AGM-Semi(芯控源)
品牌产品
类目：
- 场效应管(MOSFET)
封装：
- PDFN-8(3.3X3.3)
- PDFN-8(5X6)
- TO-252
- SOP-8
- PDFN5X6-8L
- PDFN3.3X3.3-8
- SOT-23-3
- TOLL-8L
- TO-263
- SOT-23
- PDFN5X6-8
- PDFN(5X6)
- TO-252-4
- DFN(5X6)
- DFN-8(3X3)
- PDFN-8L(3.3X3.3)
- PDFN-8L(5X6)
- SOT-223
- SOT-23-6L
- TO-220
- TO-252(DPAK)
- DFN(2X2)
- DFN(3X3)
- DFN-6(2X2)
- DFN-8(2X2)
- DFN5X6
- PDFN(3X3)
- PDFN3X3
- SOP8
- SOT-23-6
- SOT-523
- SOT-89
- SOT-89-3
- TO-252-4L
- TOLL
- WQFN-8(3X3)
- WQFN-8-EP(3.3X3.3)
- WQFN5X6
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
￥15领取
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：50A复制
导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V；15mΩ@4.5V复制
描述：AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：10000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.768
5000+￥0.713
量大可议价
合计￥0.77
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￥15领取
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：45A复制
导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ@10V复制
描述：AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：9924复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.539
5000+￥0.499
量大可议价
合计￥0.54
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数量：1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：7.6A复制
导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；26mΩ@10V复制
描述：AGM420MC将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：6181复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.534
3000+￥0.499
量大可议价
合计￥0.53
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：18V复制
连续漏极电流(Id)：8A复制
导通电阻(RDS(on))：14.5mΩ@4.5V复制
描述：AGM15P13E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5996复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.269
3000+￥0.238
量大可议价
合计￥0.27
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数量：2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：70A复制
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V复制
描述：AGM609MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5980复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.63
3000+￥1.55
量大可议价
合计￥1.63
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：120A复制
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V复制
描述：BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；复制库存：5748复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥1.07
3000+￥1.01
量大可议价
合计￥1.07
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：60A复制
导通电阻(RDS(on))：7.2mΩ@10V；11.5mΩ@4.5V复制
描述：AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：3638复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.668
5000+￥0.62
量大可议价
合计￥0.67
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：100A复制
导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V复制
描述：AGM6035A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：3001复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥3.33
3000+￥3.2
量大可议价
合计￥3.33
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：12A复制
导通电阻(RDS(on))：56mΩ@10V；72mΩ@4.5V复制
描述：AGM40P65AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.35
5000+￥0.33
量大可议价
合计￥0.35
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：130A复制
导通电阻(RDS(on))：4.6mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) AGM40P100A DFN8_5X6MM复制库存：0复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
-
1+￥1.36
3000+￥1.3
量大可议价
合计￥1.36
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
导通电阻(RDS(on))：9.3mΩ@10V复制
描述：AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：33332复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+￥2.359454
50+￥1.889344
150+￥1.687838
500+￥1.436512
2500+￥1.3515
5000+￥1.284296
合计￥11.8
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：72A复制
导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ@10V复制
描述：AGM6014AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：7960复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+￥2.858396
50+￥2.32458
150+￥2.095726
500+￥1.783874
2500+￥1.656674
5000+￥1.58046
合计￥14.29
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V复制
描述：AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5996复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
无法确认批次
5+￥1.062226
50+￥0.858706
150+￥0.756946
500+￥0.680626
3000+￥0.583636
6000+￥0.553108
合计￥5.31
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：90A复制
导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ@10V；10mΩ@4.5V复制
描述：AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5400复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
无法确认批次
1+￥3.920304
10+￥3.257168
30+￥2.9256
100+￥2.594032
500+￥2.184448
1000+￥2.086928
合计￥3.92
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：25A复制
导通电阻(RDS(on))：10mΩ@4.5V；13mΩ@4.5V复制
描述：AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。复制库存：5312复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 5复制
增量 : 5复制
RoHS
无法确认批次
5+￥1.070388
50+￥0.856692
150+￥0.765108
500+￥0.65084
2500+￥0.57876
5000+￥0.548232
合计￥5.35
2-5 工作日内发货还有218条型号未显示
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