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AGM12N10AP

- 商品编码: BM0229716346复制
- 品牌: AGM-Semi(芯控源)复制
- 封装: PDFN3.3x3.3-8复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.078g复制
- 描述: AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制
AGM12N10AP参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
AGM12N10AP手册
AGM12N10AP问题
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