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BUK7Y3R5-40E,115
- 商品编码： BM0265711287复制
- 品牌： Nexperia(安世)复制
- 封装： LFPAK56(PowerSO-8)复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.126g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 167W 40V 100A 1个N沟道复制
BUK7Y3R5-40E,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 49.4nC@10V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.583nF |
| 反向传输电容(Crss) | 313pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 514pF |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
BUK7Y3R5-40E,115手册
BUK7Y3R5-40E,115概述
产品概述：BUK7Y3R5-40E,115
1. 概述
BUK7Y3R5-40E,115是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于各类功率电子应用。凭借其出色的电气和热性能，该MOSFET成为电源管理、逆变器和电机驱动等应用中的理想选择。其适用的工作环境广泛，从低温到高温，确保设备在各种工作条件下的可靠性。
2. 主要技术参数
BUK7Y3R5-40E,115具有以下关键规格：
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 连续漏极电流（Id）: 100A @ 25°C (Tc)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 1mA，确保在合理的栅电压下实现快速开关。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.5mΩ @ 25A, 10V，更低的导通电阻意味着更少的功率损耗和更高的效率。
- 最大功率耗散: 167W (Tc)，确保在高负载情况下的可靠运行。
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C，适用于极端环境条件。
3. 封装与物理特性
BUK7Y3R5-40E,115采用先进的表面贴装型封装设计，包括LFPAK56和Power-SO8，能够满足多样化的应用需求。封装设计旨在提高散热性能，降低电路板的占用空间，并支持自动化组装。
4. 应用领域
由于其优异的电气特性和极高的功率处理能力，BUK7Y3R5-40E,115广泛应用于多个领域，包括：
- 开关电源（SMPS）：用于提高效率和降低发热，优化整体系统性能。
- 电机驱动：在电动汽车和工业自动化中，用于高效驱动电机。
- 逆变器：在可再生能源技术中（如太阳能和风能逆变器）中进行有效的能量转换。
- 电热装置：在高电流应用中保证稳定的工作状态。
5. 工作原理
BUK7Y3R5-40E,115作为N沟道MOSFET工作时，栅极电压的变化直接影响漏源之间的电流传导状态。当栅源电压（Vgs）超过阈值电压（Vgs(th)），MOSFET开始导通，漏源之间的电流迅速增加，这使得BUK7Y3R5-40E,115具备快速开关能力，同时保持低导通电阻，从而降低功率损失。
6. 性能优势
随着电子设备对效率和性能要求的不断提高，BUK7Y3R5-40E,115在设计时采用了先进的制造工艺，显著提升了性能指标。这些优势使得其适用于高频率、高速切换的应用场景，提供了极好的热管理和电气性质。
7. 总结
BUK7Y3R5-40E,115是一款具有卓越导电性和高效散热能力的N沟道MOSFET，广泛应用于现代电子设备中，是实现高效电源管理方案的关键器件。其优异的技术参数和设计特性不仅提高了系统的整体效率，也确保了在苛刻工作环境下的稳定性和可靠性。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，BUK7Y3R5-40E,115都展现出优秀的性能表现，成为工程师们的理想选择。