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MMBT3904LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT3904LT1G

RoHS
商品编码:
BM0093065155复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
SOT-23复制
包装:
编带复制
重量:
0.03g复制
描述:
三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN复制
数据手册

MMBT3904LT1G参数

属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)40
特征频率(fT)300MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

MMBT3904LT1G手册

MMBT3904LT1G概述

MMBT3904LT1G 产品概述

一、产品简介

MMBT3904LT1G是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),由知名半导体厂商安森美(ON Semiconductor)出品。该晶体管凭借其优异的电性能和宽范围的工作温度,广泛应用于各种电子设备和电路中,包括放大器、开关电路和信号处理等场合。

二、主要特点

  1. 额定功率与性能:

    • MMBT3904LT1G的额定功率为300mW,适合中低功耗的应用需求。其最大集电极电流(Ic)为200mA,确保在负载较大时仍能稳定工作。
  2. 集射极击穿电压:

    • 该器件的集射极击穿电压(Vce)可承受最多40V,这使其能够在多种电压环境下正常工作,适应不同的电源配置。
  3. 直流电流增益(hFE):

    • MMBT3904LT1G在不同的集电极电流(Ic)和集电极-发射极电压(Vce)条件下,提供最小增益(hFE)为100(在Ic=10mA且Vce=1V时),能够实现良好的信号放大能力。
  4. 饱和压降:

    • 在工作过程中,器件表现出低饱和压降特性,例如在Ib = 5mA和Ic = 50mA条件下,饱和压降(Vce(sat))最大为300mV。这一特点对于开关应用而言非常重要,可有效降低功耗。
  5. 频率特性:

    • 此晶体管支持高达300MHz的跃迁频率,适合高频应用,可以满足现代通信设备的需求。
  6. 工作温度范围:

    • MMBT3904LT1G支持的工作温度范围为-55°C至150°C,这使其具备在极端环境下工作的能力,能够满足军事、航空和工业应用的严格要求。

三、封装与安装

  • 封装类型: MMBT3904LT1G采用表面贴装型封装,规格为SOT-23-3(TO-236),其小巧的体积适合密集设计的电路板应用,优化空间利用率,并简化了自动化贴装过程。

  • 安装方式: 该晶体管专为表面贴装技术(SMT)设计,利于提高生产效率并降低系统成本。

四、应用领域

借助其广泛的电气性能和环境适应能力,MMBT3904LT1G在多个领域都有着广泛的应用。

  1. 移动通信设备:

    • 由于其高频特性,该晶体管在手机、平板电脑等便携式设备中的信号放大和开关工作中发挥着重要作用。
  2. 计算机与外围设备:

    • 可被用于计算机的输入输出电路中,起到信号处理的作用。
  3. 工业控制系统:

    • 在自动化设备中,该器件可用于各种控制电路,比如电机驱动、传感器接口等。
  4. 消费电子:

    • 适用于电视、音响等消费类电子产品的信号放大和开关应用。

五、总结

综上所述,MMBT3904LT1G是一款在工作稳定性、功率处理、频率性能等方面均表现出色的NPN晶体管,适应性广泛且灵活。它适合于各种高频及高效能要求的应用场合,特别是在现代电子设备快速发展的趋势下,MMBT3904LT1G凭借其出色的电气特性及紧凑的SOT-23封装,成为了设计工程师在选择三极管时值得信赖的选择之一。无论是在严苛的工业环境中,还是在日常使用的消费类产品中,MMBT3904LT1G都将展现其卓越性能,为最终用户提供出色的使用体验。

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