AO3406参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 210pF |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO3406手册
AO3406概述
AO3406 产品概述
AO3406 是一款高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中,尤其是在功率管理、开关电源和电机驱动等领域。其主要特点包括额定漏源电压(Vdss)为 30V,最大连续漏极电流(Id)为 3.6A(在 25°C 时),以及较低的漏源导通电阻(Rds(on)),仅为 50mΩ。这些特性使 AO3406 在低功耗、高效能系统中表现出色。
主要参数
漏源电压(Vdss): 30V
- 这一参数指示了 MOSFET 可承受的最大漏源电压,AO3406 的设计允许其在 30V 的电压下稳定工作,适合许多低到中等电压的应用场合。
连续漏极电流(Id): 3.6A @ 25°C
- 这表示在 25°C 环境温度下,AO3406 能够持续承受高达 3.6A 的电流,适用于电流要求较高的应用,例如 LED 驱动和电源管理。
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250μA
- 表示在 2.5V 的栅源电压条件下,该 MOSFET 开始导通,流过 250μA 的电流。这个阈值电压较低,使得 AO3406 能够与较低电压的控制电路相兼容,便于在各种数字逻辑电路中使用。
漏源导通电阻(Rds(on)): 50mΩ @ 3.6A, 10V
- 较低的导通电阻意味着在工作过程中,MOSFET 的发热量较小,效率高。这在长时间工作或高频开关情况下尤为重要,有助于降低系统的整体功耗。
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.4W
- 这是 AO3406 在 25°C 环境下能够承受的最大功率耗散能力,高功率耗散能力适用于需要较高功率处理的应用,确保器件在高负载下的稳定性。
封装: SOT-23-3
- AO3406 采用 SOT-23-3 小型封装,这种封装形式不仅有助于减少电路板的占用空间,还方便自动化焊接的过程,适合高密度电路设计。
应用领域
AO3406 因其优良的电气特性和小型化封装,被广泛应用于许多电子设备中,如:
开关电源: 在 DC-DC 转换器、适配器及各类电源管理模块中,AO3406 可被用作开关组件,帮助提高系统效率,降低能耗。
LED 驱动: 在 LED 照明和背光源中,本器件能够通过开关控制实现高效的电流调节,满足不同亮度需求。
电机驱动: AO3406 也适用于电机控制和驱动电路,支持高频切换,确保电机平稳运行。
信号开关: 在低功耗的信号开关应用中,AO3406 由于其快速的开关特性和较低的导通电阻,可用以实现高效的信号转换。
小结
AO3406 是一款性能优秀、用途广泛的 N 沟道 MOSFET 设备,具备稳定的电气特性、低功耗和高效率,适合多种现代电子应用。其 SOT-23-3 封装也方便在空间受限的环境中使用,成为设计工程师在选型时的一款理想选择。随着电子产品对功率效率和体积的日益重视,AO3406 也将在未来的应用中继续发挥其重要作用。
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