种工业和消费电子应用。
关键参数
IRFP4310ZPBF具备以下主要参数:
- FET 类型:N通道
- 漏源电压(Vdss):100V
- 最大连续漏极电流(Id):120A(在特定条件下)
- 最大导通电阻(Rds(on)):6毫欧(在75A、10V条件下)
- 驱动电压范围:10V
- 阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 150µA
- 栅极电荷(Qg):最大170nC @ 10V
- 输入电容(Ciss):6860pF @ 50V
- 功率耗散:最大280W(在Tc=25°C条件下)
- 工作温度范围:-55°C 至 175°C
- 封装:TO-247AC,适用于通孔安装
特点与优势
高效能:其低导通电阻(Rds(on))使得IRFP4310ZPBF在高电流工作条件下能够显著降低功耗和发热,提升整体效率。这一特性尤其在电源管理和电机驱动应用中极为重要。
高耐压:该器件的最大漏源电压为100V,使其能够在要求高电压的应用环境中稳定工作。此特性使其成为许多工业设备和电力电子产品的理想选择。
优越的热性能:IRFP4310ZPBF的设计考虑了高热量的管理,100V和120A的电流承载能力加上280W的功耗允许其在恶劣条件下长时间运行而不失去性能。
广泛的应用领域:由于其卓越的性能,IRFP4310ZPBF适用于各种高效电源转换器和逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高功率和高电压的应用。
宽温度工作范围:该MOSFET支持-55°C到175°C的宽温度范围,使其适用于严苛的环境应用,比如汽车、高海拔及工业环境,进一步增强了其适用性。
应用场景
- 电源管理系统:适用于高效的开关电源和DC-DC转换器,提供高效能和稳定性。
- 电动汽车驱动系统:在电动汽车和混合动力汽车中用于电动机控制及功率转换。
- 电机控制:可广泛应用于工业电机驱动器中,增强电机性能和效率。
- 可再生能源:在太阳能逆变器和风能转换系统中,提供可靠的能量转换和管理。
结论
IRFP4310ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压和出色的热管理能力,成为高功率电子设备和电源系统中不可或缺的关键组件。它适应了现代电子设备对高效率、可靠性和耐用性的需求,是工程师在设计和搭建先进电力电子系统时的首选器件。
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