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BCP56-16-AU_R2_000A1 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCP56-16-AU_R2_000A1

RoHS
商品编码:
BM0257586603复制
品牌:
PANJIT(强茂)复制
封装:
SOT-223复制
包装:
编带复制
重量:
0.289g复制
描述:
三极管(BJT) 2.6W 100V 1A NPN复制
数据手册

BCP56-16-AU_R2_000A1参数

属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)2.6W
直流电流增益(hFE)100
特征频率(fT)100MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

BCP56-16-AU_R2_000A1手册

BCP56-16-AU_R2_000A1概述

BCP56-16-AU_R2_000A1(NPN型双极结型晶体管)产品概述

一、产品基本定位与核心属性

BCP56-16-AU_R2_000A1是PANJIT(强茂) 推出的NPN型双极结型晶体管(BJT),属于中等功率通用型三极管,核心设计围绕“平衡功率、电压与可靠性”展开,适配工业、消费电子等多领域的放大与开关场景。其型号后缀明确了封装版本与规格参数,是低成本、高适配性的基础电子元器件。

二、关键电气性能参数解析

该型号的电气参数经过优化,覆盖电路设计核心需求,关键参数如下:

  1. 功率与电流能力:最大集电极电流(Ic)为1A,可稳定承载中等电流负载;最大耗散功率(Pd)达2.6W,无需额外复杂散热即可满足多数基础功率场景。
  2. 增益与漏电流:直流电流增益(hFE)在典型工作点(Ic=150mA、Vce=2V)下为100,增益一致性较好,利于电路参数匹配;集电极截止电流(Icbo)仅100nA,截止状态漏电流极小,有效降低静态功耗。
  3. 击穿与饱和特性:集射极击穿电压(Vceo,基极开路)为100V,可承受较高电压应力;射基极击穿电压(Vebo)为6V,避免反向过压损坏;集射极饱和电压(VCE(sat))低至500mV,开关状态损耗小,适合低功耗开关应用。
  4. 频率性能:特征频率(fT)为100MHz,高频响应能力满足中频信号放大、高速开关等场景需求。

三、封装与热特性设计

产品采用SOT-223表面贴装封装,具备三大核心优势:

  • 紧凑适配:封装体积小,适配高密度PCB设计,减少电路占用空间;
  • 热稳定性:封装热阻与2.6W最大耗散功率匹配,结合结温范围(Tj=-55℃~+150℃),可在宽温度环境下稳定工作;
  • 生产便捷:表面贴装工艺兼容自动贴装设备,提升生产效率,降低焊接成本。

四、典型应用场景

结合参数优势,该型号的典型应用包括:

  1. 中等功率放大:小功率音频放大(随身听、小型音箱)、中频信号放大(通信辅助电路);
  2. 低损耗开关:LED驱动(1A以内电流)、小型继电器驱动、电池供电设备通断控制;
  3. 工业控制:因宽温范围适配工业环境,可用于温度监测、电机辅助控制等;
  4. 消费电子:小家电(加湿器、小型风扇)控制板、充电器辅助稳压/开关电路。

五、品牌与可靠性保障

PANJIT(强茂)作为专业半导体制造商,该型号具备以下可靠性优势:

  • 参数一致性:生产过程严格管控,hFE、漏电流等关键参数波动小,减少电路调试难度;
  • 环境适应性:宽结温范围与SOT-223封装的抗干扰性,适合户外、工业等恶劣环境;
  • 合规性:符合RoHS等环保标准,满足全球市场应用要求。

该型号凭借平衡的性能参数与可靠的设计,成为中等功率电子电路的高性价比选择,广泛适配各类基础电子系统的设计需求。

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