2SCR502UBTL参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 特征频率(fT) | 360MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 200nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN |
2SCR502UBTL手册
2SCR502UBTL概述
2SCR502UBTL 产品概述
一、产品简介
2SCR502UBTL是一款高性能的NPN型晶体管,这种晶体管广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要有效放大信号或开关电流的应用场景。凭借其小巧的SC-85封装和卓越的电气性能,2SCR502UBTL成为了许多电子设计工程师的首选组件。其高达500mA的集电极电流能力与30V的集射极击穿电压,使其能够承受更高的电流和电压,为设计高效、可靠的电路提供了强大的支持。
二、主要参数
类型与结构
作为一种NPN型三极管,2SCR502UBTL的基本工作原理是通过小输入电流控制较大输入电流的导通与截止,实现信号的放大。其结构设计使得其在高频应用中表现出色,跃迁频率达到360MHz,适合用于高速开关电路。电气特性
- 集电极电流 (Ic):最大可达500mA,适合高功率应用。
- 集射极击穿电压 (Vce(BR)):最大值为30V,可在多种电压等级的电路中安全工作。
- 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的工作条件下,其饱和压降最大值为300mV(在10mA和200mA电流时),保证了在开关状态下低功耗、高效率。
- 集电极截止电流 (ICBO):最大值为200nA,表明该晶体管具有极低的漏电流,使其更加高效。
直流电流增益 (hFE)
在100mA及2V的条件下,2SCR502UBTL的最小直流电流增益hFE为200,确保了信号的稳定放大,对于不同的系统设计可提供合理的增益选择。功耗
最大功率额定为200mW,适合低功耗应用中使用,同时保证了组件在高温环境下的稳定性。工作温度
工作温度范围高达150°C(TJ),使该器件在严酷环境下依然表现出色,非常适合一些工业设备和汽车电子的应用需求。
三、封装与安装
2SCR502UBTL采用SOT-323-3(UMT3F)封装,这种小型表面贴装型设计便于在现代电子电路中节省空间,有助于提高电路的集成度。表面贴装的特性也使得该晶体管的焊接与组装更加便捷,适用于自动化生产线。
四、应用场景
由于其优越的电气特性,2SCR502UBTL可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
- 信号放大器:在音频设备和无线通信产品中用于信号的放大。
- 开关电路:在各种电子开关应用中,例如LED驱动、高频开关电源等。
- 汽车电子:适用于汽车中的传感器信号处理、继电器驱动等场合。
- 工业控制:在自动化系统中,用于控制高电流负载,提升系统的工作效率。
五、总结
2SCR502UBTL以其出色的电气性能和小型封装设计,在现代电子设备中承担着关键角色。无论是高频应用、低功耗设计,还是高温工作环境,该晶体管都能稳定地执行其功能,帮助工程师实现高效可靠的电路设计。罗姆为需求多样化的市场提供了这一高品质的元器件,其高性能特性让其成为当代电子产品设计的理想选择。




