
PANJIT(强茂)
主营产品
整流二极管功率半导体突波抑制器小信号元件电晶体
应用领域
汽车电子电源供应工业电子计算机运算消费性电子通信设备
类目:
- 稳压二极管
- 肖特基二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 快恢复/高效率二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 开关二极管
- 三极管(BJT)
- 通用二极管
- 整流桥
- 碳化硅二极管
封装:
- SOD-123
- SOT-23
- SOD-323
- SMA(DO-214AC)
- SMB(DO-214AA)
- SOD-123FL
- SMA
- DO-41
- SOD-523
- SOT-323
- DO-201AD
- SMC(DO-214AB)
- SOT-363
- SMB
- DO-15
- LL-34
- MINIMELF
- DO-214AA(SMB)
- TO-220AB
- DO-214AB(SMC)
- ITO-220AB-3
- TO-277
- DO-41G
- ITO-220AB
- LL-34(SOD-80)
- SMAF-C
- DO-35
- SOT-523
- TO-277B
- SOD-323HE
- TO-220AC
- DL-41
- SMC
- DFN5060-8
- GBU
- DO-214AC
- SMBF
- SOT-323-3
- TO-252AA
- GBU-2
- SOD-123HE
- SOT-223
- ITO-220AC
- SMA(W)
- SOT-563
- SOT-89
- DFN3333-8
- ABS
- DO-214AB
- DO-34
- SMAF
- TO-220AB-3
- TO-252
- DO-201AE
- MDI
- MELF
- MINI-MELF
- SOD-323S
- SOP-8
- SOT-23(SOT-23-3)
- DFN1006-2L
- DIP-4
- GBJ
- KBJ
- KBP
- SDIP-4
- SIP-4
- SMA-W
- TO-263
- DO-204-AH
- DO-214AA
- DO-218AB
- DO-27(DO-201AA)
- M4
- SMAF-1
- SOD-123F
- TDI
- TO-277C
- TO-3P-3
- DFN1006-2
- DFN2020B-6
- DFN3333-8L
- DO-221AA(SMB)
- DO-27
- DO-41/T-26
- GBU-1
- ITO-220AB-F
- KBJ-2
- KBPF
- M8
- MICRO-MELF
- MINIMELF(LL-34)
- MMBT-3904,SOT-23
- P600
- QUADRO-MELF
- S0T-23
- SDIP(T/R)
- SMA(T/R)
- SOD
- SOD-923
- SOD123
- SOT-23-6L
- T0-263
- TO-247AC-3
- TO-247AD-2
- UF-2G
- ABS-10A
- DFN-2(0.6X1)
- DFN-3(0.6X1)
- DFN0603-2
- DFN2020-6L
- DFN2510-10L
- DO-201AD(T/B)
- DO-204-AG
- DO-214-AB
- DO-214-AC
- DO-214AB,SMC
- DO-34/T-26
- ER-2D
- ES-1D
- GBL
- GBL-2
- GBP
- GS-1M
- LL34
- MBF
- RS-1J
- SDIP
- SMB(T/R)
- SMBF-1
- SMD-4
- SOD-523(SC-79)
- SOT-323-6L
- SOT-353
- SOT-363(SC-70-6L)
- TO-220
- TO-220AC-2
- TO-220F
- TO-247AD-2LD
- TO-3P
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):800mV@1A复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 800mV@1A 100V 30uA@100V 1A复制库存:188463复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.147
3000+¥0.13
合计¥0.15
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.7V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:超快恢复二极管 US1M_R1_00101复制库存:144164复制
最小包 : 1800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.129
1800+¥0.098
合计¥0.13
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.7V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:超快恢复二极管 US1M_R1_00101复制库存:1复制
最小包 : 1800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.12642
合计¥0.13
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):850mV@0.5A复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
整流电流:500mA复制
描述:肖特基二极管 独立式 850mV@0.5A 100V 500mA复制库存:134648复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.168
5000+¥0.153
合计¥0.17
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二极管配置:1个独立式复制
耗散功率(Pd):410mW复制
整流电流:200mA复制
直流反向耐压(Vr):75V复制
描述:开关二极管复制库存:124776复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0479
3000+¥0.038
合计¥0.05
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:通用二极管 独立式 1.1V@1A 1kV 1A复制库存:101995复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.136
3000+¥0.12
合计¥0.14
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:通用二极管 独立式 1.1V@1A 1kV 1A复制库存:88808复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.111
3000+¥0.088
合计¥0.11
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二极管配置:1对串联式复制
正向压降(Vf):220mV复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 BAT54S_R1_00301复制库存:75686复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0693
3000+¥0.055
合计¥0.07
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):3.3V复制
钳位电压:7.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp):1A@8/20us复制
描述:ESD保护二极管/TVS二极管 3V,ESD复制库存:43941复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.242
5000+¥0.219
合计¥0.24
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.7V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.7V@1A 1kV 1A复制库存:59304复制
最小包 : 1800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.133
1800+¥0.12
合计¥0.13
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr):1kV复制
整流电流:1A复制
描述:通用二极管 GS1M-AU_R1_000A1复制库存:57022复制
最小包 : 1800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.139
1800+¥0.125
合计¥0.14
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.3V@1A复制
直流反向耐压(Vr):600V复制
整流电流:1A复制
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.3V@1A 600V 1A复制库存:53909复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.121
3000+¥0.0961
合计¥0.12
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1.3V@1A复制
直流反向耐压(Vr):600V复制
整流电流:1A复制
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.3V@1A 600V 1A复制库存:1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.11858
合计¥0.12
已优惠-¥0.01现在下单最快1小时发货
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:9.8V复制
峰值脉冲电流(Ipp):1A@8/20us复制
描述:ESD保护二极管/TVS二极管 5V,ESD复制库存:44295复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.264
5000+¥0.24
合计¥0.26
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):300mA复制
耗散功率(Pd):500mW复制
描述:场效应管(MOSFET) 2N7002K_R1_00501复制库存:42375复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0756
3000+¥0.06
合计¥0.08
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):60V复制
连续漏极电流(Id):300mA复制
耗散功率(Pd):500mW复制
描述:场效应管(MOSFET) 2N7002K_R1_00501复制库存:65复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.074088
合计¥0.07
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晶体管类型:NPN复制
集电极电流(Ic):1A复制
集射极击穿电压(Vceo):100V复制
耗散功率(Pd):2.6W复制
描述:三极管(BJT) 2.6W 100V 1A NPN复制库存:32505复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.296
2500+¥0.26
合计¥0.3
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二极管配置:1对共阳极复制
正向压降(Vf):600mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:未分类复制库存:30000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.111
3000+¥0.0884
合计¥0.11
现在下单最快1小时发货
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二极管配置:1对共阳极复制
正向压降(Vf):600mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:未分类复制库存:2281复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.10878
合计¥0.11
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