BCW72LT1G参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个NPN |
BCW72LT1G手册
BCW72LT1G概述
BCW72LT1G 产品概述
BCW72LT1G 是一款高性能 NPN 晶体管,由安森美 (ON Semiconductor) 生产,属于 SOT-23-3 (TO-236) 表面贴装型封装。该三极管因其出色的电气性能和卓越的工作温度范围,广泛应用于数字电路、模拟电路和功率控制等各类电子设备中。
基本参数
BCW72LT1G 的基本电气参数如下:
- 类型:NPN
- 最大集电极电流 (Ic):100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vceo):45V
- 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的基极电流 (Ib) 下,250mV 的饱和压降在 500µA 和 10mA 电流条件下测得。
- 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 100nA,表明在关断状态下的电流损耗极低。
- 直流电流增益 (hFE):在 2mA 和 5V 条件下的最小值为 200,表明该晶体管能够有效地放大微小的输入信号。
- 最大功率 (Ptot):该器件适合于 300mW 的功率应用。
- 频率响应:在 300MHz 的跃迁频率下,BCW72LT1G 可以在较高频率下稳定工作,适合高速开关应用。
- 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,赋予了该器件在极端环境条件下的可靠性。
封装与安装
BCW72LT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)小型封装,使其适合于高密度的电路板设计。该表面贴装型设计不仅减小了器件的占用空间,还方便自动化组装和焊接,降低了生产成本。
应用领域
凭借其卓越的电气特性,BCW72LT1G 广泛应用于以下领域:
信号放大:在音频放大器和 RF 发送机中,该晶体管可用于信号的增强和控制,确保信号在发射过程中的清晰度和质量。
开关应用:其令人满意的饱和特性和高开关频率,使 BCW72LT1G 非常适合用作开关控制器,广泛应用于继电器驱动、灯光控制等域中。
音频设备:在音频功放中,BCW72LT1G 可作为信号放大器,提升音质表现,提供更强的输出功率。
数字电路:在逻辑电路和数字系统中,BCW72LT1G 可用于开关和信号放大,满足现代数字设备对快速响应和低功耗的需求。
传感器应用:该晶体管可与各种传感器配合使用,增强传感信号,支持更高精度的检测。
优势与特性
- 高效能:BCW72LT1G 在各类应用中,具备优异的转换效率。
- 高电流增益:高达 200 的直流电流增益确保了低输入电流下也能实现有效的信号放大。
- 广泛的工作温度:可在极端温度条件下稳定工作,适用于军事与航空航天等高要求环境。
- 稳定性:低的集电极截止电流 (ICBO) 意味着该器件在静态下的电流损耗极小,增强了其整体电路的稳定性和可靠性。
总结
BCW72LT1G 是一款功能强大的 NPN 型晶体管,适应性广泛,能够在多种环境下有效地工作,更是数字和模拟电路中不可或缺的元件。其优越的电气特性、紧凑的封装设计以及优秀的工作温度范围,使其成为高性能电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在高性能的通信设备中,BCW72LT1G 都展现出了卓越的价值。
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