UMD3NTR参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 3V |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
UMD3NTR手册
UMD3NTR概述
UMD3NTR 产品概述
产品简介
UMD3NTR 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的双通道数字晶体管,采用现代表面贴装(SMT)技术设计,专为低功耗、中等功率应用而优化。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,具有预偏压特性,能够简化电路设计,实现高效导通。这种封装形式使其适合用于多种电子设备,尤其是要求空间紧凑的便携式设备和消费电子产品。
产品规格
- 封装类型: UMT6(6-TSSOP,SC-88,SOT-363)
- 晶体管类型: 1 个 NPN 和 1 个 PNP - 预偏压式(双晶体管)
- 电压 - 集射极击穿(V(BR)CES): 最大 50V,适应多样化电源设计需求。
- 集电极电流 (Ic): 最大 100mA,支持中功率负载。
- 直流电流增益 (hFE): 最小 30(在 5mA 和 5V 条件下),提供良好的放大能力。
- 饱和压降 (VCE(sat)): 最大 300mV(在 500µA 和 10mA 条件下),确保能效。
- 截止电流 (Ic(off)): 最大 500nA,适用于低功耗待机应用。
- 频率 - 跃迁 (fT): 250MHz,适合高频应用。
- 功率消耗 (Ptot): 最大 150mW,符合大多数小型设备的功耗标准。
特性与优势
预偏置设计: UMD3NTR 的预偏置功能简化了电路设计,减少了外部元件要求,降低了系统成本。同时,该设计改善了切换性能,适用于快速响应的开关应用。
高频响应: 由于其 250MHz 的频率特性,UMD3NTR 在高频开关应用中表现出色,能够满足市场对于快速动态响应的需求。
低功耗特性: 低待机电流(最大 500nA)使其成为低功耗设备(如便携式消费电子产品、传感器等)的理想选择,进一步延长了电池寿命。
小型化封装: 微型 UM6 封装形式(SOT-363)使 UMD3NTR 特别适合于空间受限的应用,如移动设备和小型家用电器。
易于使用: 本产品的简单应用电路设计,不只节省了设计时间,也减少了布线复杂度,使产品开发过程更加高效。
应用场景
UMD3NTR 适用于多种电气设备,包括但不限于:
- 消费电子产品: 智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等。
- 家用电器: 微波炉、洗衣机等现代化家电中的控制电路。
- 汽车电子: 车载传感器和控制系统,提高车辆的智能化水平。
- 传感器及其电路: 温控器、湿度传感器等。
总结
UMD3NTR 是一款高性能、低功耗的双晶体管解决方案,优化了电路设计,适用于多种消费电子和工业应用。凭借其优越的电气特性和紧凑的封装,UMD3NTR 为设计工程师提供了更大的灵活性与效率。无论是在高频开关、低功耗待机电路,还是在需要空间节省的应用环境中,UMD3NTR 都能够满足用户的需求,是许多电子产品不可或缺的核心元件。
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